X-ray photon-stimulated desorption

X-ray photon-stimulated desorption of ions from semiconductor surfaces has been studied in detail by use of synchrotron radiation with photon energies between 2.8 and 12 keV

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Desorption ถูกกระตุ้นเราเอ็กซ์เรย์ของประจุจากพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำมีการศึกษาในรายละเอียด โดยใช้รังสี synchrotron กับโฟตอนพลังงานระหว่าง 2.8 และ 12 keV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

X-ray คายโฟตอนกระตุ้นของไอออนจากพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ที่ได้รับการศึกษาในรายละเอียดโดยใช้รังสีซินโครกับพลังงานโฟตอนระหว่าง 2.8 และ 12 เคฟ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เอกซเรย์โฟตอนกระตุ้นการปลดปล่อยไอออนจากพื้นผิวสารกึ่งตัวนำได้ศึกษาในรายละเอียดโดยการใช้รังสีซินโครตรอนกับโฟตอนพลังงานระหว่าง 2.8 และ 12 เคฟ