repat the above procedure to specif

repat the above procedure to specify a value of 2300 for the density and 1800 W/(m.k)(si units) for the thermal conductivty of the sillicon chip-1 component

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้นตอนข้างต้นเพื่อระบุค่า 2300 สำหรับความหนาแน่นและ 1800 W/(m.k) (หน่วย) สำหรับ conductivty ความร้อนประกอบ 1 ชิ sillicon repat

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

repat ขั้นตอนข้างต้นเพื่อระบุค่า 2300 สำหรับความหนาแน่นและ 1800 วัตต์ / (MK) (หน่วย si) สำหรับ conductivty ความร้อนของ Sillicon ชิป 1 ส่วนประกอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

repat ขั้นตอนข้างต้นเพื่อระบุค่าของ 2300 สำหรับความหนาแน่นและ 1800 W / m.K ) ( ศรีหน่วย ) สำหรับ conductivty sillicon chip-1 ความร้อนของส่วนประกอบ