Test case 1 has been performed to g

Test case 1 has been performed to get a reference for openloop
control and closed-loop control with increased RDS(ON).
The output voltage drops with an increase in RDS(ON) during
test case 2. Since the ambient temperature T in (13) was fixed
to 25 ◦C, decreased voltage stress across the output capacitor
will result in smaller failure rate λCAP0. Moreover, the power
loss in the MOSFET was decreased due to smaller input current
(4.15 A) compared with 4.28 A in test case 1. The case
temperature of the MOSFET was decreased from 44.6 ◦C to
40.4 ◦C. Therefore, these observations agree with the fact that
increased ON-state resistance of the MOSFET in an open-loop
boost converter will increase the reliability of the entire power
converter since the MOSFET and the capacitor are the most
failure-prone components here [2].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กรณีทดสอบ 1 มีการได้รับการอ้างอิงสำหรับ openloopควบคุมและควบคุมวงปิด RDS(ON) เพิ่มขึ้นแรงดันเอาท์พุทลดลง ด้วยการเพิ่ม RDS(ON) ในระหว่างกรณีทดสอบ 2 เนื่องจากอุณหภูมิไม่คงที่ T ใน (13)ไป 25 ◦C ลดความเครียดแรงดันในตัวเก็บประจุออกจะทำขนาดเล็ก λCAP0 อัตราความล้มเหลว นอกจากนี้ อำนาจขาดทุนในมอสเฟตถูกลดลงเนื่องจากการป้อนข้อมูลที่มีขนาดเล็กกว่าปัจจุบัน(4.15 A) เมื่อเทียบกับ 4.28 A ในกรณีทดสอบ 1 กรณีและปัญหาอุณหภูมิของมอสเฟตถูกลดลงจาก 44.6 ◦C จะ40.4 ◦C ดังนั้น ข้อสังเกตเหล่านี้ตรงกับข้อเท็จจริงที่ในรัฐต้านทานที่เพิ่มขึ้นของมอสเฟตในการเปิดวงแปลงเพิ่มจะเพิ่มความน่าเชื่อถือของพลังงานทั้งหมดแปลงเนื่องจากตัวมอสเฟตและตัวเก็บประจุมีมากที่สุดความล้มเหลวได้ง่ายส่วนประกอบที่นี่ [2]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การทดสอบกรณีที่ 1 ได้รับการดำเนินการที่จะได้รับการอ้างอิงสำหรับ openloop
การควบคุมและการควบคุมวงปิดที่มีเพิ่มขึ้น RDS (ON).
หยดแรงดันขาออกที่มีการเพิ่มขึ้นใน RDS (ON)
ในระหว่างการกรณีทดสอบ2. เนื่องจากอุณหภูมิ T ใน (13 )
ได้รับการแก้ไขถึง25
◦Cลดความเครียดแรงดันในตัวเก็บประจุที่ส่งออกจะส่งผลให้อัตราความล้มเหลวที่มีขนาดเล็กλCAP0
นอกจากนี้ยังมีอำนาจในการสูญเสียในมอสเฟตลดลงอันเนื่องมาจากการป้อนข้อมูลปัจจุบันที่มีขนาดเล็ก
(4.15 A) เมื่อเทียบกับ 4.28 ในกรณีทดสอบ 1.
กรณีที่อุณหภูมิของมอสเฟตลดลงจาก44.6 ◦Cไป
40.4 ◦C ดังนั้นการสังเกตเหล่านี้เห็นด้วยกับความจริงที่ว่าเพิ่มขึ้นต้านทานON-รัฐของมอสเฟตในวงเปิดแปลงเพิ่มจะเพิ่มความน่าเชื่อถือของอำนาจทั้งแปลงตั้งแต่MOSFET และตัวเก็บประจุเป็นส่วนใหญ่องค์ประกอบความล้มเหลวได้ง่ายที่นี่[2] .

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กรณีทดสอบที่ 1 ได้รับการปฏิบัติที่จะได้รับการอ้างอิงสำหรับ openloop
ควบคุมและควบคุมแบบปิดเพิ่มขึ้น RDS ( บน )
แรงดัน output ลดลงด้วยการเพิ่ม RDS ( on ) ระหว่าง
กรณีทดสอบ 2 เนื่องจากอุณหภูมิ T ( 13 ) คงที่
25 ◦ C ลดความเครียดผ่านตัวเก็บประจุแรงดันเอาต์พุต
จะมีผลขนาดเล็กอัตราความล้มเหลวλ cap0 . นอกจากนี้ พลัง
การสูญเสียใน MOSFET ลดลงเนื่องจากขนาดเล็กกระแสอินพุต
( 4.15 ) เมื่อเปรียบเทียบกับผลในกรณีทดสอบ 1 กรณี
อุณหภูมิของมอสเฟต คือลดลงจาก 44.6 ◦ C

C ความ◦จึงสังเกตเหล่านี้เห็นด้วยกับความจริงที่ว่า
เพิ่มสภาพความต้านทานของมอสเฟตในแบบปิด
เพิ่มแปลงจะเพิ่มความน่าเชื่อถือของ
พลังทั้งหมดแปลงตั้งแต่ MOSFET และตัวเก็บประจุเป็นส่วนมาก
ความล้มเหลวมักจะองค์ประกอบที่นี่ [ 2 ]