ZnO can produce electron–hole pairs

ZnO can produce electron–hole pairs under light irradiation of
higher energy than its band gap energy (Liu, Morishima, Yatsui,
Kawazoe, & Ohtsu, 2011). Electron–hole pairs (e− h+) are created
to induce the redox reactions at the surface of ZnO. The hole (h+)
reacted with OH− on the surface of ZnO nanoparticles, generating
hydroxyl radicals (OH•), superoxide anion (O2
−), and perhydroxyl

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO สามารถให้คู่อิเล็กตรอนหลุมภายใต้วิธีการฉายรังสีของแสงพลังงานสูงกว่าพลังงานของช่องว่างของวง (หลิว Morishima, YatsuiKawazoe และอาห์สึ 2011) สร้างคู่อิเล็กตรอนหลุม (e− h +)เพื่อก่อให้เกิดปฏิกิริยา redox ที่พื้นผิวของ ZnO หลุม (h +)ปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นกับ OH− บนผิวเก็บกัก ZnO สร้างอนุมูลไฮดรอกซิล (OH•), ซูเปอร์ออกไซด์ anion (O2−) และ perhydroxyl

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์สามารถผลิตคู่อิเล็กตรอนหลุมภายใต้การฉายรังสีแสงของ
พลังงานที่สูงกว่าช่องว่างแถบพลังงานของมัน (หลิว Morishima, Yatsui,
Kawazoe และ Ohtsu 2011) คู่อิเล็กตรอนหลุม (e-h +) จะถูกสร้างขึ้น
เพื่อก่อให้เกิดปฏิกิริยาที่พื้นผิวของซิงค์ออกไซด์ หลุม (h +)
ปฏิกิริยากับ OH- บนพื้นผิวของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์, การสร้าง
อนุมูลไฮดรอกซิ (OH •), ไอออน superoxide (O2
-) และ perhydroxyl

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์สามารถผลิตอิเล็กตรอนและหลุมคู่ภายใต้รังสีแสง
พลังงานสูงกว่าของช่องว่างแถบพลังงาน ( หลิว โมริชิมะ yatsui
, , คาวาโซเอะ & ohtsu , 2011 ) อิเล็กตรอนและหลุมคู่ ( E − H ) สร้างขึ้นเพื่อทำให้เกิดปฏิกิริยา
ไฟฟ้าที่ผิวเช่นกัน หลุม ( H )
ทำปฏิกิริยากับโอ้−บนพื้นผิวของอนุภาคนาโนซิงค์ออกไซด์ , การสร้างอนุมูลไฮดรอกซิล ( OH
- ) , Superoxide anion ( O2
− ) และ perhydroxyl