The IMPATT diode family includes ma

The IMPATT diode family includes many different junctions and metal semiconductor devices. The first IMPATT oscillation was obtained from a simple silicon p-n junction diode biased into a reverse avalanche break down and mounted in a microwave cavity. Because of the strong dependence of the ionization coefficient on the electric field, most of the electron–hole pairs are generated in the high field region. The generated electron immediately moves into the N region, while the generated holes drift across the P region. The time required for the hole to reach the contact constitutes the transit time delay.

The original proposal for a microwave device of the IMPATT type was made by Read. The Read diode consists of two regions (i) The Avalanche region (a region with relatively high doping and high field) in which avalanche multiplication occurs and (ii) the drift region (a region with essentially intrinsic doping and constant field) in which the generated holes drift towards the contact. A similar device can be built with the configuration in which electrons generated from the avalanche multiplication drift through the intrinsic region.

An IMPATT diode generally is mounted in a microwave package. The diode is mounted with its high–field region close to a copper heatsink so that the heat generated at the diode junction can be readily dissipated. Similar microwave packages are used to house other microwave devices.

The IMPATT diode operates over a narrow frequency band, and diode internal dimensions must correlate with the desired operating frequency. An IMPATT oscillator can be tuned by adjusting the resonant frequency of the coupled circuit, and also by varying the current in the diode; this can be used for frequency modulation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ครอบครัวไดโอด IMPATT มีลีเมอร์ต่าง ๆ และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโลหะ สั่น IMPATT แรกได้รับจากไดโอดเชื่อมต่อ p-n ซิลิคอนง่าย ๆ ลำเอียงเข้าพักกลับถล่มลง และติดตั้งในช่องไมโครเวฟ เนื่องจากอาศัยแรงของสัมประสิทธิ์ไอออไนซ์ในสนามไฟฟ้า ส่วนใหญ่ของคู่อิเล็กตรอน – หลุมสร้างขึ้นในภูมิภาคสูงฟิลด์ อิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นย้ายไปภูมิภาค N ทันทีขณะสร้างหลุมลอยทั่วภูมิภาค P เวลาจำเป็นสำหรับหลุมถึงติดต่อถือเป็นการหน่วงเวลาระหว่างการขนส่งทำการเสนอต้นฉบับสำหรับอุปกรณ์ไมโครเวฟชนิด IMPATT โดยการอ่าน ไดโอดอ่านประกอบด้วยของสองภูมิภาค (i) ถล่มภูมิภาค (ภาคกับยาสลบค่อนข้างสูง และสูงคูณถล่มที่เกิดขึ้น) และ (ii) ดริฟท์ภูมิภาค (ภาคยาสลบภายหลักและฟิลด์คง) หลุมสร้างขึ้นล่องลอยไปยังติดต่อ สามารถสร้างอุปกรณ์คล้ายกัน มีโครงแบบอิเล็กตรอนสร้างขึ้นจาก drift คูณหิมะถล่มในพื้นที่ลักษณะโดยมีไดโอด IMPATT โดยทั่วไปติดตั้งแพคเกจไมโครเวฟ ไดโอดจะติดกับภูมิภาคสูง – ฟิลด์ใกล้ฮีทซิงค์ทองแดงเพื่อให้ความร้อนที่เกิดที่แยกไดโอดสามารถถูก dissipated พร้อม แพคเกจไมโครเวฟเหมือนอยู่ในบ้านอื่น ๆ อุปกรณ์ไมโครเวฟไดโอด IMPATT ผ่านความถี่แคบ และมิติภายในไดโอดต้องเชื่อมโยงกับความถี่การทำงานที่ต้องการ ออสซิลเลเตอร์ IMPATT ที่สามารถปรับได้ โดยการปรับความถี่เรโซแนนซ์ของวงจรคู่ และด้วยกระแสไดโอด นี้สามารถใช้สำหรับสัญญาณคลื่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครอบครัว IMPATT ไดโอดรวมถึงทางแยกที่แตกต่างกันจำนวนมากและอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์โลหะ เป็นครั้งแรกที่การสั่น IMPATT ที่ได้รับจากซิลิกอนไดโอด PN ชุมง่ายลำเอียงเป็นหิมะถล่มกลับทำลายลงและติดตั้งในโพรงไมโครเวฟ เพราะการพึ่งพาอาศัยที่แข็งแกร่งของค่าสัมประสิทธิ์การไอออไนซ์ในสนามไฟฟ้าส่วนใหญ่ของคู่อิเล็กตรอนหลุมจะถูกสร้างขึ้นในภูมิภาคฟิลด์สูง อิเล็กตรอนสร้างทันทีเดินเข้ามาในภูมิภาค N, ในขณะที่หลุมที่สร้างขึ้นลอยทั่วทั้งภูมิภาคพี เวลาที่จำเป็นสำหรับหลุมที่จะไปถึงการติดต่อถือว่าหน่วงเวลาการขนส่ง. ข้อเสนอเดิมสำหรับอุปกรณ์ไมโครเวฟชนิด IMPATT ถูกสร้างขึ้นโดยอ่าน การอ่านอย่างไดโอดประกอบด้วยสองภูมิภาค (i) ภูมิภาคถล่ม (พื้นที่ที่มียาสลบที่ค่อนข้างสูงและเขตสูง) ซึ่งหิมะถล่มคูณเกิดขึ้นและ (ii) ภูมิภาคดริฟท์ (พื้นที่ที่มียาสลบที่แท้จริงเป็นหลักและข้อมูลคงที่) ซึ่งใน หลุมสร้างดริฟท์ที่มีต่อการติดต่อ อุปกรณ์ที่คล้ายกันสามารถสร้างขึ้นกับการกำหนดค่าในการที่อิเล็กตรอนที่เกิดจากหิมะถล่มคูณลอยผ่านภูมิภาคที่แท้จริง. ไดโอด IMPATT โดยทั่วไปจะติดตั้งอยู่ในแพคเกจไมโครเวฟ ไดโอดจะติดตั้งอยู่กับภูมิภาคสูงเขตของมันใกล้เคียงกับฮีทซิงค์ทองแดงเพื่อให้ความร้อนที่เกิดที่แยกไดโอดที่สามารถกระจายไปได้อย่างง่ายดาย แพคเกจไมโครเวฟที่คล้ายกันจะใช้ในบ้านอุปกรณ์ไมโครเวฟอื่น ๆ . IMPATT ไดโอดทำงานมากกว่าแถบความถี่แคบและไดโอดภายในมิติจะต้องมีความสัมพันธ์กับความถี่ในการปฏิบัติการที่ต้องการ อีแร้ง IMPATT สามารถปรับโดยการปรับความถี่ของวงจรคู่และยังแตกต่างกันโดยในปัจจุบันไดโอดนั้น นี้สามารถใช้สำหรับความถี่วิทยุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ impatt ไดโอดครอบครัวมีหลายแบบ และอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำโลหะ ความผันผวน impatt แรกได้มาจากง่าย p-n ชุมทางไดโอดซิลิคอนลำเอียงลงกลับถล่มพังลงและติดตั้งในตู้ไมโครเวฟ ช่อง เพราะพึ่งพาความแข็งแกร่งของไอสัมประสิทธิ์ในสนามไฟฟ้า , ที่สุดของอิเล็กตรอนและหลุมคู่ถูกสร้างขึ้นในเขตที่สูงภาคเหนือ สร้างอิเล็กตรอนทันทีย้ายเข้า N ภูมิภาค ในขณะที่สร้างหลุมลอยข้ามระดับภูมิภาค เวลาที่จำเป็นสำหรับหลุมถึงติดต่อถือเป็นเวลาการขนส่งล่าช้าข้อเสนอต้นฉบับสำหรับไมโครเวฟ อุปกรณ์ประเภท impatt ทำโดยอ่าน อ่านไดโอดประกอบด้วยสองภูมิภาค ( ฉัน ) ถล่มเขต ( เขตที่มีค่อนข้างสูงและการเติมสนามสูง ) ซึ่งในการคูณหิมะถล่มเกิดขึ้นและ ( 2 ) ลอยเขต ( ภูมิภาคกับหลักภายในการเติมและคงที่สนาม ) ซึ่งสร้างหลุมล่องลอยไปยังที่ติดต่อ อุปกรณ์ที่คล้ายกันสามารถสร้างการตั้งค่าที่อิเล็กตรอนที่เกิดจากหิมะถล่มการคูณลอยผ่านเขตที่แท้จริงการ impatt ไดโอดทั่วไปจะติดตั้งใน ไมโครเวฟ แพคเกจ ไดโอดที่ติดตั้งกับปิดสนาม–สูงเขตของฮีทซิงค์ทองแดง ดังนั้นความร้อนที่เกิดขึ้นที่ไดโอดรอยต่อสามารถพร้อมกระจาย ชุดไมโครเวฟที่คล้ายกันจะใช้ในบ้านอุปกรณ์ ไมโครเวฟ อื่น ๆการ impatt ไดโอดทำงานบนแถบความถี่แคบ และมิติภายในไดโอดจะต้องมีความสัมพันธ์กับความถี่ที่ต้องการ . การ impatt Oscillator สามารถปรับโดยการปรับความถี่เรโซแนนซ์ของคู่วงจร และยัง ที่กระแสในไดโอด ; นี้สามารถใช้สำหรับการปรับความถี่