In the laser direct write CVD syste

In the laser direct write CVD system, the laser energy is applied
to the surface of a substrate material in a vacuum chamber
and creates a localized heating area. Reactive gas (silane
for silicon growth) is delivered to this locally heated area
and therefore decomposes, leaving behind a small amount
of material deposited on the surface. While the material is
being deposited, the piezoelectric stage holding the substrate
moves relative to the focused laser spot, making the conductive
lines into the desired pattern. A schematic illustrating
the experimental setup is shown in Fig. 1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเลเซอร์ตรงเขียนระบบผิว CVD ใช้พลังงานเลเซอร์พื้นผิวของวัสดุพื้นผิวในห้องสุญญากาศและสร้างพื้นที่ร้อนภาษาท้องถิ่น ปฏิกิริยาแก๊ส (silaneสำหรับการเติบโตของซิลิคอน) ถูกส่งไปบริเวณนี้อุ่นเครื่องดังนั้น decomposes ออกด้านหลังเล็กน้อยฝากบนพื้นผิววัสดุ ขณะวัสดุการฝากเงิน ขั้น piezoelectric ที่จับกับพื้นผิวย้ายสัมพันธ์กับจุดโฟกัสเลเซอร์ ทำการไฟฟ้ารายการในรูปแบบที่ต้องการ แผนผังตัวอย่างแสดงการตั้งค่าการทดลองแสดงใน Fig. 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เลเซอร์โดยตรงในการเขียนระบบซีวีดีพลังงานเลเซอร์ถูกนำไปใช้กับพื้นผิวของวัสดุที่พื้นผิวในห้องสูญญากาศและสร้างพื้นที่ความร้อนที่มีการแปล ก๊าซปฏิกิริยา (ไซเลนสำหรับการเจริญเติบโตซิลิกอน) จะถูกส่งไปยังพื้นที่นี้อุ่นทั้งในประเทศและดังนั้นจึงสลายตัวออกจากหลังจำนวนเงินขนาดเล็กของวัสดุที่วางอยู่บนพื้นผิว ในขณะที่วัสดุที่ถูกฝากขั้น piezoelectric ถือสารตั้งต้นย้ายเทียบกับจุดเน้นเลเซอร์ทำให้กระแสไฟฟ้าเส้นเข้ามาในรูปแบบที่ต้องการ วงจรแสดงการตั้งค่าการทดลองแสดงให้เห็นในรูป 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในระบบเลเซอร์โดยตรงเขียน CVD , พลังงานเลเซอร์ที่ใช้
กับพื้นผิวของวัสดุตั้งต้นในสูญญากาศ
และสร้างความร้อนในพื้นที่ ปฏิกิริยาก๊าซไซเลน
สำหรับการเจริญเติบโตซิลิคอน ) ถูกส่งไปยังพื้นที่อุ่นภายใน
จึงสลายตัวไปข้างหลังเล็กน้อย
วัสดุฝากบนพื้นผิว ในขณะที่วัสดุ
ถูกฝากเพียโซอิเวทีถือพื้นผิว
ย้ายเมื่อเทียบกับเน้นแสงเลเซอร์จุด ทำให้สายนำ
ที่ต้องการลงในรูปแบบ เป็นแผนผังแสดงการติดตั้งทดลอง
แสดงดังรูปที่ 1