prepared red-emitting ZnGa2O4:Cr3+

prepared red-emitting ZnGa2O4:Cr3+ thin film phosphors by a sol–gel process and studied the effects of calcining temperature, film thickness and the type of substrates on microstructures, composition ratios Zn/Ga and optical properties of the polycrystalline
ZnGa2O4:Cr3+ films. In this paper, we prepare the Cr3+-doped ZnGa2O4 powder via a solid-state reaction and then deposit it as a thin film on quartz substrates by the pulsed laser deposition technique
under two different deposition conditions. The emission characteristics of ZnGa2O4:Cr3+ powder and thin film samples are compared, and the effect of oxygen pressure in the deposition process on the crystal structure and optical properties of ZnGa2O4:Cr3+ thin films are examined.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เตรียมแดงเปล่ง ZnGa2O4: Cr3 + ฟิล์มบางสารเรืองแสงโดยกระบวนการโซลเจลและการศึกษาผลกระทบของอุณหภูมิเผาความหนาของฟิล์มและชนิดของพื้นผิวบนจุลภาคอัตราส่วนองค์ประกอบธาตุสังกะสี / Ga และคุณสมบัติแสงของคริสตัลไลน์
ZnGa2O4: Cr3 + ภาพยนตร์ ในบทความนี้เราเตรียม Cr3 + -doped ผง ZnGa2O4 ผ่านปฏิกิริยาของรัฐที่มั่นคงแล้วฝากเป็นฟิล์มบาง ๆ บนพื้นผิวผลึกโดยเทคนิคการสะสมเลเซอร์ชีพจร
ภายใต้เงื่อนไขที่สองให้การของพยานที่แตกต่างกัน ลักษณะการปล่อย ZnGa2O4: Cr3 + ผงและตัวอย่างฟิล์มบางมีการเปรียบเทียบและผลกระทบของความดันออกซิเจนในกระบวนการสะสมในโครงสร้างผลึกและคุณสมบัติแสงของ ZnGa2O4: Cr3 + ฟิล์มบางมีการตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณน่ารักมากคุณน่ารักมากคุณน่ารักมาก