All treatments led to 100 % germina

All treatments led to 100 % germination of seeds showing that nano-ZnO did not adversely affect rice
seed germination. The toxicity of nano-ZnO to rice roots is apparent from root length (Table. 2) and number
of roots (Table. 3); concentration is greatly involved with the toxicity, and soaking period also affects (df = 8,
134; F = 3.39; p = 0.002), higher concentration show reduction effect on root length started from 100 mgL-1
and greatly inhibited at concentrations 500 and 1000 mgL-1, with longer soaking time inducing inhibition of
root growth. For number of roots, no interaction (day * concentration) was found (df = 8, 134; F = 0.729; p =
0.67), but it was affected by nano-ZnO concentration similar to root length (df = 4, 134; F = 46.6; p = 0.00)
(Figure 4). Effect by soaking time (day) has no significant (df = 2, 134; F = 2.08; p = 0.129).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การรักษาทั้งหมดนำไป 100% การงอกของเมล็ดแสดงว่า ZnO นาโนได้ไม่กระทบข้าวการงอกของเมล็ดพืช ความเป็นพิษของ ZnO นาโนกับข้าวรากจะเห็นได้ชัดจากรากยาว (ตาราง 2) และหมายเลขของราก (ตาราง. 3); ความเข้มข้นเป็นอย่างมากเกี่ยวข้องกับความเป็นพิษที่ และแช่รอบระยะเวลามีผลต่อ (df = 8134 F = 3.39 p = 0.002), ลดผลกระทบต่อความยาวรากที่เริ่มต้นจาก 100 mgL-1 แสดงความเข้มข้นสูงและห้ามอย่างมากในความเข้มข้น 500 และ 1000 mgL-1 มีแช่ยาวเวลา inducing ยับยั้งเจริญเติบโตของราก จำนวนราก ไม่โต้ตอบ (วัน * ความเข้มข้น) พบ (df = 8, 134 F = 0.729 p =0.67), แต่มันได้รับผลจาก ZnO นาโนเข้มข้นคล้ายกับรากยาว (df = 4, 134 F = 46.6 p = 0.00)(รูปที่ 4) ผล โดยแช่เวลา (วัน) ได้ไม่สำคัญ (df = 2, 134 F = 2.08 p = 0.129)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การรักษาทั้งหมดจะนำไปสู่การงอก 100% ของเมล็ดแสดงให้เห็นว่านาโนซิงค์ออกไซด์ไม่ได้ส่งผลกระทบต่อข้าว
งอกของเมล็ด ความเป็นพิษของนาโนซิงค์ออกไซด์ไปที่รากข้าวก็เห็นได้ชัดจากความยาวของราก (. ตารางที่ 2) และจำนวน
ของราก (ตารางที่ 3.); ความเข้มข้นที่มีส่วนเกี่ยวข้องอย่างมากกับความเป็นพิษและระยะเวลาแช่ยังมีผลต่อ (DF = 8,
134; F = 3.39; p = 0.002) การลดการแสดงความเข้มข้นสูงกว่าผลกระทบต่อความยาวรากเริ่มต้นจาก 100 MGL-1
และยับยั้งอย่างมากที่ความเข้มข้น 500 และ 1000 MGL-1 ด้วยเวลาแช่นานก่อให้เกิดการยับยั้งการ
เจริญเติบโตของราก สำหรับจำนวนของรากไม่มีปฏิสัมพันธ์ (วันที่ความเข้มข้น *) ก็พบว่า (DF = 8, 134; F = 0.729; p =
0.67) แต่มันก็เป็นผลกระทบจากความเข้มข้นของนาโนซิงค์ออกไซด์ที่คล้ายกับความยาวของราก (DF = 4, 134; F = 46.6; p = 0.00)
(รูปที่ 4) ผลกระทบโดยการแช่เวลา (วัน) ไม่มีอย่างมีนัยสำคัญ (DF = 2, 134; F = 2.08; p = 0.129)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การรักษาทั้งหมด LED 100 % การงอกของเมล็ดแสดงว่านาโนซิงค์ออกไซด์ไม่มีผลต่อความงอกของเมล็ดข้าว

ความเป็นพิษของนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปรากฏจากรากข้าวรากยาว ( ตาราง 2 ) และหมายเลข
ของราก ( ตาราง 3 ) ; ความเข้มข้นอย่างมากที่เกี่ยวข้องกับความเป็นพิษและระยะเวลาการแช่ยังมีผลต่อ ( df = 8
1 ; F = 3.39 , p = 0.002 )ที่ความเข้มข้นสูง แสดงผลในการลดความยาวรากเริ่มจาก 100 mgl-1
และช่วยยับยั้งที่ความเข้มข้น 500 และ 1000 mgl-1 กับอีกต่อไปเวลาแช่กระตุ้นการยับยั้ง
การเจริญเติบโตของราก สำหรับจำนวนของราก ไม่มีปฏิสัมพันธ์ ( วัน * สมาธิ ) พบ ( df = 8 , 134 ; F = 0.729 ; P =
0.67 ) แต่ได้รับผลกระทบจากนาโนซิงค์ออกไซด์ความเข้มข้นใกล้เคียงกับความยาวราก ( df = 4 , 134 ; F = 46.6 ;p = 0.00 )
( รูปที่ 4 ) ผลกระทบจากเวลาเปียก ( วัน ) ไม่พบ ( df = 2 , 134 ; F = 2.08 ; P = 0.129 )