These metallization structures had

These metallization structures had an
optimal specific contact resistance in the range of 10
6 X cm2.
Thermal and electrical stress tests showed that the contacts
remained stable after subjected to extreme conditions. The Auger
analysis results showed no significant evidence of diffusion of Cu
atoms into the GaAs layer or Ge substrates. In addition, concentrator
solar cells were fabricated with these metal structures to verify
the applicability of Cu-based contacts for the III–V solar cells. The
solar cell fabricated achieved an efficiency of approximately 30%
at 120 suns. After a thicker (5 lm) cap layer of Cu was implemented,
the conversion efficiency of the Cu-metallized solar cells
improved to 37% at 120 suns. In summary, reliability of the III–V
solar cell with Cu based contacts is demonstrated in this paper.
The reduction in cost achieved by avoiding Au or Ag as demonstrated
has the potential to increase the competitiveness of the
III–V solar cells in the commercial market.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างการ metallization เหล่านี้มีการเหมาะสมเฉพาะติดต่อต้านทานในช่วง cm2 X 10 6ทดสอบความตึงเครียดของความร้อน และไฟฟ้าพบว่าผู้ติดต่อยังคงมั่นคงหลังจากภายใต้สภาวะ ชอนผลการวิเคราะห์พบว่าไม่มีหลักฐานสำคัญของการแพร่ของ Cuอะตอมในชั้น GaAs หรือพื้นผิวของ Ge นอกจากนี้ อาทิตย์หัวเซลล์แสงอาทิตย์ได้หลังสร้าง ด้วยโครงสร้างโลหะเหล่านี้เพื่อตรวจสอบความเกี่ยวข้องของ Cu ใช้ติดต่อสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ III – V ที่หลังสร้างเซลล์แสงอาทิตย์สำเร็จมีประสิทธิภาพประมาณ 30%ที่ดวง 120 หลังจากหนา (5 lm) ดำเนินการชั้นหมวกของ Cuประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์ Cu metallizedเพิ่มขึ้น 37% ที่ 120 ดวง ในสรุป ความน่าเชื่อถือของ III – Vเซลล์แสงอาทิตย์กับ Cu ใช้ผู้ติดต่อจะแสดงในเอกสารนี้การลดต้นทุนโดยการหลีกเลี่ยง Au หรือ Ag ดังมีศักยภาพในการเพิ่มศักยภาพการแข่งขันของการIII – V เซลล์แสงอาทิตย์ในตลาดการค้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้าง metallization
เหล่านี้มีความต้านทานติดต่อเฉพาะที่ดีที่สุดในช่วง10? 6 X cm2. การทดสอบความเครียดความร้อนและไฟฟ้าแสดงให้เห็นว่ารายชื่อที่ยังคงมีเสถียรภาพหลังจากที่อยู่ภายใต้สภาพอากาศที่รุนแรง สว่านผลการวิเคราะห์แสดงให้เห็นว่าไม่มีหลักฐานที่สำคัญของการแพร่กระจายของ Cu อะตอมเข้าไปในชั้น GaAs หรือพื้นผิวที่จีอี นอกจากนี้หัวเซลล์แสงอาทิตย์ได้รับการประดิษฐ์ที่มีโครงสร้างโลหะเหล่านี้ในการตรวจสอบการบังคับใช้ของรายชื่อCu-based สำหรับ III-V เซลล์แสงอาทิตย์ เซลล์แสงอาทิตย์ประดิษฐ์ประสบความสำเร็จอย่างมีประสิทธิภาพประมาณ 30% ที่ 120 ดวงอาทิตย์ หลังจากที่หนา (5 LM) ชั้นหมวกของทองแดงได้รับการดำเนินการมีประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์แสงอาทิตย์ Cu-metallized เพิ่มขึ้นเป็น 37% ที่ 120 ดวงอาทิตย์ ในการสรุปความน่าเชื่อถือของ III-V เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีรายชื่อลูกบาศ์กตามจะแสดงให้เห็นในบทความนี้. ลดค่าใช้จ่ายในการประสบความสำเร็จโดยการหลีกเลี่ยง Au หรือ Ag แสดงให้เห็นว่ามีศักยภาพที่จะเพิ่มศักยภาพการแข่งขันของIII-V เซลล์แสงอาทิตย์ในเชิงพาณิชย์ ตลาด.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างงานเหล่านี้มีความต้านทานติดต่อเฉพาะ
เหมาะสมในช่วง 10
6 x CM2 .
ความร้อนและการทดสอบความเครียดไฟฟ้า พบว่ายังคงมีเสถียรภาพ หลังจากติดต่อ
ภายใต้สภาวะที่รุนแรง ผลวิเคราะห์ไม่พบ Auger
สำคัญของการแพร่กระจายของซียู
อะตอมในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์หรือ GE ท นอกจากนี้ หัว
เซลล์แสงอาทิตย์ถูกสร้างด้วยโครงสร้างโลหะเหล่านี้เพื่อตรวจสอบความเกี่ยวข้องของการติดต่อกับฐาน
3 – 5 สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์
เซลล์แสงอาทิตย์สร้างความมีประสิทธิภาพประมาณ 30 %
120 ซัน หลังหนา ( 5 กล. ) หัวหน้าชั้นของจุฬาฯ ก็ใช้ประสิทธิภาพของการแปลงจุฬาฯ

metallized เซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มขึ้น 37% ที่ 120 ซัน ในการสรุป , ความน่าเชื่อถือของ 3 – 5
เซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้ติดต่อกับจุฬาฯ แสดงให้เห็นในกระดาษนี้ .
การลดค่าใช้จ่ายในทำได้โดยหลีกเลี่ยง AU หรือ AG เป็นแสดง
มีศักยภาพในการเพิ่มขีดความสามารถในการแข่งขันของ
3 – 5 เซลล์แสงอาทิตย์ในตลาดเชิงพาณิชย์