Although much research has been don

Although much research has been done on ISFETs during last decades, several problems still remain unsolved.
Among these, the most important is the extension of ISFETs for measuring species other than hydrogen ions.
A simple solution which has been previously proposed is to chemically modify the surface sites of the insulator
surface by grafting 2 . By this technique, the w x insulatorrelectrolyte interface remains simple and totally
blocking, its potential is determined by surface complexation reaction which can be modeled by the site-binding
model as pH sensitivity 3 . This principle insures a low w x response time and a long lifetime for this simple ISFET
structure, and moreover, there is no indefinite interfacial potential as it is the case for polymeric membranerinsulator
interface 4 . The drawback of the grafting process is that the chemical species are not commercially available,
and a heavy work of chemical synthesis has to be done.
The responses of the grafted ISFETs are sub-nernstian, due
to the low density of grafted sites 5,6 . w x

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แม้มากมีงานวิจัยบน ISFETs ระหว่างทศวรรษ ปัญหาต่าง ๆ ยังคงอยู่ไม่ในหมู่เหล่านี้ สำคัญที่สุดเป็นส่วนขยายของ ISFETs วัดสายพันธุ์อื่นนอกเหนือจากไฮโดรเจนไอออนแก้ปัญหาซึ่งได้เสนอไว้ก่อนหน้านี้คือการ ปรับเปลี่ยนสารเคมีพื้นผิวของฉนวนพื้นผิว โดยการปลูกถ่าย 2 โดยเทคนิคนี้ w x insulatorrelectrolyte อินเตอร์เฟซยังคงเรียบง่าย และทั้งหมดปิดกั้น ศักยภาพจะถูกกำหนด โดยปฏิกิริยาผิวกำเนิดเช่นเดียวซึ่งสามารถเป็นแบบจำลอง โดยรวมไซต์รูปแบบเป็นความไวต่อค่า pH 3 หลักการนี้มั่นใจเวลาการตอบสนอง x w ต่ำและอายุการใช้งานที่ยาวนานสำหรับ ISFET นี้เรียบง่ายโครงสร้าง และนอกจากนี้ มีมีศักยภาพแรงไม่จำกัดเป็นกรณีสำหรับโพลีเมอร์ membranerinsulatorอินเตอร์เฟซที่ 4 การจัดอันดับของกระบวนการ grafting ด้วยว่า สารเคมีชนิดไม่มีจำหน่ายทั่วไปและทำงานหนักของการสังเคราะห์ทางเคมีมีการดำเนินการตอบของ ISFETs ทาบเป็น sub-nernstian เนื่องจากให้ความหนาแน่นต่ำของเว็บไซต์ทาบ 5,6 w x

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แม้ว่าการวิจัยมากได้รับการทำใน ISFETs ในช่วงทศวรรษที่ผ่านมาหลายปัญหายังคงอยู่ยังไม่แก้.
กลุ่มคนเหล่านี้ที่สำคัญที่สุดคือการขยายตัวของ ISFETs สำหรับการวัดสายพันธุ์อื่น ๆ กว่าไฮโดรเจนไอออน.
วิธีง่ายๆที่ได้รับการเสนอก่อนหน้านี้คือการเคมีปรับเปลี่ยน เว็บไซต์ที่พื้นผิวของฉนวน
พื้นผิวโดยการรับสินบน 2 โดยเทคนิคนี้อินเตอร์เฟซ WX insulatorrelectrolyte ยังคงอยู่ที่เรียบง่ายและทั้งหมด
บล็อกที่อาจเกิดขึ้นจะถูกกำหนดโดยปฏิกิริยาเชิงซ้อนพื้นผิวซึ่งสามารถจำลองโดยเว็บไซต์ที่มีผลผูกพัน
รูปแบบความไวพีเอช 3 หลักการนี้มั่นใจเวลาตอบสนองต่ำ WX และอายุการใช้งานนานสำหรับ ISFET นี้ง่าย
โครงสร้างและนอกจากนี้ยังไม่มีศักยภาพ interfacial ไม่แน่นอนมันเป็นกรณีของพอลิเมอ membranerinsulator
อินเตอร์เฟซที่ 4 ข้อเสียเปรียบของกระบวนการการปลูกถ่ายอวัยวะคือการที่สารเคมีชนิดนี้ไม่สามารถใช้ได้ในเชิงพาณิชย์
และการทำงานหนักของการสังเคราะห์สารเคมีจะต้องมีการทำ.
การตอบสนองของ ISFETs ทาบเป็นย่อย nernstian เนื่องจาก
ความหนาแน่นต่ำของเว็บไซต์ทาบ 5,6 . WX

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แม้ว่าการวิจัยมากได้รับการทำใน isfets ในระหว่างทศวรรษสุดท้าย หลายปัญหายังคงอยู่ยังไม่แก้ระหว่างนี้ สำคัญที่สุดคือ การขยายของ isfets วัดชนิดอื่นนอกเหนือจากไฮโดรเจนไอออนง่ายโซลูชั่นที่ได้รับก่อนหน้านี้ที่เสนอคือการปรับเปลี่ยนพื้นผิวทางเว็บไซต์ของฉนวนผิวโดยการก 2 โดยเทคนิคนี้ กว้าง x insulatorrelectrolyte อินเตอร์เฟซง่ายและทั้งหมดยังคงการปิดกั้นศักยภาพของมันจะถูกกำหนดโดยพื้นผิวซึ่งสามารถจำลองการเกิดปฏิกิริยาโดยเว็บไซต์ผูกพันนางแบบ อไว 3 หลักการนี้ insures W x เวลาตอบสนองต่ำและอายุการใช้งานยาวนาน isfet ง่ายๆนี้โครงสร้าง และมีศักยภาพที่ไม่แน่นอน ( เป็นกรณี membranerinsulator พอลิเมอร์เฟส 4 ข้อเสียเปรียบของการ กระบวนการ คือ ชนิดสารเคมีไม่อาดและทำงานอย่างหนักของการสังเคราะห์ทางเคมีได้การตอบสนองของกราฟต์ isfets มีย่อย nernstian เนื่องจากกับความหนาแน่นต่ำของกราฟต์ไซต์ 5 , 6 . W x