The deposition of Ge on multilayer

The deposition of Ge on multilayer graphene
(MLG)/ SiO2/ Si(100) substrates (Graphene laboratories Inc.,Calverton, NY,USA) was carried out in a mixture of 5% germanium (IV)chloride (GeCl4) in propylene glycol(C3H8O2) using a simple two-terminal ECD setup where graphene acted as a cathode and platinum (Pt) wire as an anode. It is worth noting that the coverage of MLG is around 95% and the properties of chemical vapor deposition grown graphene can be further found in Ref. The sample preparation including the ECD process was done at room temperature in a nitrogen-filled glove box. Both anode and cathode were connected to the external direct current (DC) power supply.The electrodeposition was operated under galvanostatic control where the current density was fixed during the deposition.The deposition was performed at fixed current density of 3.0 mA/cm2 (potential¼3.5 V) for 75h. The thickness of the as-deposited Ge was 400 nm. After 75h, the sample was removed immediately from the electrolyte and quickly rinsed with deionized (DI) water to remove any residue from the surface. The deposited Ge layer was then patterned into strips with 15 mm width and 200 mm length using conventional photolithography and wet chemical etching technique. Then,the exposed graphene was etched out by using oxygen (O2) plasma etching in order to improve the adhesion between the capping layer and substrate's insulator. The patterned Ge strips were capped with 30 nm-thick SiNx followed by 1 mm-thick SiO2 layers deposited by magnetron sputtering to prevent severe agglomeration of Ge during the rapid melting process.Then,the capped Ge strips were heat treated by rapid thermal annealing process at 980 °C for 1s. Finally, the capping layer was removed by chemical etching prior to the characterization. The as-deposited sample was cut to several pieces for the analysis which includes the characterization using Raman spectroscopy, electron back scattering diffraction (EBSD), field emission scanning electron microscopy (FESEM), and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมของ Ge ใน graphene หลายชั้น(MLG) / SiO2 / พื้นผิว Si(100) (Graphene ห้องปฏิบัติ Inc., Calverton, NY สหรัฐอเมริกา) ถูกดำเนินการในส่วนผสม 5% เจอร์เมเนียม (IV) คลอไรด์ (GeCl4) ในโพรพิลี glycol(C3H8O2) ใช้การตั้งค่าอย่างง่ายของเบาะแสสองเทอร์มินัลที่ graphene ที่ทำหน้าที่เป็นแคโทดและแพลทินัม (Pt) ลวดเป็นขั้วบวก เป็นเร็ว ๆ ว่า MLG ครอบคลุมพื้นที่ประมาณ 95% และคุณสมบัติของไอสารเคมีสะสมปลูก graphene สามารถพบในการอ้างอิงเพิ่มเติม การเตรียมตัวอย่างรวมทั้งกระบวนการเบาะแสทำที่อุณหภูมิห้องในกล่องถุงเติมไนโตรเจน แอโนดและแคโทดถูกเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟภายนอกกระแสตรง (DC) เตรียมตัวถูกดำเนินการภายใต้การควบคุม galvanostatic ที่คงความหนาแน่นของกระแสในช่วงการสะสม ทำการสะสมที่ความหนาแน่นของกระแสคงที่ของ 3.0 mA ซม. 2 (potential¼3.5 V) 75 h ความหนาของ Ge เป็นฝากได้ 400 nm หลังจากชม. 75 ตัวออกทันทีจากอิเล็กโทรไลท์ และล้างน้ำจุ (DI) จะเอาใด ๆ จากพื้นผิวได้อย่างรวดเร็ว ชั้น Ge ฝากถูกแล้วมีลายเป็นเส้นยาวกว้าง 15 มม.และ 200 มม.ที่ใช้สร้างลายวงจรด้วยแสงธรรมดาและเปียกเคมีเทคนิคการแกะสลัก แล้ว graphene สัมผัสถูกสลักออกโดยแกะสลักพลาสม่าออกซิเจน (O2) เพื่อเพิ่มการยึดเกาะระหว่างชั้น capping และพื้นผิวของฉนวน แถบ Ge ลายถูกต่อยอดกับ SiNx nm-หนา 30 ตาม ด้วยชั้น SiO2 มม.หนา 1 ที่ฝากไว้ โดย magnetron สปัตเตอร์เพื่อป้องกันการ agglomeration รุนแรงของ Ge ในระหว่างกระบวนการละลายอย่างรวดเร็ว แล้ว แถบ Ge capped ถูกความร้อนจากกระบวนการหลอมความร้อนอย่างรวดเร็วที่ 980 ° C สำหรับ 1s ในที่สุด ชั้น capping ถูกเอาออก โดยการกัดเคมีก่อนการจำแนกลักษณะ ตัวอย่างฝากเป็นถูกตัดไปหลายชิ้นสำหรับการวิเคราะห์ซึ่งรวมถึงคุณลักษณะที่ใช้รามิก อิเล็กตรอนกลับโปรยกระจาย (EBSD), ฟิลด์ปล่อยอิเล็กตรอนสแกน (FESEM), และความละเอียดสูงส่งอิเล็กตรอน (HRTEM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสะสมของจีอีในแกรฟีนหลาย
(MLG) / SiO2 / ศรี (100) พื้นผิว (Graphene Laboratories Inc. , Calverton, นิวยอร์ก, สหรัฐอเมริกา) ได้ดำเนินการในส่วนผสมของ 5% เจอร์เมเนียม (iv) คลอไรด์ (GeCl4) ในโพรพิลีนไกลคอล (C3H8O2) โดยใช้การติดตั้งง่าย ECD สองขั้วที่แกรฟีนทำหน้าที่เป็นสายขั้วลบและทองคำขาว (PT) เป็นขั้วบวก มันเป็นที่น่าสังเกตว่าการรายงานข่าวของ MLG อยู่ที่ประมาณ 95% และคุณสมบัติของสะสมไอเคมีปลูกแกรฟีนที่สามารถพบได้ในการอ้างอิงต่อไป ในการจัดทำตัวอย่างรวมทั้งกระบวนการ ECD ได้ทำที่อุณหภูมิห้องในไนโตรเจนที่เต็มไปด้วยกล่องถุงมือ ทั้งขั้วบวกและขั้วลบเชื่อมต่อกับภายนอกโดยตรงอิเล็กโทรปัจจุบัน (DC) พลังงาน supply.The กำลังดำเนินการภายใต้การควบคุม galvanostatic ที่ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าได้รับการแก้ไขในช่วงการสะสม deposition.The เป็นที่ความหนาแน่นกระแสคงที่ 3.0 mA / cm2 (potential¼3 5 V) สำหรับ 75H ความหนาของจีอีเป็นฝาก 400 นาโนเมตร หลังจาก 75H ตัวอย่างจะถูกลบออกทันทีจากอิเล็กได้อย่างรวดเร็วและล้างด้วยปราศจากไอออน (DI) น้ำเพื่อเอาสารตกค้างใด ๆ จากพื้นผิว ชั้น Ge ฝากลวดลายเป็นเส้นแล้วกับ 15 มิลลิเมตรความกว้างและความยาว 200 มมใช้ photolithography ธรรมดาและเทคนิคการแกะสลักเคมีเปียก จากนั้นแกรฟีนสัมผัสถูกฝังโดยใช้ออกซิเจน (O2) แกะสลักพลาสม่าเพื่อเพิ่มการยึดเกาะระหว่างชั้นสูงสุดที่กำหนดและฉนวนกันความร้อนของพื้นผิว ลวดลายแถบ Ge ถูกปกคลุมด้วย 30 นาโนเมตรหนา SiNx ตามด้วยชั้น SiO2 1 มิลลิเมตรหนาฝากแมกสปัตเตอร์เพื่อป้องกันการรวมตัวกันที่รุนแรงของจีอีในช่วง process.Then ละลายอย่างรวดเร็วแถบ Ge ปกคลุมถูกความร้อนได้รับการรักษาโดยการดำเนินการอบความร้อนอย่างรวดเร็ว ที่ 980 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 1 วินาที สุดท้ายชั้นสูงสุดที่กำหนดจะถูกลบออกจากการแกะสลักเคมีก่อนที่จะมีตัวละคร กลุ่มตัวอย่างเป็นฝากถูกตัดไปหลายชิ้นสำหรับการวิเคราะห์ซึ่งรวมถึงตัวละครโดยใช้สเปกรามันอิเล็กตรอนกระเจิงกลับเลนส์ (EBSD) ข้อมูลการปล่อยก๊าซกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (FESEM) และความละเอียดสูงกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (HRTEM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การสะสมของ GE ใน graphene ชั้น( mlg ) / SiO2 / ศรี ( 100 ) พื้นผิว ( graphene ห้องปฏิบัติการอิงค์ calverton , NY , USA ) ได้ทำการศึกษาใน 5 % ผสมของเจอร์เมเนียม ( IV ) คลอไรด์ ( gecl4 ) โพรพิลีนไกลคอล ( c3h8o2 ) ใช้ง่าย สองขั้วที่ บก. ปอศ. ติดตั้งกราฟีน ทำตัวเป็นแคโทด และแพลทินัม ( Pt ) ลวด เป็นแอโนด เป็นมูลค่า noting ที่ครอบคลุมของ mlg ประมาณ 95% และคุณสมบัติของการสะสมไอเคมีโตแกรฟีนสามารถเพิ่มเติมที่พบในอังกฤษ รวมถึงตัวอย่างการเตรียมกระบวนการ บก. ปอศ. ได้กระทำที่อุณหภูมิห้องในไนโตรเจนเติมกล่องถุงมือ ทั้งขั้วบวกและขั้วลบอยู่ที่เชื่อมต่อกับภายนอกกระแสตรง ( DC ) แหล่งจ่ายไฟ . ในขณะที่ดำเนินการภายใต้การควบคุม galvanostatic ที่ความหนาแน่นของกระแสคงที่ในระหว่างการ ให้การแสดงที่ความหนาแน่นกระแสคงที่ของ 3.0 มา / cm2 ( ศักยภาพ¼ 3.5 V ) สำหรับ 75h ความหนาของที่ฝากพี่คือ 400 นาโนเมตร หลังจาก 75h , ตัวอย่างจะถูกลบออกทันทีจากเกลือแร่และรีบล้างด้วยน้ำคล้ายเนื้อเยื่อประสาน ( ตี้ ) เพื่อลบใด ๆที่เหลือจากพื้นผิว มีพี่ชั้นก็มีลวดลายเป็นแถบกว้าง 15 มม. และความยาว 200 mm ใช้แบบเปียกเคมีแกะสลัก 43 และเทคนิค แล้วหลังจากถูกฝังโดยการใช้ก๊าซออกซิเจน ( O2 ) พลาสมาแกะสลักเพื่อเพิ่มการยึดเกาะระหว่างสูงสุดของพื้นผิวและชั้นฉนวน ลวดลาย GE แถบถูกปกคลุมด้วย 30 nm หนา 1 มม. หนา sinx ตามชั้นฝากโดยแมกนีตรอนสปัตเตอริงพ่นเพื่อป้องกันการรุนแรงของ GE ในระหว่างกระบวนการละลายอย่างรวดเร็ว แล้ว ปรบมือ GE แถบความร้อนได้รับการรักษาอย่างถูกกรรมวิธีการอบความร้อนที่ 980 ° C สำหรับ 1s . ในที่สุด , capping ชั้นออกด้วยสารเคมี ภาพก่อนที่จะทำให้ ที่ฝากตัวอย่างถูกตัดหลายชิ้น เพื่อใช้ในการวิเคราะห์ ซึ่งรวมถึงการใช้รามานสเปกโทรสโกปี อิเล็กตรอนที่กระเจิงกลับเลนส์ ( ebsd ) , สนามจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( fesem ) และการใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนการส่งความละเอียดสูง ( hrtem )