In this paper, we propose a new met

In this paper, we propose a new method of profiling the
dc-side rectifier current by using current sources placed in
parallel with each six-pulse rectifier bridge to inject current
and shape the rectifier output current. The method is simple to
implement and makes use of standard series-connected isolated
gate bipolar transistor or metal oxide semiconductor field-effect
transistor (MOSFET) modules. The property of the resulting
current sources is that they are able to deliver power to the
load, allowing for the integration of an energy storage system
on the dc side. The VA rating required to profile the current is
substantially reduced by a proper choice of the dc-side LC filter
parameters.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ เราเสนอวิธีการสร้างโพรไฟล์ใหม่วงจรเรียงกระแสด้าน dc โดยแหล่งปัจจุบันทำในปัจจุบันขนานกับสะพานแต่ละวงจรเรียงกระแสหกชีพจรฉีดปัจจุบันและรูปร่างผลวงจรเรียงกระแสปัจจุบัน วิธีการเป็นการใช้ และทำให้ใช้มาตรฐานชุดเชื่อมต่อแยกต่างหากประตูไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์หรือโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำฟิลด์มีผลทรานซิสเตอร์ (มอสเฟต) โมดูล คุณสมบัติของการส่งผลปัจจุบันแหล่งไม่ว่า จะสามารถมอบอำนาจการโหลด ช่วยให้การรวมระบบเก็บพลังงานฝั่ง dc เป็นการประเมิน VA ต้องโพรไฟล์ปัจจุบันลดลงมากเหมาะสมกับการเลือกของตัว LC ฝั่ง dcพารามิเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เรานำเสนอวิธีการใหม่ของโปรไฟล์
วงจรเรียงกระแส DC-ด้านในปัจจุบันโดยใช้แหล่งปัจจุบันวางอยู่ใน
แนวขนานกับแต่ละ rectifier สะพานหกชีพจรจะฉีดในปัจจุบัน
และรูปร่างเอาท์พุทวงจรเรียงกระแสในปัจจุบัน วิธีที่ง่ายต่อการ
ใช้และทำให้การใช้มาตรฐานที่แยกชุดเชื่อมต่อ
ประตูทรานซิสเตอร์สองขั้วหรือโลหะออกไซด์กึ่งตัวนำฟิลด์ผล
ทรานซิสเตอร์ (MOSFET) โมดูล ทรัพย์สินของผล
แหล่งที่มาในปัจจุบันคือการที่พวกเขาจะสามารถที่จะส่งมอบอำนาจในการ
โหลดเพื่อให้สามารถบูรณาการระบบการจัดเก็บพลังงาน
ในด้าน dc คะแนน VA จำเป็นต้องโปรไฟล์ปัจจุบันจะ
ลดลงอย่างมากโดยทางเลือกที่เหมาะสมของ DC-ด้าน LC กรอง
พารามิเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

งานวิจัยนี้ได้เสนอวิธีการใหม่ในโปรไฟล์
DC Side Rectifier ในปัจจุบัน โดยใช้แหล่งจ่ายกระแสไฟฟ้าอยู่ใน
ขนานกับแต่ละหกชีพจร rectifier สะพานฉีดปัจจุบัน
และรูปร่างแบบผลในปัจจุบัน วิธีการง่าย ๆ

ใช้และทำให้การใช้งานของชุดมาตรฐานเชื่อมต่อแยก
ประตูไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ หรือ field-effect
สารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์ทรานซิสเตอร์ ( MOSFET ) โมดูล คุณสมบัติของแหล่งที่เกิด
ปัจจุบันคือ ว่า พวกเขาจะสามารถที่จะส่งมอบอำนาจให้
โหลดให้สามารถบูรณาการระบบการจัดเก็บพลังงาน
บน DC ด้านข้าง การจัดอันดับ VA เป็นโปรไฟล์ปัจจุบัน
ลดลงอย่างมาก โดยทางเลือกที่เหมาะสมของ DC ด้าน LC กรอง

ค่า