The n-type (n+) dopants are diffuse

The n-type (n+) dopants are diffused or ion implanted, and the three n+ are formed for the formation of the terminals of NMOS.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

n-ประเภท (n +) สารเจือได้รับการกระจายหรือไอออนปลูกฝังและทั้งสาม + n จะเกิดขึ้นสำหรับการก่อตัวของขั้วของ NMOS ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไป ( n ) ในจะกระจายหรือไอออนปลูกฝัง และสาม N จะเกิดขึ้นสำหรับการก่อตัวของขั้วของ nmos .