Results showthat bandgap energies o

Results showthat bandgap energies of all N-doped TiO
were lower
than those of un-doped TiO
and P-25. The bandgap changed from
3.20 eV (P-25) to 2.85 and 3.08 for TiO
2
/DEA, 3.05 and 3.20 for
TiO
2
/TEN and 3.10 and 3.20 for TiO
2
2
/urea. The first bandgap reflects
the effect of N-doping on the main band edges of the oxide. The second
gap, which is narrower than the original value, suggests that
nitrogen doping contributed to the redshift of the bandgap. This
narrower bandgap will facilitate excitation of electrons from the
valence band to the conduction band in the doped oxide semiconductor
under visible light illumination, which can result in higher
photocatalytic activities.
2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผล showthat bandgap พลังงานของทั้งหมด N doped TiOถูกล่างกว่าของ TiO doped ไม่และ P-25 Bandgap เปลี่ยนจาก3.20 eV (P-25) 2.85 และ 3.08 สำหรับ TiO2/ DEA, 3.05 และ 3.20 สำหรับติ้ว2/ 10 และ 3.10 และ 3.20 สำหรับ TiO22/urea first bandgap reflectsลักษณะพิเศษของโดปปิงค์ N บนขอบเป็นวงหลัก ที่สองช่องว่าง ซึ่งเป็นที่แคบลงกว่าค่าเดิม แนะนำที่โดปปิงค์ไนโตรเจนส่วนการการเคลื่อนไปทางแดงของ bandgap นี้bandgap แคบกว่าจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจากการวงในการนำสารกึ่งตัวนำออกไซด์ doped วงเวเลนซ์ภายใต้การมองเห็นแสงไฟส่องสว่าง ที่สามารถส่งผลสูงกิจกรรมกระ2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลังงานผล showthat bandgap ของ N-เจือติ้ว
ต่ำ
กว่าผู้ที่ไม่เจือติ้ว
และ P-25 bandgap เปลี่ยนจาก
3.20 eV (P-25) อยู่ที่ 2.85 และ 3.08 สำหรับ TiO
2
/ ปป, 3.05 และ 3.20 สำหรับ
TiO
2
/ สิบ 3.10 และ 3.20 สำหรับ TiO
2
2
/ ยูเรีย Fi แรก bandgap ใหม่ ECTS ชั้น
ผลของ N-ยาสลบในขอบวงหลักของออกไซด์ สอง
ช่องว่างที่แคบกว่าค่าเดิมแสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนยาสลบทำให้ redshift ของ bandgap นี้
bandgap แคบจะอำนวยความสะดวกในการกระตุ้นของอิเล็กตรอนจาก
วงดนตรีกับวงดนตรีจุการนำในเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์เจือ
ภายใต้การส่องแสงที่มองเห็นซึ่งอาจส่งผลให้สูงขึ้น
ปฏิกิริยากิจกรรม
2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลการทดลองพบ bandgap พลังของลุง

n-doped ที่ต่ำกว่าด้วย
p-25 ระหว่างสหประชาชาติและ . การ bandgap เปลี่ยนจาก
3.20 EV ( p-25 ) 2.85 3.08 สำหรับและติ๋ว
2
/ DEA , 3.05 และ 3.20 สำหรับ

2
/ ลุงสิบและ 3.10 และ 3.20 สำหรับติ๋ว
2
2
/ ยูเรีย จึงเป็นfl RST bandgap ects
ผลของ n-doping ในวงหลักขอบของออกไซด์ ช่องว่างที่สอง
ซึ่งแคบกว่าค่าเดิมแสดงให้เห็นว่า
ไนโตรเจนเติมส่วนคุณสมบัติของ bandgap . นี้จะช่วยกระตุ้น bandgap
แคบอิเล็กตรอนจาก
2 วงดนตรีที่จะนำวงดนตรีในการเจือออกไซด์สารกึ่งตัวนำ
ภายใต้แสงที่มองเห็นแสงสว่าง ซึ่งจะเป็นผลให้สูงกว่า

2
รีกิจกรรม