Large-area and aligned copper oxide

Large-area and aligned copper oxide nanowires have been synthesized by thermal annealing of copper thin films deposited onto silicon substrate. The effects of the film deposition method, annealing temperature, film thickness, annealing gas, and patterning by photolithography are systematically investigated. Long and aligned nanowires can only be formed within a narrow temperature range from 400 to 500 °C. Electroplated copper film is favourable for the nanowire growth, compared to that deposited by thermal evaporation. Annealing copper thin film in static air produces large-area, uniform, but not well vertically aligned nanowires along the thin film surface. Annealing copper thin film under a N2/O2 gas flow generates vertically aligned, but not very uniform nanowires on large areas. Patterning copper thin film by photolithography helps to synthesize large-area, uniform, and vertically aligned nanowires along the film surface. The copper thin film is converted into bicrystal CuO nanowires, Cu2O film, and also perhaps some CuO film after the thermal treatment in static air. Only CuO in the form of bicrystal nanowires and thin film is observed after the copper thin film is annealed under a N2/O2 gas flow.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พื้นที่ขนาดใหญ่และ nanowires ออกไซด์ทองแดงวางได้ถูกสังเคราะห์ โดยการอบเหนียวระบายความร้อนของฟิล์มบางทองแดงฝากไว้บนพื้นผิวซิลิกอน ระบบจะตรวจสอบผลกระทบของวิธีของสะสมภาพยนตร์ อุณหภูมิ ความหนาของฟิล์ม การอบเหนียวก๊าซ และ patterning โดย photolithography การอบเหนียว ยาว และจัดตำแหน่ง nanowires เท่านั้นจะเกิดขึ้นภายในช่วงอุณหภูมิแคบตั้งแต่ 400 ถึง 500 องศาเซลเซียส ฟิล์มทองแดง electroplated มีดีเจริญ nanowire เมื่อเทียบกับที่ฝากเงิน โดยระเหยความร้อนขึ้น การอบเหนียวฟิล์มบางทองแดงในอากาศคงสร้าง พื้นที่ขนาดใหญ่ เครื่องแบบ แต่ไม่ดี nanowires ที่จัดตำแหน่งแนวตั้งตามพื้นผิวของฟิล์มบาง ฟิล์มบางทองแดงภายใต้การไหลก๊าซ N2/O2 การอบเหนียวสร้าง nanowires จัดตำแหน่งแนวตั้ง แต่ไม่มากเป็นรูปแบบบนพื้นที่ขนาดใหญ่ Patterning ฟิล์มบางทองแดง โดย photolithography ช่วยสังเคราะห์ พื้นที่ขนาดใหญ่ เครื่องแบบ และแนวตั้งชิด nanowires ตามพื้นผิวฟิล์ม ฟิล์มบางทองแดงจะถูกแปลงเป็น bicrystal CuO nanowires ฟิล์ม Cu2O และยังอาจบางฟิล์ม CuO หลังจากการรักษาความร้อนในอากาศคงที่ CuO เฉพาะในรูปแบบของ bicrystal nanowires และฟิล์มบางจะสังเกตหลังจากฟิล์มบางทองแดงเป็น annealed ภายใต้การไหลก๊าซ N2/O2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พื้นที่ขนาดใหญ่ และชิดทองแดงออกไซด์นาโนที่ถูกสังเคราะห์โดยการอบความร้อนของทองแดงฝากไว้บนฟิล์มบางซิลิคอน . ผลของการเคลือบฟิล์ม , วิธีอุณหภูมิการอบอ่อน ความหนาฟิล์ม , การอบก๊าซ และการเลียนแบบโดย 43 ตรวจสอบอย่างเป็นระบบยาวและสอดคล้องนาโนที่สามารถเกิดขึ้นภายในช่วงอุณหภูมิแคบๆ จาก 400 ถึง 500 องศาเซลเซียส  °ชุบทองแดงภาพยนตร์ที่ดีสำหรับ nanowire เติบโต เมื่อเทียบกับที่ฝากโดยความร้อนระเหย การหลอมทองแดงแบบฟิล์มบางในอากาศสร้างพื้นที่ขนาดใหญ่ , ชุด , แต่ไม่ได้ดีแนวตั้งชิดนาโนไปตามพื้นผิวฟิล์มบางการหลอมทองแดงชนิดฟิล์มบางภายใต้ N2 O2 / อัตราการไหลของแก๊สจะสร้างเรียงตามแนวตั้ง แต่ไม่มาก ชุดนาโน บนพื้นที่ขนาดใหญ่ แบบฟิล์มบางของทองแดงโดย 43 ช่วยสังเคราะห์เปิดตัว , ชุดนาโน และเรียงตามแนวตั้ง ตามพื้นผิวฟิล์ม ฟิล์มทองแดงบางแปลงเป็น 2 ( bicrystal นาโน cu2o , ภาพยนตร์และบางทีบาง 2 ( ภาพยนตร์หลังจากการรักษาความร้อนในแบบอากาศ 2 ( เฉพาะในรูปแบบของนาโน bicrystal และภาพยนตร์บางสังเกตหลังจากฟิล์มทองแดงบางอบใต้ 2 / O2 ก๊าซไหล