is larger for the ZnONRAs grown on

is larger for the ZnO
NRAs grown on the non-UV-treated area than that on the
UV-treated area. The condition is quite contrary for the second
green–red luminescence band centered at 550 nm, which is
caused by native defect levels within the band-gap, such as
single- and double-ionized oxygen vacancies

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีขนาดใหญ่สำหรับการ ZnOปลูกในพื้นที่ไม่ใช่ UV ถือกว่า NRAsรังสียูวีรักษาพื้นที่ เงื่อนไขเป็นตรงกันข้ามค่อนข้างที่สองวงสีเขียว – สีแดงเรืองแสง 550 nm ซึ่งเป็นเกิดจากข้อบกพร่องดั้งเดิมระดับภายในช่องว่างวงการ เช่นตำแหน่งงานว่างออกซิเจนเดี่ยว - และสองแตกตัวเป็นไอออน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีขนาดใหญ่สำหรับ ZnO
NRAs ที่ปลูกในพื้นที่ที่ไม่ได้รับการรักษา UV-กว่านั้นใน
พื้นที่ที่ได้รับรังสียูวี สภาพค่อนข้างตรงกันข้ามสำหรับสอง
วงเรืองแสงสีเขียวสีแดงมีศูนย์กลางอยู่ที่ 550 นาโนเมตรซึ่งเป็น
ที่เกิดจากข้อบกพร่องระดับพื้นเมืองในแถบช่องว่างเช่น
เดียวและสองครั้งที่แตกตัวเป็นไอออนตำแหน่งงานว่างออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มีขนาดใหญ่สำหรับซิงค์ออกไซด์nras ปลูกบนพื้นที่ไม่มี UV รักษากว่าบนยูวี พื้นที่ปฏิบัติ สภาพค่อนข้างตรงกันข้ามสำหรับที่สองสีเขียว–วงเรืองแสงสีแดงอยู่ตรงกลาง 550 nm ซึ่งเป็นเกิดจากระดับข้อบกพร่องดั้งเดิมภายในช่องว่างแถบ เช่นเดี่ยวและคู่ประจุที่ว่าง ออกซิเจน