sample, we arranged the QW sequence

sample, we arranged the QW sequence as (from the bottom) green/blue/blue/greeninthefour-QWstructure.ThelowerGaN barrierbelowthebottom(green)QWhasthethicknessof16nm and was grown at 800 C with the silicon-doping concentration of 7 10 cm . Among the rest four barrier layers, the first two (from the top) have the thickness of 6 nm and the next two have the thickness of 16 nm. In the deposition of a 6-nm barrier layer, after the growth of a 2-nm GaN cap layer at the same temperature as that for the last well layer, the growth was interrupted. During the interruption, the wafer temperature was ramped to 800 C and H of 500 sccm was added to the growth chamber [8]. After the interruption, a 4-nm GaN layer was grown to form a 6-nm barrier. The procedures for depositing a 16-nm barrier were the same as those for a 6-nm barrier except that a 14-nm GaN layer was grown at 800 C after the growth interruption. The growth of the GaN cap layer between the InGaN well and the higher temperature GaN barrier meant to protect the InGaN well from indium desorption during the temperature ramping and the H addition. The smaller barrier thicknesses close to the p-type layer were designed to enhance hole trapping into the deeper QWs. After the growth of the four QWs, a 20-nm p-Al Ga N layer, followed by a 120-nm p-GaN layer (both grown at 930 C), was deposited. LEDs based on the mixed QW epistructure were then fabricated with the standard procedure. Ni (15 nm)/Au (150 nm) were used for the p-type Ohmic contacts. Also, Ti (15 nm)/Al (75 nm)/Ti (15 nm)/Au (150 nm) were used for the n-type Ohmic contacts. Meanwhile, thin metal layers of Ni (5 nm)/Au (5 nm) cover the whole top surface for enhancing current spreading in a device. Fig. 1 shows the X-ray diffraction (XRD) pattern of the LED epistructureofmixedQWs(curveA).Forcomparison,curvesB and C for a purely blue-emitting QW (five periods) sample and apurelygreen-emittingQW(fiveperiods)sample,respectively, arealsoshown.Themajorsharppeaknearthecenterrepresents the GaN contribution. One can see that in curves B and C, periodicalsecondarypeaksclearlydemonstratetheQWperiodicity. Also, the visible third-order peaks in the purely blue sample indicate the reasonably good QW quality in this sample. In the sample of mixing the two kinds of QW, the major XRD peaks roughlycorrespondtothoseofthetwosingle-colorsamples,indicatingthatbasicallythesuperpositionprinciplecanbeapplied to these XRD measurements. This correspondence implies that

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่าง ที่เราจัดลำดับ QW เป็น (จากด้านล่าง) green/blue/blue/greeninthefour-QWstructure.ThelowerGaN barrierbelowthebottom (สีเขียว) QWhasthethicknessof16nm และถูกปลูกที่ 800 C เข้มข้นเติมซิลิคอน 7 10 ซม. ระหว่างกำแพงชั้นที่เหลือ 4 แรกสอง (จากด้านบน) มีความหนา 6 nm และสองถัดไปมีความหนา 16 nm ในการสะสมของชั้นที่ 6 nm อุปสรรค หลังจากการเติบโตของชั้นฝากัน 2 nm ที่อุณหภูมิเดียวกัน เป็นที่สำหรับสุดท้ายชั้นดี การเจริญเติบโตถูกขัดจังหวะ ในระหว่างการถูกขัดจังหวะ อุณหภูมิเวเฟอร์มี ramped ถึง 800 C และ H ของ 500 sccm เพิ่มหอการค้าเติบโต [8] หลังจากขัดจังหวะ 4 nm ชั้นกันถูกปลูกในรูปแบบอุปสรรค 6 nm ขั้นตอนการฝากอุปสรรค 16 nm ได้เหมือนกับที่ใช้สำหรับการป้องกัน 6 nm ยกเว้นว่ากันชั้น 14 นาโนเมตรถูกปลูกที่ 800 C หลังจากชะงักการเจริญเติบโต การเจริญเติบโตของชั้นฝากันระหว่างดี InGaN และอุปสรรคกันอุณหภูมิสูงเพื่อป้องกันการ InGaN ดีอินเดียม desorption อุณหภูมิกระโจนและการเพิ่ม H ความหนาอุปสรรคเล็กใกล้ชั้นชนิด p ถูกออกแบบมาเพื่อเพิ่มหลุมดักใน QWs ลึก หลังจากการเติบโตของ QWs สี่ รับฝากชั้น Ga N p 20 nm Al ตาม ด้วยชั้น p 120 nm-กัน (ทั้งสองเติบโตขึ้นที่ 930 C), ใช้ไฟ Led บน QW ผสม epistructure ถูกแล้วประดิษฐ์ ด้วยกระบวนการมาตรฐาน Ni (15 nm) /Au (150 nm) ใช้สำหรับติดต่อ Ohmic ชนิด p ยัง Ti (15 nm) /Al (75 nm) /Ti (15 nm) /Au (150 nm) ใช้สำหรับติดต่อ Ohmic ประเภท n ในขณะเดียวกัน บางชั้นโลหะของ Ni (5 nm) /Au (5 nm) ครอบคลุมพื้นผิวด้านบนทั้งหมดสำหรับการเพิ่มการกระจายปัจจุบันอุปกรณ์ รูปที่ 1 แสดงรูปแบบการเลี้ยวเบนของแสงเอ็กซเรย์ (XRD) ของ LED epistructureofmixedQWs(curveA) Forcomparison, curvesB และ C แท้จากฟ้าเปล่งอย่าง QW (ด้านเวลา) และ apurelygreen-emittingQW (fiveperiods) ตัวอย่าง ตามลำดับ arealsoshown Themajorsharppeaknearthecenterrepresents การมีส่วนร่วมกัน หนึ่งสามารถดูที่ในเส้นโค้ง B และ C, periodicalsecondarypeaksclearlydemonstratetheQWperiodicity ยัง ยอดใบสั่งอื่นมองเห็นในตัวอย่างสีน้ำเงินแท้จากระบุคุณภาพ QW ดีสมเหตุสมผลในตัวอย่างนี้ ในตัวอย่างของผสมสองชนิด QW, XRD สำคัญยอดเขา roughlycorrespondtothoseofthetwosingle-colorsamples, indicatingthatbasicallythesuperpositionprinciplecanbeapplied การวัดเหล่านี้ XRD จดหมายนี้ก็หมายความว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างที่เราจัดลำดับเป็น QW (จากด้านล่าง) สีเขียว / สีฟ้า / สีฟ้า / greeninthefour-QWstructure.ThelowerGaN barrierbelowthebottom (สีเขียว) QWhasthethicknessof16nm และเติบโตเป็นผู้ใหญ่ที่ 800 C ที่มีความเข้มข้นของซิลิกอนยาสลบ 7 10 ซม ในบรรดาส่วนที่เหลือสี่ชั้นอุปสรรคที่แรกสอง (จากด้านบน) มีความหนาของ 6 นาโนเมตรและอีกสองที่มีความหนา 16 นาโนเมตร ในการทับถมของชั้นอุปสรรค 6 นาโนเมตรหลังจากการเจริญเติบโตของ 2 นาโนเมตรกานชั้นหมวกที่อุณหภูมิเช่นเดียวกับที่ชั้นดีที่ผ่านมาการเติบโตของถูกขัดจังหวะ ในช่วงหยุดชะงักอุณหภูมิเวเฟอร์ถูกเมาถึง 800 C และ H 500 SCCM ถูกเพิ่มเข้าไปในห้องการเจริญเติบโต [8] หลังจากที่หยุดชะงักชั้นกาน 4 นาโนเมตรปลูกในรูปแบบอุปสรรค 6 นาโนเมตร ขั้นตอนการฝากอุปสรรค 16 นาโนเมตรเป็นเช่นเดียวกับผู้เป็นอุปสรรค 6 นาโนเมตรยกเว้นว่าชั้นกาน 14 นาโนเมตรปลูกที่ 800 C หลังจากหยุดชะงักการเจริญเติบโต การเจริญเติบโตของชั้นหมวกกานระหว่าง InGaN ดีและอุปสรรคอุณหภูมิกานที่สูงขึ้นหมายถึงการปกป้อง InGaN อย่างดีจากอินเดียมคายระหว่างกระโจนอุณหภูมิและนอกจากนี้เอช อุปสรรคที่มีขนาดเล็กความหนาใกล้กับชั้น P-ชนิดที่ถูกออกแบบมาเพื่อเพิ่มการวางกับดักหลุมเข้าไปใน QWS ลึก หลังจากที่การเจริญเติบโตของสี่ QWS ที่ 20 นาโนเมตร P-Al Ga N ชั้นตามด้วย 120 นาโนเมตร P-กานชั้น (ทั้งการเติบโตที่ 930 C) มาฝาก ไฟ LED บนพื้นฐานของ QW epistructure ผสมประดิษฐ์แล้วกับขั้นตอนมาตรฐาน Ni (15 นาโนเมตร) / Au (150 นาโนเมตร) ถูกนำมาใช้สำหรับ P-ประเภทรายชื่อโอห์มมิค นอกจากนี้ Ti (15 นาโนเมตร) / อัล (75 นาโนเมตร) / Ti (15 นาโนเมตร) / Au (150 นาโนเมตร) ถูกนำมาใช้สำหรับชนิดเอ็นรายชื่อโอห์มมิค ในขณะที่ชั้นโลหะบาง ๆ ของ Ni (5 นาโนเมตร) / Au (5 นาโนเมตร) ครอบคลุมพื้นผิวด้านบนทั้งหมดสำหรับการเสริมสร้างในปัจจุบันการแพร่กระจายในอุปกรณ์ มะเดื่อ. 1 แสดงรูปแบบ X-ray การเลี้ยวเบน (XRD) ของ LED epistructureofmixedQWs (curveA) .Forcomparison, curvesB และ C สำหรับหมดจดสีฟ้าเปล่ง QW (FI ได้งวด) ตัวอย่างและ apurelygreen-emittingQW (FI veperiods) ตัวอย่างตามลำดับ arealsoshown.Themajorsharppeaknearthecenterrepresents ผลงานกาน หนึ่งจะเห็นว่าในโค้ง B และ C, periodicalsecondarypeaksclearlydemonstratetheQWperiodicity นอกจากนี้ยังสามารถมองเห็นยอดเขาสามสั่งซื้อสินค้าตัวอย่างสีฟ้าล้วนบ่งบอกถึงคุณภาพ QW ที่ดีพอสมควรในตัวอย่างนี้ ในตัวอย่างของการผสมทั้งสองชนิดของ QW, ยอด XRD สำคัญ วัด XRD เหล่านี้ จดหมายนี่ก็หมายความว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่าง เราจัด qw ลำดับ ( จากด้านล่าง ) สีเขียว / น้ำเงิน / ฟ้า / greeninthefour-qwstructure.thelowergan barrierbelowthebottom ( สีเขียว ) qwhasthethicknessof16nm และโตที่ 800 องศาเซลเซียส ด้วยการเติมปริมาณซิลิคอน 7 10 ซม. ท่ามกลางอุปสรรคที่เหลือสี่ชั้น , จึงตัดสินใจเดินทางสอง ( จากด้านบน ) มีความหนา 6 nm และอีกสองมีความหนา 16 nm . ในการสะสมของ 6-nm กั้นชั้น ตามการเจริญเติบโตของ 2-nm กานหมวกชั้นอุณหภูมิที่เหมือนกันสำหรับดีชั้นสุดท้าย การเจริญเติบโตจะหยุดชะงัก ในระหว่างการหยุดชะงัก , เวเฟอร์ อุณหภูมิ ramped 800 C และ H 500 sccm ถูกเพิ่มเข้าไปในห้องการเจริญเติบโต [ 8 ] หลังจากการหยุดชะงัก , 4-nm กาน ชั้นโตเป็นรูป 6-nm กั้น ขั้นตอนการฝากเงินกั้น 16 nm เป็นเหมือนผู้ที่เป็น 6-nm กั้น ยกเว้น 14 nm กาน ชั้นโตที่ 800 องศาเซลเซียส หลังจากหยุดชะงักการเจริญเติบโต การเจริญเติบโตของกาน หัวหน้าชั้น ระหว่าง ingan ได้ดีและสูงกว่าอุณหภูมิกันกั้นหมายถึงการปกป้อง ingan จากอินเดียมในช่วงอุณหภูมิและความชื้นเพิ่ม ( นอกจาก มีอุปสรรคความหนาใกล้เคียงกับพี ชั้น ถูกออกแบบมาเพื่อเพิ่มลงไปในหลุมดัก QWS ในการแสดงมากขึ้น หลังจากการขยายตัวของสี่ QWS ในการแสดง , 20 nm p-al ga n ชั้นตาม 120 nm p-gan ชั้น ( ทั้งโตที่ 930 องศาเซลเซียส ) , ฝาก ไฟ LED ตาม epistructure qw ผสมแล้วประดิษฐ์ที่มีมาตรฐานเดียวกัน ผม ( 15 nm ) / AU ( 150 nm ) ใช้สำหรับพีค่าติดต่อ ยัง , Ti ( 15 nm ) / Al / Ti ( 75 nm ) ( 15 nm ) / AU ( 150 nm ) ใช้สำหรับค่าทั่วไปติดต่อ ในขณะเดียวกันบางโลหะชั้นของชั้น ( 5 nm ) / AU ( 5 nm ) ครอบคลุมทั้งบนพื้นผิวเพื่อเพิ่มปัจจุบันการแพร่กระจายในอุปกรณ์ รูปที่ 1 แสดงการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์แบบ LED epistructureofmixedqws ( curvea ) และ curvesb , และ C สำหรับหมดจดสีฟ้าเปล่ง qw ( จึงได้คาบ ) ตัวอย่างและ apurelygreen emittingqw ( จึง veperiods ) ตัวอย่าง ตามลำดับ arealsoshown . themajorsharppeaknearthecenterrepresents GaN สมทบ หนึ่งสามารถดูว่าในเส้นโค้ง B และ C periodicalsecondarypeaksclearlydemonstratetheqwperiodicity . นอกจากนี้ มองเห็นยอดอันดับสามในตัวอย่างหมดจดสีฟ้าบ่งบอกถึงคุณภาพ qw ที่ดีพอสมควร ในตัวอย่างนี้ ในตัวอย่างของการผสมสองชนิดของ qw ยอดสาขา roughlycorrespondtothoseofthetwosingle colorsamples , XRD , วัด indicatingthatbasicallythesuperpositionprinciplecanbeapplied เตอร์เหล่านี้ จดหมายนี้แสดงถึงว่า