To investigate the packaging effect

To investigate the packaging effect on the sensing characteristics of the pressure sensor,
characterization comparisons between unpackaged pressure sensor and packaged pressure sensors
were conducted for both packaging approaches. Due to the different manufacturing lots of the pressure
sensor wafers, the silicon membrane thickness of the pressure sensors are 20 and 30 μm for the damring
and sacrifice-replacement approaches, respectively. Figure 10 shows the signal output comparison
between the unpackaged and packaged pressure sensors under various temperature and pressure loadings. A signal output difference between the packaged and the unpackaged pressure sensors is
observed, as shown in Figure 10(a). Due to the shrinkage characteristics of the molding compound
material during the post-molding curing process, a silicon membrane surface of the pressure sensor has
a compression stress distribution, inducing a signal output shift. Besides, the original resistance of the
four piezoresistors varies from chip to chip. That is one of the possible causes of the signal output shift
of the packaged pressure sensor. However, the packaged pressure sensor has a similar response trend
with that of the unpackaged pressure sensor at room temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การตรวจสอบผลกระทบต่อการบรรจุภัณฑ์ลักษณะตรวจจับของเซ็นเซอร์ความดันเปรียบเทียบลักษณะระหว่างเซนเซอร์ผนึกและเซนเซอร์ความดันบรรจุได้ดำเนินการสำหรับทั้งสองวิธีบรรจุภัณฑ์ เนื่องจากแรงดันจำนวนมากการผลิตแตกต่างกัน20 และ 30 ไมครอนสำหรับ damring มีเซนเซอร์เว ความหนาเยื่อหุ้มซิลิโคนของเซ็นเซอร์แรงดันและเสียสละแทน วิธี ตามลำดับ รูปที่ 10 แสดงการเปรียบเทียบสัญญาณเอาท์พุทระหว่างเซนเซอร์ความดันในบรรจุภัณฑ์ และบรรจุภัณฑ์ภายใต้อุณหภูมิและความดัน loadings ต่าง ๆ เป็นเอาท์พุทสัญญาณความแตกต่างระหว่างการบรรจุและผนึกความดันเซ็นเซอร์สังเกต ดังที่แสดงในรูป 10(a) ลักษณะการหดตัวของพลาสติกผสมวัสดุระหว่างการบ่มขึ้นหลัง ซิลิโคนผิวเมมเบรนของเซ็นเซอร์ความดันมีการบีบอัดความเครียดกระจาย ชักกะสัญญาณเอาท์พุท นอกเหนือจาก ความต้านทานเดิมของการpiezoresistors สี่ชิชิแตกต่างกันไป ที่เป็นสาเหตุของการเปลี่ยนแปลงการแสดงผลสัญญาณอย่างใดอย่างหนึ่งเซนเซอร์ความดันบรรจุ อย่างไรก็ตาม เซ็นเซอร์ความดันบรรจุมีแนวโน้มการตอบสนองคล้ายกับที่ของเซ็นเซอร์ความดันผนึกที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อศึกษาผลบรรจุภัณฑ์ในลักษณะการตรวจจับของเซ็นเซอร์ความดัน,
การเปรียบเทียบลักษณะระหว่างเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มและเซ็นเซอร์ความดันบรรจุ
ได้ดำเนินการสำหรับทั้งวิธีการบรรจุภัณฑ์ เนื่องจากการผลิตที่แตกต่างกันจำนวนมากของความดัน
เวเฟอร์เซ็นเซอร์ความหนาของเยื่อหุ้มซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันที่มี 20 และ 30 ไมโครเมตรสำหรับ damring
และการเสียสละทดแทนวิธีการตามลำดับ รูปที่ 10 แสดงให้เห็นถึงการเปรียบเทียบสัญญาณ
ระหว่างเซนเซอร์ความดันห่อหุ้มและบรรจุภายใต้อุณหภูมิและความดันแรงต่างๆ ความแตกต่างระหว่างสัญญาณบรรจุและเซนเซอร์ความดันห่อหุ้มเป็น
ข้อสังเกตดังแสดงในรูปที่ 10 (ก) เนื่องจากลักษณะการหดตัวของการปั้นผสม
วัสดุในระหว่างกระบวนการบ่มโพสต์ปั้นพื้นผิวเมมเบรนซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันมี
การกระจายความเครียดการบีบอัดการกระตุ้นให้เกิดการเปลี่ยนแปลงสัญญาณ นอกจากนี้ความต้านทานเดิมของ
สี่ piezoresistors แตกต่างจากชิปชิป นั่นคือหนึ่งในสาเหตุที่เป็นไปได้ของการเปลี่ยนสัญญาณ
ของเซ็นเซอร์ความดันบรรจุ อย่างไรก็ตามเซ็นเซอร์ความดันบรรจุมีแนวโน้มตอบสนองที่คล้าย
กับที่ของเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อศึกษาลักษณะของการบรรจุภัณฑ์มีผลต่อความดันเซ็นเซอร์การศึกษาเปรียบเทียบระหว่างแรงดันยกเลิกการบรรจุและการบรรจุเซนเซอร์ความดันได้ดำเนินการทั้งบรรจุภัณฑ์แนว เนื่องจากความแตกต่างของความดันมาก ผลิตเซ็นเซอร์เวเฟอร์ซิลิคอนแผ่นความหนาของเซ็นเซอร์ความดันที่ 20 และ 30 μ M สำหรับ damringและเสียสละ แทนวิธีการตามลำดับ รูปที่ 10 แสดงสัญญาณการเปรียบเทียบระหว่างการยกเลิกการบรรจุและการบรรจุเซนเซอร์ความดันภายใต้อุณหภูมิต่างๆและภาระความกดดัน สัญญาณ Output ความแตกต่างระหว่างแพคเกจ และเซ็นเซอร์ความดันยกเลิกการบรรจุคือสังเกต ดังแสดงในรูปที่ 10 ( ) เนื่องจากการหดตัว ลักษณะของการฝึกผสมโพสต์รูปวัสดุระหว่างขั้นตอนการบ่ม , ซิลิคอนแผ่นพื้นผิวของเซ็นเซอร์ได้การกระจายความเค้น , กระตุ้นสัญญาณออกกะ นอกจากนี้ความต้านทานต้นฉบับของ4 piezoresistors แตกต่างไปจากชิปต่อชิป ที่เป็นหนึ่งในสาเหตุที่เป็นไปได้ของสัญญาณเปลี่ยนของแพคเกจความดันเซ็นเซอร์ อย่างไรก็ตาม แรงกดดันที่บรรจุเซนเซอร์มีแนวโน้มการตอบสนองที่คล้ายกันกับที่ของเซ็นเซอร์ความดันยกเลิกการบรรจุที่อุณหภูมิห้อง