HMDS is the most important single-source precursor for preparation low-k dielectrics on base of SiCxNy due to the molecules of HMDS contain ready fragments with less polarizable bonds such as Si–C, C–C, Si–CH3, C–H.
HMDS คือ แหล่ง เดียวที่สำคัญที่สุดสารตั้งต้นสำหรับการเตรียม dielectrics k ต่ำบนฐานของ SiCxNyเนื่องจากโมเลกุลของ HMDS ประกอบด้วยเศษพร้อมด้วยพันธบัตร polarizable น้อยเช่น Si – C, C – C, Si – CH3, C – เอช