A layer of silicon di oxide (SiO2)

A layer of silicon di oxide (SiO2) typically 1 micrometer thick is grown all over the surface of the wafer to protect the surface, acts as a barrier to the dopant during processing, and provide a generally insulating substrate on to which other layers may be deposited and patterned.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นของออกไซด์ di ซิลิคอน (SiO2) โดยปกติ 1 ไมโครเมตรหนาปลูกทั่วพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เพื่อปกป้องพื้นผิว ทำหน้าที่เป็นอุปสรรคการ dopant ในระหว่างการประมวลผล และให้กับพื้นผิวโดยทั่วไปฉนวนไปซึ่งชั้นอื่น ๆ อาจจะฝาก และลวดลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นของซิลิกอนดิออกไซด์ (SiO2) โดยปกติ 1 ไมโครเมตรหนาปลูกทั่วพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เพื่อปกป้องพื้นผิวที่ทำหน้าที่เป็นอุปสรรคต่อการเจือปนในระหว่างการประมวลผลและให้พื้นผิวทั่วไปฉนวนบนที่ชั้นอื่น ๆ อาจจะ ฝากและลวดลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชั้นของซิลิคอนไดออกไซด์ ( SiO2 ) โดยปกติ 1 ไมโครเมตรหนาปลูกทั่วพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เพื่อปกป้องพื้นผิว , การกระทำที่เป็นอุปสรรค ต่อโดพันท์ในระหว่างการประมวลผล และให้โดยทั่วไปในชั้นอื่น ๆวัสดุฉนวนซึ่งอาจจะฝาก และลวดลาย