Low-energy ion irradiation of DNA i

Low-energy ion irradiation of DNA is of great interest in fundamental studies on mechanisms involved in
low-energy ion beam induced mutation, plasma sterilization and ionizing radiation risk of lives. We have
made the first attempt to use low-energy ions in plasma immersion ion implantation and deposition (PIII-D)
to bombard naked plasmid DNA to investigate effect on the DNA structural modification and mutation.
Naked DNA samples were immersed in either argon or nitrogen plasma in low pressure and then bombarded
by ions in the plasma in different conditions, namely, using a low bias of −2.5 kV, or no bias, in which the
sample holder was either grounded or not grounded, to low fluences of 1011, 1012 and 1013 ions/cm2. The
plasma-treated DNA was transferred into bacteria E. coli. Mutation was found from the bacterial colonies
when DNA was bombarded with the bias, but not found when DNA was bombarded without a bias. This
indicates that ions with energy only at the order of the thermal energy cannot induce mutation but with lowenergy
of keV the ions can. Subsequent gel electrophoresis and DNA sequencing analyzed the DNA structural
changes and found certain modifications in the DNA forms.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นวิธีการฉายรังสีไอออนพลังงานต่ำของดีเอ็นเอในกลไกที่เกี่ยวข้องกับการศึกษาขั้นพื้นฐานลำไอออนพลังงานต่ำทำให้เกิดการกลายพันธุ์ พลาสม่าฆ่าเชื้อ และความเสี่ยงรังสี ionizing ของชีวิต เรามีทำครั้งแรกใช้ประจุพลังงานต่ำในพลาสม่าแช่ไอออนประดิษฐ์และสะสม (PIII-D)การ bombard เปลือย plasmid DNA เพื่อตรวจสอบผลการปรับเปลี่ยนโครงสร้างของดีเอ็นเอและการกลายพันธุ์ตัวอย่างดีเอ็นเอเปลือยกายแช่อยู่ในไนโตรเจนหรืออาร์กอนพลาสมาในความดันต่ำ และระดมโดยประจุในพลาสมาในสถานการณ์ต่าง ๆ ได้แก่ ใช้ความโน้มเอียงต่ำสุดของ −2.5 kV หรือไม่มีอคติ ซึ่งการตัวอย่างผู้มีสูตร หรือไม่ สูตร การ fluences ต่ำของ 1011, 1012 และ 1013 ประจุ/cm2 ที่ถือว่าพลาสม่าดีเอ็นเอถูกถ่ายโอนเข้าไปในแบคทีเรีย E. coli ตรวจพบการกลายพันธุ์จากอาณานิคมแบคทีเรียเมื่อ DNA ถูก bombarded กับเส้นทแยง แต่ไม่พบเมื่อดีเอ็นเอได้ระดมยิงโดยไม่มีอคติ นี้บ่งชี้ว่า กัน ด้วยพลังงานที่สั่งของพลังงานความร้อนไม่สามารถก่อให้เกิดการกลายพันธุ์แต่ มี lowenergyของ keV ประจุสามารถ ต่อมาเจ electrophoresis และลำดับดีเอ็นเอวิเคราะห์โครงสร้างดีเอ็นเอเปลี่ยนแปลง และพบการปรับเปลี่ยนบางอย่างในรูปแบบดีเอ็นเอ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การฉายรังสีไอออนพลังงานต่ำของดีเอ็นเอมีความสนใจอย่างมากในการศึกษาขั้นพื้นฐานในกลไกที่เกี่ยวข้องใน
- พลังงานลำแสงไอออนพลาสมาและการชักนำให้เกิดการกลายพันธุ์ , ฆ่าเชื้อรังสีความเสี่ยงของชีวิต เรามี
ทำให้ความพยายามครั้งแรกที่จะใช้ในการปลูกฝังไอออนไอออนพลังงานต่ำแช่พลาสมา และการ piii-d )
การทิ้งระเบิดเปลือยเพื่อศึกษาผลในพลาสมิดดีเอ็นเอดีเอ็นเอ โครงสร้างการเปลี่ยนแปลงและการกลายพันธุ์
เปลือยตัวอย่างดีเอ็นเอถูกแช่อยู่ในไนโตรเจนอาร์กอนหรือพลาสมาความดันต่ำ แล้วระดมยิง
โดยไอออนในพลาสมาในเงื่อนไขที่แตกต่างกัน ได้แก่ การใช้ค่าต่ำของ− 2.5 กิโล หรือ ไม่มีอคติ ซึ่ง
ตัวอย่าง ผู้ถูกกักบริเวณหรือกักบริเวณ ให้คุณ fluences ต่ำ ,