The RCD snubber circuit and MOSFET

The RCD snubber circuit and MOSFET drain voltage waveform
are shown in figure 10 and 11, respectively. The RCD
snubber network absorbs the current in the leakage inductance
by turning on the snubber diode (Dsn) once the MOSFET
drain voltage exceeds the voltage of node X as depicted
in figure 10. In the analysis of snubber network, it is
assumed that the snubber capacitor is large enough that its
voltage does not change significantly during one switching
cycle

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปคลื่นแรงดันไฟฟ้าระบายน้ำได้ snubber วงจรและมอสเฟตมีแสดงในรูปที่ 10 และ 11 ตามลำดับ ได้เครือข่าย snubber ดูดซับกระแสใน inductance รั่วโดยการเปิดไดโอด snubber (Dsn) ครั้งมอสเฟตท่อระบายแรงดันเกินแรงดันโหนด X ตามที่แสดงในรูปที่ 10 ในการวิเคราะห์เครือข่าย snubberสันนิษฐานว่าตัวเก็บประจุ snubber ขนาดใหญ่ที่เพียงพอของแรงดันไฟฟ้าไม่เปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญระหว่างสลับหนึ่งวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วงจร Snubber RCD และสัญญาณแรงดันท่อระบายน้ำ MOSFET
จะแสดงในรูปที่ 10 และ 11 ตามลำดับ RCD
เครือข่าย Snubber ดูดซับในปัจจุบันในการเหนี่ยวนำการรั่วไหล
โดยการเปิดไดโอด Snubber (DSN) ครั้งเดียว MOSFET
แรงดันท่อระบายน้ำเกินกว่าแรงดันไฟฟ้าของโหนด X เป็นที่ปรากฎ
ในรูปที่ 10. ในการวิเคราะห์เครือข่าย Snubber จะถูก
สันนิษฐานว่า Snubber ตัวเก็บประจุที่มีขนาดใหญ่พอที่จะทำให้ของ
แรงดันไฟฟ้าไม่เปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในช่วงการเปลี่ยนหนึ่ง
รอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คนชอบดูถูกคนอื่น และวงจรที่ RCD MOSFET ระบายรูปคลื่นแรงดัน
แสดงในรูปที่ 10 และ 11 ตามลำดับ คนชอบดูถูกคนอื่นที่ RCD
เครือข่ายดูดซับปัจจุบันในการรั่วไหลของตัวเหนี่ยวนำ
เปิดคนชอบดูถูกคนอื่น ไดโอด ( DSN ) เมื่อแรงดันเกิน MOSFET
ระบายแรงดันของโหนด x เป็นภาพ
ในรูปที่ 10 ในการวิเคราะห์เครือข่ายคนชอบดูถูกคนอื่น มัน
สันนิษฐานว่าคนชอบดูถูกคนอื่นตัวเก็บประจุมีขนาดใหญ่เพียงพอที่
แรงดันไม่ได้เปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในช่วงหนึ่งเปลี่ยน
วัฏจักร