The initial 6H–SiC(0001) surface in

The initial 6H–SiC(0001) surface in Fig.1a,obtained after hydrogen etching,is characterized by wide,highly uniform,atomically flat terraces.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผิวเริ่มต้น 6H–SiC(0001) ใน Fig.1a,obtained หลังจากไฮโดรเจนกัด ลักษณะเป็นระเบียงกว้าง สูงสม่ำเสมอ แบน atomically

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เริ่มต้น 6H-SiC (0001) ในพื้นผิว Fig.1a ที่ได้รับหลังจากการแกะสลักไฮโดรเจนเป็นลักษณะกว้างสูงชุดอะตอมระเบียงแบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เริ่มต้น 6H – SIC ( 0001 ) พื้นผิวใน fig.1a ได้หลังจากไฮโดรเจนกัดลายเป็นลักษณะกว้าง สูง ชุด atomically แบน , ระเบียง