A method of forming (and apparatus

A method of forming (and apparatus for forming) a zirconium and/or hafnium-containing layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process and one or more silicon precursor compounds of the formula Si(OR)4 with one or more zirconium and/or hafnium precursor compounds of the formula M(NR′R″)4, wherein R, R′, and R″ are each independently an organic group and M is zirconium or hafnium.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วิธีการขึ้นรูป (และเครื่องมือสำหรับการขึ้นรูป) เซอร์โคเนียมและแฮฟเนียม-ประกอบด้วยชั้นบนพื้นผิว โดยเฉพาะอย่างยิ่งพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำหรือประกอบพื้นผิว การใช้กระบวนการสะสมไอและ หนึ่งซิลิคอนสารตั้งต้นสารของสูตรศรี (หรือ) 4 กับ หนึ่งเซอร์โคเนียมและแฮฟเนียมสารตั้งต้นสารของสูตร M (NR′R″) 4 นั้น R , R′ และ R″ ได้อย่างอิสระแต่ละกลุ่มมีอินทรีย์ และ M เป็นเซอร์โคเนียมหรือแฮฟเนียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วิธีการขึ้นรูป (และเครื่องมือสำหรับการขึ้นรูป) เซอร์โคเนียมและ / หรือฮาฟเนียมที่มีชั้นบนพื้นผิวโดยเฉพาะอย่างยิ่งสารตั้งต้นสารกึ่งตัวนำหรือประกอบตั้งต้นโดยใช้กระบวนการสะสมไอและหนึ่งหรือสารประกอบซิลิกอนสารตั้งต้นของสูตรศรี (หรือ) 4 กับหนึ่งหรือมากกว่าเซอร์โคเนียมและ / หรือสารตั้งต้นแฮฟเนียมสารประกอบของสูตร M (NR'R ") 4 ประเด็น R, R 'และ R" แต่ละอิสระกลุ่มอินทรีย์และ M เป็นเซอร์โคเนียมหรือแฮฟเนียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วิธีการสร้าง ( และอุปกรณ์สำหรับสร้าง ) เซอร์โคเนียม และ / หรือ ด.ญ. ที่มีเลเยอร์บนพื้นผิว โดยเฉพาะอย่างยิ่งสารตั้งต้นหรือประกอบหลากหลาย โดยใช้กระบวนการสะสมไอและหนึ่งหรือมากกว่าหนึ่ง Silicon สารตั้งต้นสารสูตรศรี ( หรือ ) 4 กับหนึ่งหรือมากกว่าของเซอร์โคเนียม และ / หรือ ด.ญ. สารตั้งต้นสารสูตร ม ( ยางได้รับ R เพลง ) 4 ซึ่ง R R R นั้น และบอกว่าเป็นแต่ละอิสระอินทรีย์กลุ่มและ M เป็นเซอร์โคเนียม หรือด.ญ. .