As shown in Fig. 4, AlN thin film w

As shown in Fig. 4, AlN thin film was conformally deposited over the step edge of the bottom electrode. No cleavage formation was formed. It suggests that the Si formed a favorable site for the AlN nucleation as compared to the thermally grown oxide on Si.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงใน Fig. 4, AlN ฟิล์มบางได้ฝากผ่านขอบขั้นตอนของอิเล็กโทรดล่าง conformally ไม่ก่อความแตกแยกเกิดขึ้น แนะนำว่า ในการก่อตั้งไซต์สำหรับ nucleation AlN เมื่อเทียบกับออกไซด์แพปลูกบนซีดี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังแสดงในรูป 4 ALN ฟิล์มบางถูกวาง conformally เหนือขอบขั้นตอนของอิเล็กโทรดด้านล่าง การสร้างความแตกแยกไม่ถูกสร้างขึ้น มันแสดงให้เห็นว่าศรีกลายเป็นเว็บไซต์ที่ดีสำหรับนิวเคลียส ALN เมื่อเทียบกับการเติบโตในความร้อนออกไซด์ศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังแสดงในรูปที่ 4 , ฟิล์มบางเป็น conformally ALN ผ่านขั้นตอนฝากขอบของขั้วล่าง ไม่มีการสร้างเป็นรูปแบบ มันแสดงให้เห็นว่าจังหวัดรูปแบบที่เว็บไซต์ที่ดีสำหรับ ALN ขนาดเมื่อเทียบกับปริมาณที่ปลูกออกไซด์บนครับ