When GaP isdoped with such opticall

When GaP is
doped with such optically active electronic impurity, its optoelectronic
properties like forward voltage, ideality factor, relative light
intensity, etc can change.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อมีช่องว่างเจือ ด้วยมลทินอิเล็กทรอนิกส์ดังกล่าวโดยใช้งาน การควบคุมคุณสมบัติต่าง ๆ เช่นแรงดันไปข้างหน้า ปัจจัย ideality แสงสัมพัทธ์ความเข้ม ฯลฯ สามารถเปลี่ยน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อช่องว่าง
เจือด้วยสิ่งเจือปนอิเล็กทรอนิกส์เช่นสายตาว่องไว, optoelectronic ของ
คุณสมบัติเช่นแรงดันไปข้างหน้าปัจจัย ideality แสงญาติ
เข้ม ฯลฯ สามารถเปลี่ยน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อช่องว่างคือเจือด้วยเช่นมลอิเล็กทรอนิกส์ optically active ของ Optoelectronicคุณสมบัติเหมือนไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้า , ปัจจัย ideality แบบสว่างญาติความเข้ม , ฯลฯ สามารถเปลี่ยนได้