Recently, the surface diffusion in

Recently, the surface diffusion in the epitaxial growth of semi-conductor nanowires have attracted intensive attentions becauseof the high surface-to-volume ratio, non-equilibrium processes, aswell as the influence on basic properties [1–5].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อเร็ว ๆ นี้ แพร่พื้นผิวในการเติบโต epitaxial ของ nanowires สารกึ่งตัวนำมีดึงดูดความสนใจป่านฉะนี้เร่งรัดเนื่องจากอัตราส่วนพื้นผิวระดับสูง กระบวนการไม่สมดุล เช่นเป็นอิทธิพลในคุณสมบัติพื้นฐาน [1-5]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเร็ว ๆ นี้การแพร่กระจายพื้นผิวในการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโน epitaxial กึ่งตัวนำได้ดึงดูดความสนใจอย่างเข้มข้น becauseof อัตราส่วนพื้นสู่ปริมาณสูงกระบวนการที่ไม่สมดุลตลอดจนอิทธิพลเกี่ยวกับคุณสมบัติพื้นฐาน [1-5]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อเร็ว ๆนี้ , พื้นผิวกระจายในการเจริญเติบโต epitaxial ได้ดึงดูดความสนใจของ semi-conductor นาโนเข้มข้นมีพื้นผิวสูงถึงอัตราส่วนปริมาตรไม่สมดุลกระบวนการและมีอิทธิพลต่อคุณสมบัติพื้นฐาน 1 ) [ 5 ]