the nanowire density in the dual la

the nanowire density in the dual layer structure substantially in
uences the transistor performance of polythiophene. This result
reveals the feasibility of incorporating nanostructured materials for

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความหนาแน่นของ nanowire ในชั้นสองโครงสร้างอย่างมาก inuences ประสิทธิภาพการทำงานของทรานซิสเตอร์ของ polythiophene ผลการค้นหานี้เผยให้เห็นความเป็นไปได้ของการผสมผสานวัสดุ nanostructured

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความหนาแน่นของเส้นลวดนาโนในโครงสร้างชั้นสองอย่างมีนัยสำคัญin
uences ประสิทธิภาพการทำงานของทรานซิสเตอร์ polythiophene ผลที่ได้นี้
แสดงให้เห็นความเป็นไปได้ของการผสมผสานวัสดุอิเล็กทรอนิคส์สำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ nanowire ความหนาแน่นในโครงสร้างแบบดูอัลเลเยอร์ในอย่างมากuences ทรานซิสเตอร์ประสิทธิภาพของพอลิไทโอฟีน . ผลที่ได้นี้พบความเป็นไปได้ของการผสมผสาน nanostructured วัสดุสำหรับ