Reducing solar cell thickness is an attractive wayto reduce material c การแปล - Reducing solar cell thickness is an attractive wayto reduce material c ไทย วิธีการพูด

Reducing solar cell thickness is an

Reducing solar cell thickness is an attractive way
to reduce material costs. However, model calculations in
this paper show that if rear surface recombination velocity
(S) is greater than about 1000 cmls, a 100ym-thick
screen-printed cell on solar-grade material has a lower
efficiency than a 300-pm-thick cell. The literature demonstrates
that S < 1000 cmls is readily achievable on monocrystalline
materials. However, S on multicrystalline silicon
(mc-Si) seems less thoroughly investigated. In this
study, string ribbon mc-Si wafers of different resistivities
are passivated with a thermal oxide, plasma-enhanced
chemical vapor deposition (PECVD) nitride, and an oxidelnitride
stack, For comparison. float zone (FZ) and
Czochralski (Cz) monocrystalline wafers are passivated
identically. By analyzing measured lifetimes under
500 nm and 1000 nm illumination, upper and lower limits
on S are determined. For most of the monocrystalline
wafers investigated in this study, the upper limit on S is
less than 1000 cmls, while for most of the multricrystalline
wafers, 1000 cmls falls within the error bars. Thus, thinning
monocrystalline silicon should improve cell performance;
however, it is difficult to conclude from this data that
solar cell efficiency will improve when reducing thickness
for the specified mc-Si materials and passivation technologies.
In fact, results strongly suggest that S on string
ribbon mc-Si is higher than S on identically passivated FZ.
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
Reducing solar cell thickness is an attractive way
to reduce material costs. However, model calculations in
this paper show that if rear surface recombination velocity
(S) is greater than about 1000 cmls, a 100ym-thick
screen-printed cell on solar-grade material has a lower
efficiency than a 300-pm-thick cell. The literature demonstrates
that S < 1000 cmls is readily achievable on monocrystalline
materials. However, S on multicrystalline silicon
(mc-Si) seems less thoroughly investigated. In this
study, string ribbon mc-Si wafers of different resistivities
are passivated with a thermal oxide, plasma-enhanced
chemical vapor deposition (PECVD) nitride, and an oxidelnitride
stack, For comparison. float zone (FZ) and
Czochralski (Cz) monocrystalline wafers are passivated
identically. By analyzing measured lifetimes under
500 nm and 1000 nm illumination, upper and lower limits
on S are determined. For most of the monocrystalline
wafers investigated in this study, the upper limit on S is
less than 1000 cmls, while for most of the multricrystalline
wafers, 1000 cmls falls within the error bars. Thus, thinning
monocrystalline silicon should improve cell performance;
however, it is difficult to conclude from this data that
solar cell efficiency will improve when reducing thickness
for the specified mc-Si materials and passivation technologies.
In fact, results strongly suggest that S on string
ribbon mc-Si is higher than S on identically passivated FZ.
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
การลดความหนาของเซลล์แสงอาทิตย์เป็นวิธีที่น่าสนใจ
ในการลดค่าใช้จ่ายวัสดุ อย่างไรก็ตามการคำนวณแบบจำลองใน
งานวิจัยนี้แสดงให้เห็นว่าถ้าพื้นผิวด้านหลังความเร็ว recombination
(S) มีค่ามากกว่าประมาณ 1000 CMLS, 100ym หนา
มือถือหน้าจอพิมพ์บนวัสดุแสงอาทิตย์เกรดต่ำมี
ประสิทธิภาพกว่า 300 เซลล์นหนา วรรณกรรมแสดงให้เห็น
ว่า S <1000 CMLS ใช้ง่ายทำได้ใน monocrystalline
วัสดุ อย่างไรก็ตาม S ซิลิกอนมัลติ
(MC-Si) ดูเหมือนว่าการตรวจสอบอย่างละเอียดน้อย ในการนี้
การศึกษา, เวเฟอร์ริบบิ้นสตริง MC-ศรีของความต้านทานที่แตกต่างกัน
จะ passivated กับออกไซด์ความร้อน, พลาสม่าเพิ่ม
ไอสารเคมีสะสม (PECVD) ไนไตรด์และ oxidelnitride
กองสำหรับการเปรียบเทียบ โซนลอย (FZ) และ
Czochralski (CZ) เวเฟอร์ monocrystalline จะ passivated
เหมือนกัน โดยการวิเคราะห์อายุการใช้งานภายใต้การวัด
500 นาโนเมตรและ 1000 นาโนเมตรแสงสว่าง จำกัด บนและล่าง
เกี่ยวกับเอสมีความมุ่งมั่น สำหรับส่วนมากของ monocrystalline
เวเฟอร์สอบสวนในการศึกษาครั้งนี้ขีด จำกัด บนของ S เป็น
น้อยกว่า 1,000 CMLS ในขณะที่ส่วนใหญ่ของ multricrystalline
เวเฟอร์, 1000 CMLS อยู่ในแถบข้อผิดพลาด ดังนั้นการทำให้ผอมบาง
ซิลิคอน monocrystalline ควรปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์
แต่มันเป็นเรื่องยากที่จะสรุปจากข้อมูลที่
มีประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์จะดีขึ้นเมื่อลดความหนา
ที่ระบุไว้สำหรับวัสดุ MC-Si และเทคโนโลยีทู่.
ในความเป็นจริงผลขอแนะนำว่า S ในสตริง
ริบบิ้น MC-Si สูงกว่า S บนเหมือน passivated FZ
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
การลดความหนาของเซลล์แสงอาทิตย์เป็นวิธีที่น่าสนใจ
เพื่อลดต้นทุนวัตถุดิบ อย่างไรก็ตาม รูปแบบการคำนวณในกระดาษแผ่นนี้ แสดงให้เห็นว่า ถ้าหลัง

( s ) พื้นผิวการความเร็วมากกว่า 1 , 000 cmls , 100ym หนา
หน้าจอพิมพ์บนวัสดุเกรดเซลล์แสงอาทิตย์ได้ประสิทธิภาพลดลงกว่า 300
PM หนาเซลล์ วรรณกรรมสาธิต
ที่ S < 1000 cmls พร้อมได้บนวัสดุ monocrystalline

อย่างไรก็ตาม บน
ซิลิคอน multicrystalline ( MC ศรี ) ดูเหมือนว่าน้อยอย่างละเอียด พบว่า ในการศึกษานี้
, เชือกริบบิ้นพิธีกรชีเวเฟอร์ที่แตกต่างกัน resistivities
จะประกอบด้วยออกไซด์พลาสมาความร้อนเพิ่มขึ้น
chemical vapor deposition ( pecvd ) ไนไตรด์ และ oxidelnitride
กอง , เปรียบเทียบ โซน ( FZ ) และ
ลอยczochralski ( CZ ) เวเฟอร์ monocrystalline แข็งแรง
เป็นอย่างเดียวกัน โดยการวิเคราะห์ lifetimes วัดใต้
500 nm และ 1000 nm รัศมี บนและล่าง จำกัด
S มุ่งมั่น สำหรับส่วนใหญ่ของ monocrystalline
เวเฟอร์ได้ในการศึกษานี้ บนขีดบน S
น้อยกว่า 1 , 000 cmls ในขณะที่ส่วนใหญ่ของ multricrystalline
เวเฟอร์ , 1000 cmls ตกอยู่ในข้อผิดพลาดบาร์ ดังนั้นบาง
monocrystalline ซิลิคอน ควรปรับปรุงประสิทธิภาพของเซลล์ ;
แต่ก็ยากที่จะสรุปได้จากข้อมูลที่
ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์จะดีขึ้นเมื่อมีการลดความหนา
เพื่อระบุ MC ศรีรุ้ง เทคโนโลยีวัสดุ และ .
ในความเป็นจริง ผลขอแนะนำให้บนศรี MC สตริง
ริบบิ้นสูงกว่าบนแข็งแรงเหมือนกัน FZ .
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: