X-ray photon-stimulated desorption

X-ray photon-stimulated desorption of ions from semiconductor surfaces has been studied in detail by use of synchrotron radiation with photon energies between 2.8 and 12 keV. The excitation process and the desorption site was identified by means of time-of-flight spectroscopy in combination with X-ray standing waves. Experiments were performed for submonolayers of CsCl on Si(111), Ge on H:Si(111)-1×1, as well as on clean Si(111)-7×7. © 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ศึกษา desorption ถูกกระตุ้นเราเอ็กซ์เรย์ของประจุจากพื้นผิวของสารกึ่งตัวนำในรายละเอียด โดยใช้รังสี synchrotron กับโฟตอนพลังงานระหว่าง 2.8 และ 12 keV กระบวนการในการกระตุ้นและไซต์ desorption เป็น identified โดยใช้เวลา flight กร่วมกับเอกซเรย์คลื่นยืน ทดลองดำเนินการ submonolayers ของ CsCl ใน Si(111), Ge ใน H:Si (111) 1 × 1 ตลอดจนในสะอาดศรี (111) -7 × 7 © 1999 Elsevier วิทยาศาสตร์ b.v สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

X-ray คายโฟตอนกระตุ้นของไอออนจากพื้นผิวเซมิคอนดักเตอร์ที่ได้รับการศึกษาในรายละเอียดโดยใช้รังสีซินโครกับพลังงานโฟตอนระหว่าง 2.8 และ 12 เคฟ กระบวนการกระตุ้นและเว็บไซต์ที่หลุดออกเป็นสายการระบุ ed โดยวิธีการของชั้นเวลา -of-ight สเปกโทรสโกร่วมกับคลื่นยืน X-ray การทดลองดำเนินการสำหรับ submonolayers ของ CsCl ในศรี (111) Ge ใน H: Si (111) -1 × 1, เช่นเดียวกับศรีสะอาด (111) -7 × 7 © 1999 Elsevier Science BV สงวนลิขสิทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เอกซเรย์โฟตอนกระตุ้นการปลดปล่อยไอออนจากพื้นผิวสารกึ่งตัวนำได้ศึกษาในรายละเอียดโดยการใช้รังสีซินโครตรอนกับโฟตอนพลังงานระหว่าง 2.8 และ 12 เคฟ การกระตุ้นกระบวนการและมีผลต่อเว็บไซต์ที่ถูก identi จึงเอ็ดโดยวิธีการของเวลา - fl ight สเปกโทรสโกปีในการรวมกันกับยืนรังสีคลื่น ทดลองสำหรับ submonolayers ของ CSCL กับศรี ( 111 ) , GE h :ศรี ( 111 ) - 1 × 1 , เช่นเดียวกับศรีสะอาด ( 111 ) - 7 × 7 สงวนลิขสิทธิ์ 2542 Elsevier Science นอกจากนี้สงวนลิขสิทธิ์