In this paper, post-thermal anneali

In this paper, post-thermal annealing treatment is introduced to improve the photovoltaic performance of CdS/CdSe quantum dot (QD) co-sensitized TiO2 electrodes fabricated through successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method. It has been found that post-thermal annealing could enhance the crystallinity of CdS and CdSe QDs obviously, increase the short-circuit current density (Jsc) and power conversion efficiency (PCE) of QD sensitized solar cells (QDSSCs) significantly. After annealing at 200 °C for 3 min, the Jsc and PCE of QDSSCs increase from 11.71 ± 0.23 mA cm−2 and 2.57 ± 0.05% to 12.99 ± 0.31 mA cm−2 and 2.86 ± 0.06%, respectively. With the post-thermal annealing temperature further increasing to 300 °C, the Jsc sharply increases to 15.75 ± 0.15 mA cm−2, but the PCE is almost unchanged, which has been attributed the sharply decrease of fill factor (FF). Electrochemical impedance spectroscopy measurement has demonstrated that the sharply increased FF originates from the increase of the resistance at TiO2/electrolyte interface when the post-thermal annealing treatment is 300 °C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ หลอมความร้อนหลังการรักษาแนะนำเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของเซลล์แสงอาทิตย์ของซี ดี/CdSe ควอนตัมจุด (คิวดีสวีต) ร่วม sensitized TiO2 หุงตหลังสร้างชั้นต่อ ๆ มา ionic ดูดซับและปฏิกิริยา (SILAR) วิธีการ จะพบว่า การอบเหนียวระบายความร้อนหลังความ crystallinity ของซีดี และ CdSe QDs เพิ่มอย่างชัดเจน การลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่น (Jsc) และพลังงานแปลงประสิทธิภาพ (PCE) คิวดีสวีต sensitized เซลล์แสงอาทิตย์ (QDSSCs) อย่างมีนัยสำคัญ หลังจากการอบเหนียวที่ 200 ° C สำหรับ 3 นาที Jsc และเรา QDSSCs เพิ่ม cm−2 mA ± 0.23 11.71 2.57 ± 0.05% 12.99 $ 0.31 ± mA cm−2 และ 2.86 ± 0.06% ตามลำดับ ด้วยความร้อนหลังหลอมอุณหภูมิเพิ่มอีก ถึง 300 ° C, Jsc อย่างรวดเร็วเพิ่มขึ้น 15.75 ± 0.15 mA cm−2 แต่เราจะมีการเปลี่ยนแปลงเกือบ ซึ่งเกิดจากการลดลงอย่างรวดเร็วของการเติมปัจจัย (FF) วัดความต้านทานไฟฟ้ากได้สาธิตว่า FF เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วมีต้นกำเนิดมาจากการเพิ่มขึ้นของความต้านทานที่อินเทอร์เฟซของ TiO2/อิเล็ก โทรเมื่อรักษาหลอมหลังร้อน 300 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้รักษาหลอมโพสต์ระบายความร้อนที่มีการแนะนำในการปรับปรุงประสิทธิภาพของเซลล์แสงอาทิตย์ซีดี / CdSe ควอนตัมจุด (QD) ร่วมไวขั้วไฟฟ้า TiO2 ประดิษฐ์ผ่านการดูดซับไอออนิกชั้นต่อเนื่องและปฏิกิริยา (SILAR) วิธีการ จะได้รับพบว่าการหลอมโพสต์สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการระบายความร้อนของผลึกซีดีและ CdSe QDS ชัดเพิ่มลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (Jsc) และมีประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน (PCE) ของ QD ของเซลล์ (QDSSCs) อย่างมีนัยสำคัญ หลังจากการอบที่ 200 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 นาทีที่ Jsc PCE และการเพิ่มขึ้นของ QDSSCs จาก 11.71 ± 0.23 mA-2 ซม. และ 2.57 ± 0.05% มาอยู่ที่ 12.99 ± 0.31 mA-2 ซม. และ 2.86 ± 0.06% ตามลำดับ ด้วยอุณหภูมิการหลอมโพสต์ความร้อนต่อการเพิ่มถึง 300 ° C, Jsc อย่างรวดเร็วเพิ่มขึ้น 15.75 ± 0.15 mA-2 ซม. แต่ PCE เป็นเกือบไม่เปลี่ยนแปลงซึ่งได้รับการบันทึกอย่างรวดเร็วลดปัจจัยเติม (FF) การวัดความต้านทานไฟฟ้าสเปกโทรสโกได้แสดงให้เห็นว่า FF เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วมาจากการเพิ่มขึ้นของความต้านทานที่ TiO2 / อินเตอร์เฟซอิเล็กเมื่อรักษาหลอมโพสต์ความร้อน 300 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้จะแนะนำการโพสต์ , อบด้วยความร้อนเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ของซีดี / cdse ควอนตัมดอต ( ควอนตัมด็อต ) CO และ TiO2 โดยการดูดซับไอออนไฟฟ้าประดิษฐ์ชั้นต่อเนื่องและปฏิกิริยา ( silar ) วิธี พบว่า หลังอบด้วยความร้อนสามารถเพิ่มความเป็นผลึกของแผ่นซีดีและ cdse ควอนตัมด็อตโท่ เพิ่มความหนาแน่นกระแสลัดวงจร ( JSC ) และประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ( PCE ) ของควอนตัมด็อต sensitized เซลล์แสงอาทิตย์ ( qdsscs ) อย่างมีนัยสำคัญทางสถิติ เมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 200 องศา C เป็นเวลา 3 นาที และจาก qdsscs JSC PCE เพิ่มขึ้นจาก 11.71 ± 0.23 มา cm − 2 + และ± 2.57 ร้อยละ 12.99 ± 0.31 มา cm − 2 และ 2.86 ± 0.06 เปอร์เซ็นต์ ตามลำดับ กับโพสต์ อบด้วยความร้อนอุณหภูมิเพิ่มเติม เพิ่ม 300 ° C , JSC อย่างรวดเร็วเพิ่ม 500 ± 0.15 มา cm − 2 แต่ PCE แทบจะไม่เปลี่ยนแปลง ซึ่งได้รับการบันทึกอย่างรวดเร็วลดเติมปัจจัย ( FF ) การตรวจวัดทางเคมีไฟฟ้าอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปีได้แสดงว่า FF ซึ่งเพิ่มขึ้นมาจากการเพิ่มขึ้นของความต้านทานที่ TiO2 / อิเลคติดต่อเมื่ออบด้วยความร้อน การโพสต์ 300 องศา