the change in micro structure and r

the change in micro structure and resistivity of the thin films probably resulted from hydrogen ions which facilitated diffusion of the surface atom and hydrogen atoms which passivated the defects

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างขนาดเล็กความต้านทานของฟิล์มบางอาจจะเกิดจากไอออนของไฮโดรเจนซึ่งอำนวยความสะดวกในการกระจายของพื้นผิวอะตอมและไฮโดรเจนอะตอมซึ่ง passivated ข้อบกพร่อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงโครงสร้างจุลภาคและความต้านทานของฟิล์มบางอาจเป็นผลมาจากไฮโดรเจนไอออนซึ่งอำนวยความสะดวกในการแพร่กระจายของอะตอมพื้นผิวและอะตอมไฮโดรเจนซึ่ง passivated ข้อบกพร่อง