2. Experimental2.1. Photoelectrode

2. Experimental
2.1. Photoelectrode fabrication
The semiconductor oxide film containing copper (II), zinc (II) and tin (IV) cations, was electrochemically deposited on a 1.51.5cm fluorine-doped tin oxide (FTO) glass (SOLARONIX, the electrical resistance: 10 Ω/sq). Therefore, an aqueous solution containing 0.01M Cu2þ (CuSO45H2O; Fluka), 0.005M Zn2þ (ZnSO47H2O; Fluka), 0.01M Sn4þ (SnCl4; Alfa Aesar) and 2.35g/lit trisodium citrate (Na3C6H5O72H2O; Fluka) was first prepared. By applying a negative potential, chosen 1.05 VSCE [25];in this potential,all cations mentioned above can be simultaneously electrodeposited, a composite film was coated on the FTO substrate for 90min. The electrode (filmþsubstrate) was thereafter annealed in air atmosphere (823K, 4h). The deposition of Ag on the electrode surface was performed photochemically [26], by immersing the fabricated electrode into a silver nitrate (0.5mM) alcoholic solution (1:4 volumetric ratio of water to ethanol) and illumination with xenon light for one hour.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. ทดลอง2.1. Photoelectrode ประดิษฐ์film ออกไซด์สารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วยทองแดง (II), สังกะสี (II) และดีบุก (IV) เป็นของหา ยาก ถูกฝากบนแก้ว 1.5 1.5 ซม. fluorine doped ดีบุกออกไซด์ (FTO) electrochemically (SOLARONIX ความต้านทานไฟฟ้า: ตร. 10 Ω) ดังนั้น การละลายประกอบด้วย 0.01 M Cu2þ (CuSO4 5H2O Fluka), 0.005 M Zn2þ (ZnSO4 7H2O Fluka), 0.01 M Sn4þ (SnCl4 อัลฟาโรเม Aesar) และ 2.35 แสน g/สว่าง trisodium ซิเตรต (Na3C6H5O7 2H2O Fluka) first ที่เตรียมได้ โดยการใช้ศักยภาพเชิงลบ เลือก 1.05 VSCE [25] ในโอกาสนี้ เป็นของหายากทั้งหมดที่กล่าวข้างต้นสามารถจะ electrodeposited กัน film คอมโพสิตที่เคลือบบนพื้นผิวของ FTO สำหรับ 90 นาที อิเล็กโทรด (filmþsubstrate) ได้หลังจากนั้น annealed ในโล่ง (823K, 4h) สะสมของ Ag บนพื้นผิวอิเล็กโทรดทำ photochemically [26], โดยแช่อิเล็กโทรดที่ประกอบเป็นโซลูชันที่ซิลเวอร์ไนเตรต (0.5 mM) แอลกอฮอล์ (1:4 volumetric อัตราส่วนน้ำกับเอทานอล) และรัศมีกับซีนอนไฟเป็นเวลาหนึ่งชั่วโมง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . ทดลอง
2.1 . photoelectrode ผลิตสารกึ่งตัวนำออกไซด์
จึง LM ผสมทองแดง ( II ) , สังกะสี ( II ) และดีบุก ( IV ) ที่มีเป็น electrochemically ฝากไว้บน 1.5  1.5cm fl uorine เจือดีบุกออกไซด์ ( FTO ) แก้ว ( โซลาร์โรนิซ , ความต้านทาน : 10 Ω / ตารางเมตร ) ดังนั้น เป็นสารละลายที่มี 0.01m CU2 þ ( CuSO4  อิเล็ก ; fluka ) 0.005m zn2 þ ( znso4  7h2o ; fluka ) 0.01m sn4 þ ( sncl4 ;อัลฟ่า aesar ) และ 2.35g/lit ไตรโซเดียมซิเตรต ( na3c6h5o7  2H2O-dx ; fluka ) จึงตัดสินใจเดินทางไปเตรียมตัว โดยการใช้ศักยภาพด้านลบ เลือก  1.05 vsce [ 25 ] ; ในเรื่องนี้ อาจทำให้ทั้งหมดที่กล่าวข้างต้นสามารถพร้อมกันด้วยไฟฟ้า , LM จึงผสมเคลือบบนพื้นผิว FTO สำหรับออนไลน์ อิเล็กโทรด ( จึงþ LM ( ) คือหลังจากนั้นอบในบรรยากาศอากาศ ( 823k 4H , )การสะสมของ AG บนพื้นผิวขั้วไฟฟ้าคือใช้ photochemically [ 26 ] โดยแช่ประดิษฐ์ขั้วไฟฟ้าเป็นซิลเวอร์ไนเทรต ( 0.5mm ) สารละลายในแอลกอฮอล์ ( 1 : 4 โดยปริมาตร อัตราส่วนของน้ำและเอทานอล ) ส่องสว่างด้วยไฟซีนอน
เป็นเวลาหนึ่งชั่วโมง