Residual Stress analysis is carried

Residual Stress analysis is carried out as per standard SAE HS 784 “Residual Stress Measurement by X-ray
Diffraction”. The residual stresses are measured by Sin2ψ method, where ψ is the angle of tilt or offset given to the Xray
tube. When a crystal is bombarded with X-rays of a fixed wavelength (similar to spacing of the atomic-scale crystal
lattice planes) and at certain incident angles, intense reflected X-rays are produced when the wavelengths of the
scattered X-rays interfere constructively. When this constructive interference occurs, a diffracted beam of X-rays will
leave the crystal at an angle equal to that of the incident beam. The X-ray beam is used to scan around a fixed angle of
diffraction for a known atomic plane and the inter-planar spacing is measured as per Bragg’s law. The experimental set
up and location for residual stress measurement is given in Fig 4 & 5 respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวิเคราะห์ความเครียดที่เหลือจะดำเนินการให้เป็นไปตามมาตรฐาน SAE HS 784
"การวัดความเครียดที่เหลือจากการเอ็กซ์เรย์เลนส์" ความเครียดที่เหลือจะถูกวัดด้วยวิธีSin2ψที่ψเป็นมุมเอียงหรือชดเชยให้กับ Xray
หลอด เมื่อคริสตัลถูกถล่มด้วยรังสีเอกซ์ของความยาวคลื่นคงที่
(คล้ายกับระยะห่างของผลึกอะตอมขนาดเครื่องบินตาข่าย) และในมุมที่เหตุการณ์บางอย่างที่รุนแรงสะท้อนรังสีเอกซ์ที่มีการผลิตเมื่อความยาวคลื่นของรังสี X-กระจัดกระจายรบกวนสร้างสรรค์ .
เมื่อเป็นเช่นนี้การรบกวนสร้างสรรค์เกิดขึ้นลำแสง diffracted
ของรังสีเอกซ์จะออกจากคริสตัลที่มุมเท่ากับว่าลำแสงเหตุการณ์ที่เกิดขึ้น
ลำแสงเอ็กซ์เรย์จะใช้ในการสแกนรอบมุมคงที่ของการเลี้ยวเบนสำหรับเครื่องบินอะตอมที่รู้จักและระยะห่างระหว่างระนาบเป็นวัดตามกฎหมายของแบร็ก ทดลองตั้งขึ้นและสถานที่สำหรับการวัดความเครียดที่เหลือจะได้รับในรูปที่ 4 และ 5 ตามลำดับ