The preparations of Bi film modifie

The preparations of Bi film modified working electrode by ex situ
mode were performed according to Serrano et al. [19] with minor
modification. In brief, the working electrode (ILGPE or GCE), the SCE
reference electrode, and the Pt auxiliary electrodes were immersed in
10 mL of 0.1 M acetate buffer solution (pH 4.5) containing 600 μg/L
Bi3+. Deposition E of −0.80 V was applied for 300 s with solution
stirring (without deoxygenating operation), followed by an extended
period (without stirring) of 20 s. Once the Bi film was deposited, the
three electrodes were rinsed thoroughly with water.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การเตรียมฟิล์มสองปรับไฟฟ้าทำงานด้วยเช่นแหล่งกำเนิดโหมดดำเนินการตามปลอด et al. [19] พร้อมรองปรับเปลี่ยน โดยย่อใน อิเล็กโทรดทำงาน (ILGPE หรือ GCE), SCEอิเล็กโทรดอ้างอิง และขั้วไฟฟ้าเสริม Pt ถูกแช่อยู่ใน0.1 M อะซิเตบัฟเฟอร์ (pH 4.5) โซลูชันที่มี 600 ไมโครกรัม/L 10 มล.Bi3 + ใช้สะสม E ของ −0.80 V 300 s ด้วยกวน (ไม่ มีการดำเนินการ deoxygenating), ตาม ด้วยการขยายระยะเวลา (โดยไม่กวน) 20 s เมื่อฟิล์มสองฝาก การขั้วที่สามถูกล้างสะอาด ด้วยน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเตรียมการของหนัง Bi ปรับเปลี่ยนขั้วไฟฟ้าทำงานโดยแหล่งกำเนิดอดีต
โหมดได้ดำเนินการตาม Serrano, et al [19] กับผู้เยาว์
การปรับเปลี่ยน ในช่วงสั้น ๆ ขั้วทำงาน (ILGPE หรือ GCE) ที่ SCE
ขั้วอ้างอิงและขั้วไฟฟ้า Pt เสริมถูกแช่อยู่ใน
10 มล 0.1 การแก้ปัญหา M อะซิเตตบัฟเฟอร์ (pH 4.5) ที่มี 600 ไมโครกรัม / L
Bi3 + การสะสมของ E -0.80 V ถูกนำมาใช้สำหรับ 300 S กับการแก้ปัญหา
กวน (โดยไม่ต้องดำเนินการ deoxygenating) ตามด้วยการขยาย
ระยะเวลา (โดยไม่กวน) 20 s เมื่อภาพยนตร์ Bi ถูกวางที่
สามขั้วไฟฟ้าถูกล้างให้สะอาดด้วยน้ำ