In this paper, an alternative metho

In this paper, an alternative method for the fabrication of ZnO nanowires with excellent crystallinity is presented. With the inclusion of In in the growth process, we show that the morphology of the end products can be changed from nanopins to nanowires. In addition, we point out that the effects of In inclusion can improve crystalline quality of ZnO, and suppress defect density. Our results shown here pave a new route for the creation of high quality optoelectronic devices based on ZnO nanostructures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ วิธีการสำรองสำหรับประดิษฐ์ของ nanowires ZnO มี crystallinity แห่งการนำเสนอ มีการรวมของในในกระบวนการเจริญเติบโต แสดงว่า รูปร่างชิ้นงานสามารถเปลี่ยนจาก nanopins เป็น nanowires นอกจากนี้ เราชี้ว่า ผลในการรวมสามารถปรับปรุงคุณภาพผลึกของ ZnO และระงับความหนาแน่นความบกพร่อง ผลของเราไปถางเส้นทางใหม่สำหรับการสร้างอุปกรณ์ optoelectronic คุณภาพตาม ZnO nanostructures

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เป็นวิธีทางเลือกสำหรับการผลิตของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ที่มีผลึกที่ดีจะนำเสนอ ด้วยการรวมในการเจริญเติบโตในกระบวนการที่เราแสดงให้เห็นว่าลักษณะทางสัณฐานวิทยาของผลิตภัณฑ์สุดท้ายที่สามารถเปลี่ยนจากการ nanopins nanowires นอกจากนี้เรายังชี้ให้เห็นว่าผลกระทบของการในการรวมสามารถปรับปรุงคุณภาพของผลึกซิงค์ออกไซด์และปราบปรามความหนาแน่นของข้อบกพร่อง ผลของเราแสดงที่นี่ปูเส้นทางใหม่สำหรับการสร้างอุปกรณ์ optoelectronic คุณภาพสูงบนพื้นฐานของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้เป็นวิธีทางเลือกสำหรับการซิงค์ออกไซด์นาโนกับผลึกที่ยอดเยี่ยมที่นำเสนอ . ด้วยการรวมในกระบวนการเจริญเติบโต เราแสดงให้เห็นว่าลักษณะของผลิตภัณฑ์สุดท้ายที่สามารถเปลี่ยนจาก nanopins กับนาโน . นอกจากนี้เรายังชี้ให้เห็นว่าผลของการรวมสามารถปรับปรุงคุณภาพของผลึกของ ZnO และปราบปรามความหนาแน่นของข้อบกพร่องผลของเราแสดงที่นี่ปูเส้นทางใหม่สำหรับการสร้างที่มีคุณภาพสูงอุปกรณ์ optoelectronic จากซิงค์ออกไซด์นาโน .