The growth of graphene on insulatin

The growth of graphene on insulating silicon carbide (SiC) surfaces by hightemperature
annealing in vacuum was previously proposed to open a route for large-scale production of graphene-based
devices5,6.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเติบโตของ graphene บนฉนวนพื้นผิวที่ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) โดย hightemperatureก่อนหน้านี้ถูกเสนอการอบเหนียวในสุญญากาศเพื่อเปิดเส้นทางสำหรับการผลิตขนาดใหญ่ใช้ graphenedevices5, 6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเจริญเติบโตของกราฟีนในซิลิกอนคาร์ไบด์ฉนวน (SIC) พื้นผิวโดย hightemperature
หลอมในสูญญากาศที่เสนอก่อนหน้านี้ที่จะเปิดเส้นทางสำหรับการผลิตขนาดใหญ่ของกราฟีนตาม
devices5,6

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเจริญเติบโตของกราฟีนบนฉนวนซิลิกอนคาร์ไบด์ ( SIC ) พื้นผิวโดย hightemperature
annealing ในสุญญากาศที่เคยเสนอให้เปิดเส้นทางการผลิต graphene ขนาดใหญ่ตาม
devices5,6 .