- ข้อความ
- ประวัติศาสตร์
FREQUENCY TUNABLEOSCILLATORSWideban
FREQUENCY TUNABLE
OSCILLATORS
Wideband tunable oscillators are
necessary components for ECM, ESM
and test instrumentation, as well as
many communication systems. These
are characterized by the tuning bandwidth
and linearity, phase noise, settling
time and post tuning drift. The
needs for the specific characteristics
depend upon the application. Compromises
are called for in view of the
fact that all of these parameters cannot
be achieved using a single technology
or technique. In order to achieve
oscillations over a wideband the active
device needs to possess negative resistance
over the band and the frequency
tuning element needs to tune over the
band. Design techniques are then
used to satisfy oscillation conditions
over the band while optimizing one or
more desired parameters. Phase noise
being a function of the carrier frequency
and tuning bandwidth, care
should be taken while comparing frequency
tunable oscillators.
Varactor-tuned oscillators are voltage-tuned
oscillators utilizing Si or
GaAs varactors, typically a metal ntype
schottky barrier, in association
with the active device to generate signals
over a wideband. With the available
technology a little more than octave
band oscillators have been reported
up to Ku-band using multiple
varactors.10 At lower frequencies it is
more practical to achieve an octave
band. VCOs based on discrete devices
have demonstrated more than octave
bands with excellent phase noise up to
4 GHz. Silicon bipolar devices are the
devices of choice due to their lower 1/f
noise and corner frequency and are
commonly used for VCOs up to
X-band. Using a low noise silicon
bipolar transistor with a 10 GHz ft and
40 GHz fmax process and a silicon hyperabrupt
varactor diode, a narrowband
VCO was reported at 10 GHz
with phase noise of –112 dBc/Hz at
100 kHz offset.12 GaAs FET devices
offer wideband oscillations up to mmwave
frequencies with degraded phase
noise. Another technique to achieve
low noise wideband signal generation
at higher frequencies is the use of
push-push oscillators. VCOs covering
9 to 18 GHz have been demonstrated
using silicon bipolar devices.10 VCOs
exceeding octave bandwidth have
been recently developed using coupled
push-push technology. Phase
noise of –118 dBc/Hz at 100 kHz offset
was reported at 4 GHz in a 3 to 6
GHz VCO.11
Frequency settling time is another
important characteristic required in
certain military systems as well as in
test instruments. This represents the
speed and accuracy with which the oscillator
frequency can be changed. Silicon
devices once again shine in realizing
fast settling VCOs. Using silicon
bipolar transistors with silicon varactor
diodes, settling times of better than 1
µs (for the frequency to be within 1
MHz) have been demonstrated at Kuband.13
In applications requiring fast
on and off VCO switching, a technique
of quenching the negative resistance
instead of switching the bias on and off
has demonstrated switching times of
better than 1 µs.14
YIG-tuned oscillators (YTO) are
used in test and measurements as
well as in wideband military systems
requiring multi-octave bands of tuning.
YTOs are oscillators of choice
when wideband tuning, high tuning
linearity and good phase noise are simultaneously
required. These oscillators
utilize a yittrium iron garnet
(YIG) (Y3Fe5O11) spherical resonator
placed between two poles of a cylindrically
re-entrant electromagnet.
The resonant frequency of the YIG
resonator in a uniform magnetic field
is a linear function of the magnetic
field strength. YIG resonators offer a
very high Q (> 4000 at 10 GHz),
which linearly increases with frequency.
The practical usable frequency
range of YTO is between 2 and 50
GHz. While the higher frequency is
limited by the magnet saturation and
high power dissipation, the lower limit
is governed by the saturation magnetization
4πMs.
In view of the wideband nature of
these oscillators, active devices in the
negative resistance configuration
have been generally used. Using a
low noise silicon bipolar transistor
and a novel composite feedback architecture
in which double coupling
the YIG sphere as a series feedback
for higher frequencies and as a parallel
feedback for lower frequencies, a
tuning range of 2 to 22 GHz has been
achieved with a phase noise of better
than –130 dBc/Hz at 100 kHz at 10
GHz.15 At higher frequencies, using a
single GaAs FET and a single YIG
sphere frequency range coverage of
20 to 40 GHz was reported with a
phase noise of better than –100
dBc/Hz at 100 kHz at 40 GHz.16
YTOs have been commercially available
up to 50 GHz. In practice it is
becoming more common to achieve
mm-wave frequencies by using
MMIC frequency doublers with low
OSCILLATORS
Wideband tunable oscillators are
necessary components for ECM, ESM
and test instrumentation, as well as
many communication systems. These
are characterized by the tuning bandwidth
and linearity, phase noise, settling
time and post tuning drift. The
needs for the specific characteristics
depend upon the application. Compromises
are called for in view of the
fact that all of these parameters cannot
be achieved using a single technology
or technique. In order to achieve
oscillations over a wideband the active
device needs to possess negative resistance
over the band and the frequency
tuning element needs to tune over the
band. Design techniques are then
used to satisfy oscillation conditions
over the band while optimizing one or
more desired parameters. Phase noise
being a function of the carrier frequency
and tuning bandwidth, care
should be taken while comparing frequency
tunable oscillators.
Varactor-tuned oscillators are voltage-tuned
oscillators utilizing Si or
GaAs varactors, typically a metal ntype
schottky barrier, in association
with the active device to generate signals
over a wideband. With the available
technology a little more than octave
band oscillators have been reported
up to Ku-band using multiple
varactors.10 At lower frequencies it is
more practical to achieve an octave
band. VCOs based on discrete devices
have demonstrated more than octave
bands with excellent phase noise up to
4 GHz. Silicon bipolar devices are the
devices of choice due to their lower 1/f
noise and corner frequency and are
commonly used for VCOs up to
X-band. Using a low noise silicon
bipolar transistor with a 10 GHz ft and
40 GHz fmax process and a silicon hyperabrupt
varactor diode, a narrowband
VCO was reported at 10 GHz
with phase noise of –112 dBc/Hz at
100 kHz offset.12 GaAs FET devices
offer wideband oscillations up to mmwave
frequencies with degraded phase
noise. Another technique to achieve
low noise wideband signal generation
at higher frequencies is the use of
push-push oscillators. VCOs covering
9 to 18 GHz have been demonstrated
using silicon bipolar devices.10 VCOs
exceeding octave bandwidth have
been recently developed using coupled
push-push technology. Phase
noise of –118 dBc/Hz at 100 kHz offset
was reported at 4 GHz in a 3 to 6
GHz VCO.11
Frequency settling time is another
important characteristic required in
certain military systems as well as in
test instruments. This represents the
speed and accuracy with which the oscillator
frequency can be changed. Silicon
devices once again shine in realizing
fast settling VCOs. Using silicon
bipolar transistors with silicon varactor
diodes, settling times of better than 1
µs (for the frequency to be within 1
MHz) have been demonstrated at Kuband.13
In applications requiring fast
on and off VCO switching, a technique
of quenching the negative resistance
instead of switching the bias on and off
has demonstrated switching times of
better than 1 µs.14
YIG-tuned oscillators (YTO) are
used in test and measurements as
well as in wideband military systems
requiring multi-octave bands of tuning.
YTOs are oscillators of choice
when wideband tuning, high tuning
linearity and good phase noise are simultaneously
required. These oscillators
utilize a yittrium iron garnet
(YIG) (Y3Fe5O11) spherical resonator
placed between two poles of a cylindrically
re-entrant electromagnet.
The resonant frequency of the YIG
resonator in a uniform magnetic field
is a linear function of the magnetic
field strength. YIG resonators offer a
very high Q (> 4000 at 10 GHz),
which linearly increases with frequency.
The practical usable frequency
range of YTO is between 2 and 50
GHz. While the higher frequency is
limited by the magnet saturation and
high power dissipation, the lower limit
is governed by the saturation magnetization
4πMs.
In view of the wideband nature of
these oscillators, active devices in the
negative resistance configuration
have been generally used. Using a
low noise silicon bipolar transistor
and a novel composite feedback architecture
in which double coupling
the YIG sphere as a series feedback
for higher frequencies and as a parallel
feedback for lower frequencies, a
tuning range of 2 to 22 GHz has been
achieved with a phase noise of better
than –130 dBc/Hz at 100 kHz at 10
GHz.15 At higher frequencies, using a
single GaAs FET and a single YIG
sphere frequency range coverage of
20 to 40 GHz was reported with a
phase noise of better than –100
dBc/Hz at 100 kHz at 40 GHz.16
YTOs have been commercially available
up to 50 GHz. In practice it is
becoming more common to achieve
mm-wave frequencies by using
MMIC frequency doublers with low
0/5000
ความถี่ TUNABLEOSCILLATORSWideband tunable oscillators จะส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ ECM, ESMและทดสอบเครื่องมือวัด เป็นระบบการสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะ โดยแบนด์วิดท์ที่ปรับแต่งและแบบดอกไม้ ระยะเสียง ชำระเวลาและลงปรับดริฟท์ ที่ความต้องการคุณลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับโปรแกรมประยุกต์ รับเรียกว่าสำหรับในมุมมองของการความจริงที่ว่า ทั้งหมดของพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแกว่งผ่าน wideband ใช้งานอยู่อุปกรณ์ที่จำเป็นต้องมีความต้านทานเชิงลบวงและความถี่ปรับแต่งองค์ประกอบต้องปรับไปวงดนตรี เทคนิคการออกแบบอยู่แล้วใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขสั่นกว่าวงในขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพหนึ่ง หรือเพิ่มเติมต้องพารามิเตอร์ ระยะเสียงเป็นฟังก์ชันของความถี่ในการขนส่งและปรับค่าแบนด์วิดธ์ การดูแลควรดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่tunable oscillatorsปรับ varactor oscillators จะปรับแรงดันไฟฟ้าใช้ซี oscillators หรือGaAs varactors โดยทั่วไปโลหะชนิดอุปสรรค schottky เชื่อมโยงกับอุปกรณ์ที่ใช้งานอยู่เพื่อสร้างสัญญาณกว่าแบบ wideband มีที่ว่างเทคโนโลยีได้น้อยกว่าอ็อกเทฟรายงาน oscillators วงถึงเคยูแบนด์โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำที่เป็นปฏิบัติเพิ่มเติมเพื่อให้บรรลุการอ็อกเทฟวงดนตรี VCOs ตามอุปกรณ์ที่แยกกันมีแสดงมากกว่าอ็อกเทฟวง มีเสียงระยะดีขึ้น4 GHz. Silicon bipolar devices are thedevices of choice due to their lower 1/fnoise and corner frequency and arecommonly used for VCOs up toX-band. Using a low noise siliconbipolar transistor with a 10 GHz ft and40 GHz fmax process and a silicon hyperabruptvaractor diode, a narrowbandVCO was reported at 10 GHzwith phase noise of –112 dBc/Hz at100 kHz offset.12 GaAs FET devicesoffer wideband oscillations up to mmwavefrequencies with degraded phasenoise. Another technique to achievelow noise wideband signal generationat higher frequencies is the use ofpush-push oscillators. VCOs covering9 to 18 GHz have been demonstratedusing silicon bipolar devices.10 VCOsexceeding octave bandwidth havebeen recently developed using coupledpush-push technology. Phasenoise of –118 dBc/Hz at 100 kHz offsetwas reported at 4 GHz in a 3 to 6GHz VCO.11Frequency settling time is anotherimportant characteristic required incertain military systems as well as intest instruments. This represents thespeed and accuracy with which the oscillatorfrequency can be changed. Silicondevices once again shine in realizingfast settling VCOs. Using siliconbipolar transistors with silicon varactordiodes, settling times of better than 1µs (for the frequency to be within 1MHz) have been demonstrated at Kuband.13In applications requiring faston and off VCO switching, a techniqueof quenching the negative resistanceinstead of switching the bias on and offhas demonstrated switching times of
better than 1 µs.14
YIG-tuned oscillators (YTO) are
used in test and measurements as
well as in wideband military systems
requiring multi-octave bands of tuning.
YTOs are oscillators of choice
when wideband tuning, high tuning
linearity and good phase noise are simultaneously
required. These oscillators
utilize a yittrium iron garnet
(YIG) (Y3Fe5O11) spherical resonator
placed between two poles of a cylindrically
re-entrant electromagnet.
The resonant frequency of the YIG
resonator in a uniform magnetic field
is a linear function of the magnetic
field strength. YIG resonators offer a
very high Q (> 4000 at 10 GHz),
which linearly increases with frequency.
The practical usable frequency
range of YTO is between 2 and 50
GHz. While the higher frequency is
limited by the magnet saturation and
high power dissipation, the lower limit
is governed by the saturation magnetization
4πMs.
In view of the wideband nature of
these oscillators, active devices in the
negative resistance configuration
have been generally used. Using a
low noise silicon bipolar transistor
and a novel composite feedback architecture
in which double coupling
the YIG sphere as a series feedback
for higher frequencies and as a parallel
feedback for lower frequencies, a
tuning range of 2 to 22 GHz has been
achieved with a phase noise of better
than –130 dBc/Hz at 100 kHz at 10
GHz.15 At higher frequencies, using a
single GaAs FET and a single YIG
sphere frequency range coverage of
20 to 40 GHz was reported with a
phase noise of better than –100
dBc/Hz at 100 kHz at 40 GHz.16
YTOs have been commercially available
up to 50 GHz. In practice it is
becoming more common to achieve
mm-wave frequencies by using
MMIC frequency doublers with low
better than 1 µs.14
YIG-tuned oscillators (YTO) are
used in test and measurements as
well as in wideband military systems
requiring multi-octave bands of tuning.
YTOs are oscillators of choice
when wideband tuning, high tuning
linearity and good phase noise are simultaneously
required. These oscillators
utilize a yittrium iron garnet
(YIG) (Y3Fe5O11) spherical resonator
placed between two poles of a cylindrically
re-entrant electromagnet.
The resonant frequency of the YIG
resonator in a uniform magnetic field
is a linear function of the magnetic
field strength. YIG resonators offer a
very high Q (> 4000 at 10 GHz),
which linearly increases with frequency.
The practical usable frequency
range of YTO is between 2 and 50
GHz. While the higher frequency is
limited by the magnet saturation and
high power dissipation, the lower limit
is governed by the saturation magnetization
4πMs.
In view of the wideband nature of
these oscillators, active devices in the
negative resistance configuration
have been generally used. Using a
low noise silicon bipolar transistor
and a novel composite feedback architecture
in which double coupling
the YIG sphere as a series feedback
for higher frequencies and as a parallel
feedback for lower frequencies, a
tuning range of 2 to 22 GHz has been
achieved with a phase noise of better
than –130 dBc/Hz at 100 kHz at 10
GHz.15 At higher frequencies, using a
single GaAs FET and a single YIG
sphere frequency range coverage of
20 to 40 GHz was reported with a
phase noise of better than –100
dBc/Hz at 100 kHz at 40 GHz.16
YTOs have been commercially available
up to 50 GHz. In practice it is
becoming more common to achieve
mm-wave frequencies by using
MMIC frequency doublers with low
การแปล กรุณารอสักครู่..
ความถี่พริ้ง
Oscillators
Wideband oscillators
พริ้งเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับECM, ESM และเครื่องมือการทดสอบเช่นเดียวกับระบบการสื่อสารจำนวนมาก เหล่านี้มีลักษณะแบนด์วิดธ์ปรับและเชิงเส้นเสียงเฟสปักหลักเวลาและจูนโพสต์ดริฟท์ ความต้องการสำหรับลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับการประยุกต์ใช้ การประนีประนอมจะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของความจริงที่ว่าทุกพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแนบแน่นกว่า wideband ใช้งานอุปกรณ์ที่ต้องการที่จะมีความต้านทานเชิงลบมากกว่าวงดนตรีและความถี่องค์ประกอบการปรับแต่งความต้องการที่จะปรับในช่วงวง เทคนิคการออกแบบแล้วนำมาใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขการสั่นมากกว่าวงในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือพารามิเตอร์ที่ต้องการมากขึ้น เฟสเสียงเป็นหน้าที่ของความถี่ที่และแบนด์วิดธ์จูน, การดูแลจะต้องดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่oscillators พริ้ง. oscillators Varactor ปรับเป็นแรงดันปรับoscillators ใช้ศรีหรือGaAs varactors มักจะเป็นโลหะ ntype อุปสรรค Schottky ในการเชื่อมโยงกับการใช้งานอุปกรณ์ในการสร้างสัญญาณมากกว่า wideband ด้วยการที่มีเทคโนโลยีน้อยกว่าคู่oscillators วงดนตรีที่ได้รับรายงานถึงKu-band โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำมันเป็นจริงมากขึ้นเพื่อให้บรรลุแหลมวง VCOs ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ไม่ต่อเนื่องได้แสดงให้เห็นมากกว่าคู่วงดนตรีกับเสียงเฟสที่ดีเยี่ยมถึง4 GHz อุปกรณ์สองขั้วซิลิกอนเป็นอุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดของพวกเขา 1 / f เสียงและความถี่ในมุมและมีการใช้กันทั่วไปสำหรับ VCOs ถึง X-band การใช้เสียงต่ำซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ GHz 10 ฟุตและ 40 GHz กระบวนการ fmax และซิลิกอน hyperabrupt varactor ไดโอดเป็น narrowband VCO มีรายงานที่ 10 GHz กับเสียงขั้นตอนของการ -112 dBc / Hz ที่100 เฮิร์ทซ์ offset.12 อุปกรณ์ GaAs FET ให้แนบแน่น wideband ถึง mmwave ความถี่ที่มีขั้นตอนการเสื่อมโทรมเสียง อีกเทคนิคหนึ่งที่จะบรรลุเสียงต่ำ wideband รุ่นสัญญาณที่ความถี่สูงคือการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุม9-18 GHz ได้รับการแสดงให้เห็นถึงการใช้VCOs devices.10 สองขั้วซิลิกอนเกินแบนด์วิดธ์คู่ได้รับการพัฒนาเมื่อเร็วๆ นี้โดยใช้ควบคู่เทคโนโลยีการผลักดันการผลักดัน เฟสเสียง -118 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ชดเชยมีรายงานที่4 GHz ใน 3-6 GHz VCO.11 ความถี่ปักหลักเวลาเป็นอีกหนึ่งลักษณะที่สำคัญจำเป็นต้องใช้ในระบบทหารบางอย่างเช่นเดียวกับในใช้ในการทดสอบ นี้แสดงให้เห็นถึงความเร็วและความแม่นยำที่มือดีความถี่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ ซิลิคอนอุปกรณ์ส่องอีกครั้งในการตระหนักถึงอย่างรวดเร็วปักหลักVCOs การใช้ซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ varactor ซิลิกอนไดโอดปักหลักเวลาของดีกว่า1 ไมโครวินาที (สำหรับความถี่ที่จะได้ภายใน 1 MHz) ได้รับการแสดงให้เห็นถึง Kuband.13 ในงานที่ต้องการได้อย่างรวดเร็วและปิดสลับ VCO เทคนิคการดับความต้านทานเชิงลบแทนการเปลี่ยนอคติและปิดได้แสดงให้เห็นช่วงเวลาของการเปลี่ยนที่ดีกว่า1 μs.14 oscillators YIG แต่ง (YTO) จะถูกใช้ในการทดสอบและการวัดเป็นเดียวกับในระบบทหารwideband ต้องวงดนตรีหลายคู่ของจูน. YTOs มี oscillators ของทางเลือกเมื่อจูนสัญญาณปรับสูงเชิงเส้นและเสียงรบกวนขั้นตอนที่ดีไปพร้อมๆ กันต้อง oscillators เหล่านี้ใช้เหล็กyittrium โกเมน(YIG) (Y3Fe5O11) ไอเสียทรงกลมวางอยู่ระหว่างสองขั้วของcylindrically แม่เหล็กไฟฟ้าใหม่เข้า. ความถี่จังหวะของ YIG สะท้อนในสนามแม่เหล็กสม่ำเสมอเป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของแม่เหล็กความแรงของสนาม resonators YIG มีคิวสูงมาก (> 4000 10 GHz) ซึ่งเป็นเส้นตรงเพิ่มขึ้นกับความถี่. ความถี่ที่ใช้งานได้ในทางปฏิบัติในช่วงของ YTO อยู่ระหว่าง 2 และ 50 GHz ในขณะที่ความถี่สูงจะถูกจำกัด โดยความอิ่มตัวของแม่เหล็กและกระจายอำนาจสูงวงเงินที่ต่ำกว่าจะเป็นไปตามการสะกดจิตอิ่มตัว4πMs. ในมุมมองของธรรมชาติ wideband ของoscillators เหล่านี้อุปกรณ์ที่ใช้งานในการกำหนดค่าความต้านทานเชิงลบที่มีการใช้โดยทั่วไป การใช้เสียงต่ำทรานซิสเตอร์สองขั้วซิลิกอนและสถาปัตยกรรมความคิดเห็นคอมโพสิตนวนิยายที่มีเพศสัมพันธ์คู่ทรงกลมYIG เป็นข้อเสนอแนะชุดความถี่ที่สูงขึ้นและเป็นขนานข้อเสนอแนะสำหรับความถี่ต่ำซึ่งเป็นช่วงปรับ2-22 GHz ได้รับการประสบความสำเร็จกับขั้นตอนเสียงที่ดีขึ้นกว่า -130 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 10 GHz.15 ที่ความถี่ที่สูงขึ้นโดยใช้FET GaAs เดียวและ YIG เดียวคุ้มครองช่วงความถี่ทรงกลมของ20 ถึง 40 GHz มีรายงานด้วยเสียงขั้นตอนของการดีกว่า-100 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 40 GHz.16 YTOs ได้รับการบริการในเชิงพาณิชย์ได้ถึง50 GHz ในทางปฏิบัติมันจะกลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นเพื่อให้บรรลุความถี่คลื่นมิลลิเมตรโดยใช้doublers MMIC ความถี่ที่มีระดับต่ำ
Oscillators
Wideband oscillators
พริ้งเป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับECM, ESM และเครื่องมือการทดสอบเช่นเดียวกับระบบการสื่อสารจำนวนมาก เหล่านี้มีลักษณะแบนด์วิดธ์ปรับและเชิงเส้นเสียงเฟสปักหลักเวลาและจูนโพสต์ดริฟท์ ความต้องการสำหรับลักษณะเฉพาะขึ้นอยู่กับการประยุกต์ใช้ การประนีประนอมจะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของความจริงที่ว่าทุกพารามิเตอร์เหล่านี้ไม่สามารถทำได้โดยใช้เทคโนโลยีเดียวหรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุแนบแน่นกว่า wideband ใช้งานอุปกรณ์ที่ต้องการที่จะมีความต้านทานเชิงลบมากกว่าวงดนตรีและความถี่องค์ประกอบการปรับแต่งความต้องการที่จะปรับในช่วงวง เทคนิคการออกแบบแล้วนำมาใช้เพื่อตอบสนองเงื่อนไขการสั่นมากกว่าวงในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือพารามิเตอร์ที่ต้องการมากขึ้น เฟสเสียงเป็นหน้าที่ของความถี่ที่และแบนด์วิดธ์จูน, การดูแลจะต้องดำเนินการในขณะที่เปรียบเทียบความถี่oscillators พริ้ง. oscillators Varactor ปรับเป็นแรงดันปรับoscillators ใช้ศรีหรือGaAs varactors มักจะเป็นโลหะ ntype อุปสรรค Schottky ในการเชื่อมโยงกับการใช้งานอุปกรณ์ในการสร้างสัญญาณมากกว่า wideband ด้วยการที่มีเทคโนโลยีน้อยกว่าคู่oscillators วงดนตรีที่ได้รับรายงานถึงKu-band โดยใช้หลายvaractors.10 ที่ความถี่ต่ำมันเป็นจริงมากขึ้นเพื่อให้บรรลุแหลมวง VCOs ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ไม่ต่อเนื่องได้แสดงให้เห็นมากกว่าคู่วงดนตรีกับเสียงเฟสที่ดีเยี่ยมถึง4 GHz อุปกรณ์สองขั้วซิลิกอนเป็นอุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดของพวกเขา 1 / f เสียงและความถี่ในมุมและมีการใช้กันทั่วไปสำหรับ VCOs ถึง X-band การใช้เสียงต่ำซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ GHz 10 ฟุตและ 40 GHz กระบวนการ fmax และซิลิกอน hyperabrupt varactor ไดโอดเป็น narrowband VCO มีรายงานที่ 10 GHz กับเสียงขั้นตอนของการ -112 dBc / Hz ที่100 เฮิร์ทซ์ offset.12 อุปกรณ์ GaAs FET ให้แนบแน่น wideband ถึง mmwave ความถี่ที่มีขั้นตอนการเสื่อมโทรมเสียง อีกเทคนิคหนึ่งที่จะบรรลุเสียงต่ำ wideband รุ่นสัญญาณที่ความถี่สูงคือการใช้oscillators ผลักดันผลักดัน VCOs ครอบคลุม9-18 GHz ได้รับการแสดงให้เห็นถึงการใช้VCOs devices.10 สองขั้วซิลิกอนเกินแบนด์วิดธ์คู่ได้รับการพัฒนาเมื่อเร็วๆ นี้โดยใช้ควบคู่เทคโนโลยีการผลักดันการผลักดัน เฟสเสียง -118 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ชดเชยมีรายงานที่4 GHz ใน 3-6 GHz VCO.11 ความถี่ปักหลักเวลาเป็นอีกหนึ่งลักษณะที่สำคัญจำเป็นต้องใช้ในระบบทหารบางอย่างเช่นเดียวกับในใช้ในการทดสอบ นี้แสดงให้เห็นถึงความเร็วและความแม่นยำที่มือดีความถี่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ ซิลิคอนอุปกรณ์ส่องอีกครั้งในการตระหนักถึงอย่างรวดเร็วปักหลักVCOs การใช้ซิลิกอนทรานซิสเตอร์สองขั้วกับ varactor ซิลิกอนไดโอดปักหลักเวลาของดีกว่า1 ไมโครวินาที (สำหรับความถี่ที่จะได้ภายใน 1 MHz) ได้รับการแสดงให้เห็นถึง Kuband.13 ในงานที่ต้องการได้อย่างรวดเร็วและปิดสลับ VCO เทคนิคการดับความต้านทานเชิงลบแทนการเปลี่ยนอคติและปิดได้แสดงให้เห็นช่วงเวลาของการเปลี่ยนที่ดีกว่า1 μs.14 oscillators YIG แต่ง (YTO) จะถูกใช้ในการทดสอบและการวัดเป็นเดียวกับในระบบทหารwideband ต้องวงดนตรีหลายคู่ของจูน. YTOs มี oscillators ของทางเลือกเมื่อจูนสัญญาณปรับสูงเชิงเส้นและเสียงรบกวนขั้นตอนที่ดีไปพร้อมๆ กันต้อง oscillators เหล่านี้ใช้เหล็กyittrium โกเมน(YIG) (Y3Fe5O11) ไอเสียทรงกลมวางอยู่ระหว่างสองขั้วของcylindrically แม่เหล็กไฟฟ้าใหม่เข้า. ความถี่จังหวะของ YIG สะท้อนในสนามแม่เหล็กสม่ำเสมอเป็นฟังก์ชันเชิงเส้นของแม่เหล็กความแรงของสนาม resonators YIG มีคิวสูงมาก (> 4000 10 GHz) ซึ่งเป็นเส้นตรงเพิ่มขึ้นกับความถี่. ความถี่ที่ใช้งานได้ในทางปฏิบัติในช่วงของ YTO อยู่ระหว่าง 2 และ 50 GHz ในขณะที่ความถี่สูงจะถูกจำกัด โดยความอิ่มตัวของแม่เหล็กและกระจายอำนาจสูงวงเงินที่ต่ำกว่าจะเป็นไปตามการสะกดจิตอิ่มตัว4πMs. ในมุมมองของธรรมชาติ wideband ของoscillators เหล่านี้อุปกรณ์ที่ใช้งานในการกำหนดค่าความต้านทานเชิงลบที่มีการใช้โดยทั่วไป การใช้เสียงต่ำทรานซิสเตอร์สองขั้วซิลิกอนและสถาปัตยกรรมความคิดเห็นคอมโพสิตนวนิยายที่มีเพศสัมพันธ์คู่ทรงกลมYIG เป็นข้อเสนอแนะชุดความถี่ที่สูงขึ้นและเป็นขนานข้อเสนอแนะสำหรับความถี่ต่ำซึ่งเป็นช่วงปรับ2-22 GHz ได้รับการประสบความสำเร็จกับขั้นตอนเสียงที่ดีขึ้นกว่า -130 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 10 GHz.15 ที่ความถี่ที่สูงขึ้นโดยใช้FET GaAs เดียวและ YIG เดียวคุ้มครองช่วงความถี่ทรงกลมของ20 ถึง 40 GHz มีรายงานด้วยเสียงขั้นตอนของการดีกว่า-100 dBc / Hz ที่ 100 เฮิร์ทซ์ที่ 40 GHz.16 YTOs ได้รับการบริการในเชิงพาณิชย์ได้ถึง50 GHz ในทางปฏิบัติมันจะกลายเป็นเรื่องธรรมดามากขึ้นเพื่อให้บรรลุความถี่คลื่นมิลลิเมตรโดยใช้doublers MMIC ความถี่ที่มีระดับต่ำ
การแปล กรุณารอสักครู่..
ความถี่สัญญาณ oscillators ที่สุด
เป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ oscillators วงจร ECM ESM
, เครื่องมือวัดและทดสอบ ตลอดจน
ระบบสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะโดยปรับแบนด์วิดธ์
และเป็นเส้นตรง , เสียงเฟสตกตะกอน
เวลาและปรับแต่งดริฟ โพสต์
ลักษณะความต้องการเฉพาะเจาะจงขึ้นอยู่กับโปรแกรม การประนีประนอม
จะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของ
ข้อเท็จจริงทั้งหมดของตัวแปรเหล่านี้จะประสบความสำเร็จในการใช้เทคโนโลยีเดียว
หรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุ
การสั่นผ่านสัญญาณ อุปกรณ์ที่ใช้งานต้องมีความต้านทาน
ลบผ่านวงดนตรีและความถี่
ปรับองค์ประกอบต้องปรับมากกว่า
วงดนตรี เทคนิคการออกแบบจะใช้ตามสภาพ
สั่นกว่าวงดนตรีในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือ
เพิ่มเติมที่ต้องการค่า
เสียงเฟสเป็นฟังก์ชันของความถี่และปรับแบนด์วิดธ์
ดูแลควรเมื่อเปรียบเทียบความถี่ใน Oscillators ที่สุด
.
วาแรกเตอร์ปรับแรงดันไฟฟ้า oscillators จะติดตาม
6 oscillators ใช้ศรี หรือ varactors มักจะเป็นโลหะธรรมดา
ท์อุปสรรคในความสัมพันธ์กับอุปกรณ์ที่ใช้งานในการสร้างสัญญาณ
กว่า สัญญาณ . กับใช้ได้
เทคโนโลยีมากกว่าหวะ
วง oscillators ได้รับรายงานถึงวงดนตรี KU ใช้หลาย
varactors.10 ลดความถี่มัน
เป็นประโยชน์มากเพื่อให้ได้แถบความถี่
VCOs ตาม
อุปกรณ์ต่อเนื่องแสดงให้เห็นมากกว่าวงออกเทปเสียงที่ดีขึ้น
เฟส 4 GHz ซิลิคอน ขั้วอุปกรณ์
อุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดลง 1 / f
และมุมและความถี่เสียงที่ใช้โดยทั่วไปสำหรับ VCOs ขึ้น
กซ์ แบนด์ . ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ
10 GHz ft และ 40 GHz fmax กระบวนการซิลิคอนไดโอดวาแรกเตอร์ hyperabrupt
,
VCO แคบมีรายงานที่ 10 GHz
กับเสียงเฟสของ– 112 DBC / Hz ที่
100 kHz offset.12 นี้สามารถเสนออุปกรณ์สัญญาณความถี่การสั่นขึ้น
mmwave กับ ทรามเฟส
เสียงเทคนิคอื่นเพื่อให้บรรลุเสียงสัญญาณสัญญาณรุ่น
ต่ำที่ความถี่สูงคือการใช้
ดัน ดัน Oscillators . VCOs ครอบคลุม
9 18 GHz มีการแสดง
ใช้ซิลิคอนแบบ devices.10 VCOs
เกินแบนด์วิดธ์เสียงได้พัฒนาโดยใช้คู่
ช่วงนี้เทคโนโลยีดันดัน เสียงเฟส
ของ– 118 DBC / Hz ที่ 100 kHz ชดเชย
มีรายงานที่ 4 GHz ใน 3 ถึง 6 GHz VCO 11
.
เป็นส่วนประกอบที่จำเป็นสำหรับ oscillators วงจร ECM ESM
, เครื่องมือวัดและทดสอบ ตลอดจน
ระบบสื่อสารมากมาย เหล่านี้มีลักษณะโดยปรับแบนด์วิดธ์
และเป็นเส้นตรง , เสียงเฟสตกตะกอน
เวลาและปรับแต่งดริฟ โพสต์
ลักษณะความต้องการเฉพาะเจาะจงขึ้นอยู่กับโปรแกรม การประนีประนอม
จะเรียกว่าสำหรับในมุมมองของ
ข้อเท็จจริงทั้งหมดของตัวแปรเหล่านี้จะประสบความสำเร็จในการใช้เทคโนโลยีเดียว
หรือเทคนิค เพื่อให้บรรลุ
การสั่นผ่านสัญญาณ อุปกรณ์ที่ใช้งานต้องมีความต้านทาน
ลบผ่านวงดนตรีและความถี่
ปรับองค์ประกอบต้องปรับมากกว่า
วงดนตรี เทคนิคการออกแบบจะใช้ตามสภาพ
สั่นกว่าวงดนตรีในขณะที่การเพิ่มประสิทธิภาพหนึ่งหรือ
เพิ่มเติมที่ต้องการค่า
เสียงเฟสเป็นฟังก์ชันของความถี่และปรับแบนด์วิดธ์
ดูแลควรเมื่อเปรียบเทียบความถี่ใน Oscillators ที่สุด
.
วาแรกเตอร์ปรับแรงดันไฟฟ้า oscillators จะติดตาม
6 oscillators ใช้ศรี หรือ varactors มักจะเป็นโลหะธรรมดา
ท์อุปสรรคในความสัมพันธ์กับอุปกรณ์ที่ใช้งานในการสร้างสัญญาณ
กว่า สัญญาณ . กับใช้ได้
เทคโนโลยีมากกว่าหวะ
วง oscillators ได้รับรายงานถึงวงดนตรี KU ใช้หลาย
varactors.10 ลดความถี่มัน
เป็นประโยชน์มากเพื่อให้ได้แถบความถี่
VCOs ตาม
อุปกรณ์ต่อเนื่องแสดงให้เห็นมากกว่าวงออกเทปเสียงที่ดีขึ้น
เฟส 4 GHz ซิลิคอน ขั้วอุปกรณ์
อุปกรณ์ของทางเลือกเนื่องจากการลดลง 1 / f
และมุมและความถี่เสียงที่ใช้โดยทั่วไปสำหรับ VCOs ขึ้น
กซ์ แบนด์ . ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ
10 GHz ft และ 40 GHz fmax กระบวนการซิลิคอนไดโอดวาแรกเตอร์ hyperabrupt
,
VCO แคบมีรายงานที่ 10 GHz
กับเสียงเฟสของ– 112 DBC / Hz ที่
100 kHz offset.12 นี้สามารถเสนออุปกรณ์สัญญาณความถี่การสั่นขึ้น
mmwave กับ ทรามเฟส
เสียงเทคนิคอื่นเพื่อให้บรรลุเสียงสัญญาณสัญญาณรุ่น
ต่ำที่ความถี่สูงคือการใช้
ดัน ดัน Oscillators . VCOs ครอบคลุม
9 18 GHz มีการแสดง
ใช้ซิลิคอนแบบ devices.10 VCOs
เกินแบนด์วิดธ์เสียงได้พัฒนาโดยใช้คู่
ช่วงนี้เทคโนโลยีดันดัน เสียงเฟส
ของ– 118 DBC / Hz ที่ 100 kHz ชดเชย
มีรายงานที่ 4 GHz ใน 3 ถึง 6 GHz VCO 11
.
การแปล กรุณารอสักครู่..
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.
- Audit Risk Audit risk significant becau
- ฟังเพลง
- We can look back is history for seasons
- ฟังเพลง
- dissolved
- What about you
- สบู่ถ่านผสมน้ำนมผึ้ง ช่วยผลัดเซลล์ผิวให้
- In recent decades, cities have grown so
- ฉันสวยไม่พอ
- คือ
- Your eyes are dark, very, very, very att
- 对中国第二大汽车生产商东风汽车而言
- based
- ฉันพิมไม่เก่ง
- Audit Risk Audit risk significant becau
- แต่ตามกำหนดการบอก 10.30
- strategies
- ฉันต้องการจะกลับอำนาจเจริญ. บ้านเกิดของฉ
- Some people are bored with sightseeing t
- FREQUENCY TUNABLEOSCILLATORSWideband tun
- place
- Eight reports contained population measu
- Understandding and easy to get along wom
- TSS and TDS are not significantly affecte
