3.6. Tunneling mechanismFrom the cu

3.6. Tunneling mechanism
From the current-voltage characteristics, we have observed
that the turn-on voltage of the LEDs that depended on the active
nanoparticles could be related to the bandgap of the AIZS
nanoparticles. As we tuned the bandgap of the nanoparticles by
decreasing the ratio of the content of silver and zinc, M[Ag]/M[Zn],
the band-edges may shift with an increase in the bandgap. In a
device based on such nanoparticles, this would mean a change in
internal barriers for the carriers.
Considering the fact that holes contribute to device current in
these LEDs, the barrier for hole injection from the electrode can
be determined from the current–voltage characteristics. With
the current in the devices being injection limited, the tunnelingcurrent can be described as
J ¼ ðAβ2E2=φÞexpðBφ3=2=βEÞ
Here, A and B are constants, β the field-enhancement factor, E the
electric field, and φ the barrier height. The equation reduces to ln
(J/E2
)p1/E with a factor of φ3/2 being the proportionality constant.
Plots of ln(J/E2
) versus 1/E (Fowler–Nordheim plots) for the LEDs
have been presented in FigLEDs based on these nanoparticles so that the EL emission appears
from the radiative decay of excitons in the nanoparticles. The
results demonstrated LEDs based on nontoxic quantum dots along
with the ability to tune the EL emission wavelength by choosing
the zinc-content of the nanoparticles.
Acknowledgment
The authors acknowledge financial supprt from the DeitY
project 12(1)/2012-EMCD and the DST project DST/TSG/PT/2008/
46. The work of SB and AG were funded by CSIR – Junior Research
Fellowship Nos. 09/080(0692)/2010-EMR-I (Roll no. 507693) and
09/080(0505)/2006-EMR-I (Roll no. 503974), respectively. AJP
acknowledges Ramanna Fellowship SR/S2/RFCMP-01/2009.
A comparison of the plots for devices with different AIZS
nanoparticles as the active material shows that the slope of the
plots at high-fields that is proportional to φ3/2 remained invariant.
This implies that the hole-injecting barrier, which is dictated
by the work-function of the ITO electrode and the highest
occupied molecular orbitals (HOMO) of the hole-transporting
TPD layer, did not differ in these devices. This is expected since
all the devices had TPD as the hole-transport layer on ITO
electrodes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.6 กลไกการทันเนลจากลักษณะแรงดันไฟฟ้าปัจจุบัน เราได้สังเกตเห็นที่แรงดันเปิดไฟ Led ที่ขึ้นอยู่กับการใช้งานอาจเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ AIZS การเก็บกักเก็บกัก ตามที่เราปรับ bandgap เก็บกักโดยลดอัตราส่วนของเงินและสังกะสี, / m M [Ag] [Zn],ขอบวงอาจเปลี่ยนการเพิ่มขึ้น bandgap ในการอุปกรณ์ตามเก็บกักเช่น นี้จะหมายถึง การเปลี่ยนแปลงในอุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการพิจารณาความจริงที่หลุมที่อุปกรณ์ในปัจจุบันอุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากอิเล็กโทรดไฟ Led เหล่านี้ สามารถถูกกำหนดจากลักษณะกระแสแรงดันไฟฟ้า มีปัจจุบันอุปกรณ์การฉีดจำกัด tunnelingcurrent สามารถจะอธิบายเป็นJ ¼ ðAβ2E2 = φÞexpð Bφ3 = 2 = βEÞที่นี่ A และ B เป็นค่าคงที่ คูณβปรับปรุงฟิลด์ที่ Eสนามไฟฟ้า และφความสูงกำแพง สมการลด ln(J/E2) p1/E ด้วยตัวของ φ3/2 เป็นค่าคงสัดส่วนวางของ ln(J/E2) กับ 1/E (ฟาวเลอร์-Nordheim แปลง) สำหรับไฟ Ledมีการนำเสนอใน FigLEDs อิงตามเก็บกักเหล่านี้ปล่อยเอลปรากฏจากผุที่กและมนทิลของ excitons ในการเก็บกัก การแสดงผลไฟ Led ตามจุดควอนตัมพิษตามสามารถปรับความยาวคลื่นการปล่อยเอ โดยเลือกสังกะสีเนื้อหาของการเก็บกักยอมรับผู้เขียนรับทราบ supprt เงินจากเทพเจ้าโครงการ 12 (1) / 2012-EMCD และ DST โครงการ DST/TSG/PT/2008 /46. การทำงานของ SB และ AG ได้เงินทุน CSIR – วิจัยจูเนียร์ทุนชุด 09/080 (0692) / 2010-EMR-ฉัน (ม้วนหมายเลข 507693) และ09/080 (0505) / 2006-EMR-ฉัน (ม้วนหมายเลข 503974), ตามลำดับ AJPรับทราบ Ramanna Fellowship SR/S2/RFCMP-01/2009การเปรียบเทียบของที่ดินสำหรับอุปกรณ์ที่มี AIZS แตกต่างกันเก็บกักเป็นวัสดุใช้งานแสดงว่าความชันของการผืนที่สูงเขตว่าจะ φ3/2 ยังคงไม่เปลี่ยนแปลงนี้ก็หมายความว่าฉีดหลุมอุปสรรค ที่จะบอกโดยการทำงานฟังก์ชัน ของอิเล็กโทรด ITO และสูงที่สุดครอบครองโมเลกุล orbitals (ตุ๊ด) การขนส่งรูชั้น TPD ไม่แตกต่างกับอุปกรณ์เหล่านี้ นี้คาดว่าตั้งแต่อุปกรณ์ทั้งหมดมี TPD ชั้นขนส่งรูบน ITOอิเล็กโทรด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.6 กลไกการขุดอุโมงค์
จากลักษณะปัจจุบันแรงดันที่เราได้ตั้งข้อสังเกต
ว่าแรงดันไฟฟ้าที่เปิดเครื่องขึ้นของ LED ที่ขึ้นอยู่กับการใช้งาน
อนุภาคนาโนที่อาจจะเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ AIZS
อนุภาคนาโน ในฐานะที่เราปรับ bandgap ของอนุภาคนาโนโดย
การลดอัตราส่วนของปริมาณเงินและสังกะสี, M [Ag] / M [Zn]
วงขอบอาจเปลี่ยนกับการเพิ่มขึ้น bandgap ใน
อุปกรณ์บนพื้นฐานของอนุภาคนาโนดังกล่าวนี้จะหมายถึงการเปลี่ยนแปลงใน
อุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการ.
พิจารณาข้อเท็จจริงที่ว่าหลุมมีส่วนร่วมกับอุปกรณ์ในปัจจุบัน
ไฟ LED เหล่านี้อุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากอิเล็กโทรดสามารถ
ได้รับการพิจารณาจากลักษณะปัจจุบันแรงดัน . ด้วย
ปัจจุบันในอุปกรณ์ที่มีการฉีด จำกัด tunnelingcurrent สามารถอธิบายเป็น
J ¼ðAβ2E2 = φÞexpð? Bφ3 = 2 = βEÞ
นี่ A และ B มีค่าคงที่βปัจจัยสนามเพิ่มประสิทธิภาพอี
สนามไฟฟ้าและφ ความสูงอุปสรรค สมการลด LN
(J / E2
) P1 / E กับปัจจัยφ3 / 2 เป็นค่าคงสัดส่วนได้.
แปลง LN (J / E2
) เมื่อเทียบกับ 1 / E (ฟาวเลอร์-Nordheim แปลง) สำหรับไฟ LED
ได้รับการนำเสนอใน FigLEDs อยู่บนพื้นฐานของอนุภาคนาโนเหล่านี้เพื่อให้การปล่อย EL ปรากฏขึ้น
จากการสลายตัวของรังสีเอ็กซิตอนในอนุภาคนาโน
ผลแสดงให้เห็นถึงไฟ LED บนพื้นฐานของควอนตัปลอดสารพิษพร้อม
กับความสามารถในการปรับแต่ง EL การปล่อยความยาวคลื่นโดยเลือก
สังกะสีเนื้อหาของอนุภาคนาโน.
รับทราบ
ผู้เขียนยอมรับ supprt ทางการเงินจากเทพ
โครงการ 12 (1) / 2012 EMCD และเวลา โครงการ DST / TSG / PT / ปี 2008/
46 การทำงานของเอสบีและเอจีได้รับเงินทุนสนับสนุนจาก CSIR - จูเนียร์วิจัย
มิตรภาพเลขที่ 09/080 (0692) / 2010-EMR-I (ม้วนไม่มี 507,693.) และ.
09/080 (0505) / 2006-EMR-I (ม้วนไม่มี . 503974) ตามลำดับ AJP
ยอมรับ Ramanna Fellowship SR / S2 / RFCMP-01/2009.
การเปรียบเทียบของแปลงสำหรับอุปกรณ์ที่มี AIZS ที่แตกต่างกัน
อนุภาคนาโนเป็นวัสดุที่ใช้งานอยู่แสดงให้เห็นว่าความลาดชันของ
แปลงที่สาขาสูงที่เป็นสัดส่วนกับ? φ3 / 2 ยังคงอยู่คงที่ .
นี่ก็หมายความว่าอุปสรรคหลุมฉีดซึ่งเป็น dictated
โดยการทำงานของฟังก์ชั่นของอิเล็กโทรดอีโต้และสูงสุด
ครอบครองโมเลกุล orbitals (ตุ๊ด) ของหลุมขนส่ง
ชั้น TPD ไม่ได้แตกต่างกันในอุปกรณ์เหล่านี้ นี้คาดว่าตั้งแต่
อุปกรณ์ทั้งหมดมี TPD เป็นชั้นหลุมขนส่งใน ITO
ขั้วไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.6 กลไกการจากลักษณะแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบัน เราได้ตรวจสอบว่าเปิด แรงดันของไฟ LED ที่ขึ้นอยู่กับงานอนุภาคนาโนอาจจะเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ aizsอนุภาค ในขณะที่เราปรับ bandgap ของอนุภาคการลดอัตราส่วนของปริมาณเงินและสังกะสี , M [ AG ] / m [ ธาตุ ]ขอบวงอาจจะมีการปรับเพิ่มขึ้นใน bandgap . ในอุปกรณ์ยึด เช่น อนุภาคนาโนนี้จะหมายถึงการเปลี่ยนแปลงในอุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการพิจารณาข้อเท็จจริงที่ว่าหลุมสนับสนุนอุปกรณ์ปัจจุบันไฟ LED เหล่านี้ อุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากขั้วไฟฟ้าสามารถได้รับการพิจารณาจากกระแสและแรงดันของ กับปัจจุบัน ในอุปกรณ์ที่ถูกฉีด จํากัด , tunnelingcurrent สามารถอธิบายเป็นเจ¼ðบีตา 2e2 = φÞ EXP ð B φ 3 = 2 = E Þบีตาที่นี่ ให้ a และ b เป็นค่าคงที่บีตาด้านปัจจัยเสริม Eสนามไฟฟ้า และφกั้นความสูง สมการลดให้ใน( J / E2) P1 / E กับปัจจัยφ 3 / 2 มีสัดส่วนคงที่แปลง ( J / E2 ใน) เมื่อเทียบกับ 1 / E ( ฟาวเลอร์ ) nordheim แปลง ) สำหรับไฟ LEDได้ถูกนำเสนอใน figleds จากอนุภาคนาโนเหล่านี้เพื่อให้ปรากฏการเอลจากการสลายตัวของ excitons radiative ในอนุภาค ที่ผลลัพธ์แสดงไฟ LED ตามจุดตามปลอดสารพิษทางควอนตัมมีความสามารถในการปรับการเลือกความยาวคลื่น โดยเอลสังกะสีของอนุภาคการยอมรับผู้เขียนยอมรับ supprt ทางการเงินจากพระเจ้าโครงการที่ 12 ( 1 ) และโครงการ 2012-emcd DST DST / TSG / PT / 2551 /46 . การทำงานของ SB ) และได้รับทุนสนับสนุนจากบริษัทวิจัย CSIR –จูเนียร์ส่วนเลขที่ 09 / 080 ( 0692 ) / 2010-emr-i ( ม้วนไม่ 507693 ) และ09 / 080 ( 0505 ) / 2006-emr-i ( ม้วนไม่ 503974 ) ตามลำดับ ajpรับทราบ ramanna สาวก SR / S2 / rfcmp-01 / 2552การเปรียบเทียบแปลงสำหรับอุปกรณ์ที่มี aizs ต่าง ๆอนุภาคนาโนเป็นวัสดุที่ใช้งานพบว่า ความชันของแปลงที่สูงเขตข้อมูลที่เป็นสัดส่วนกับφ 3 / 2 ยังคงไม่เปลี่ยนแปลง .แสดงว่ารูฉีด สิ่งกีดขวาง ซึ่งจะบอกโดยการทำงานการทำงานของอิโต้ ขั้วไฟฟ้า และ สูงสุดครอบครองออร์บิทัลเชิงโมเลกุล ( ตุ๊ด ) ของหลุมการขนส่งถ้าชั้นไม่แตกต่างกันในอุปกรณ์เหล่านี้ นี้คาดว่า ตั้งแต่อุปกรณ์ทั้งหมดมี ถ้าเป็นชั้นการขนส่งรูโตะขั้วไฟฟ้า