Porous thin films comprisedof ITO n

Porous thin films comprisedof ITO nanoparticles were prepared using aspin-coating method followed by annealing and reported to haveelectrical resistivities in the order of 10−2 cm

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เก็บกัก comprisedof ITO porous ฟิล์มบางที่เตรียมโดยใช้วิธีการเคลือบ aspin ตาม ด้วยการอบเหนียว และรายงาน resistivities haveelectrical กับ 10−2 ซม.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางนาโนพรุน comprisedof ITO ได้จัดทำขึ้นโดยใช้วิธีการ Aspin เคลือบตามด้วยการหลอมและรายงานต่อความต้านทาน haveelectrical ในคำสั่งของ 2/10 หรือไม่ ซม.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุฟิล์มบาง ITO จำนวนอนุภาคเตรียมใช้วิธีตามด้วยการอบชุบแอ็สปิ้น และรายงานให้ haveelectrical resistivities ในลำดับที่ 10 − 2  ซม.