This paper focuses on overcoming sh

This paper focuses on overcoming short circuit and cleavage formation during the fabrication of thin film AlN force sensor that requires an overlapping film structure. Various underlying substrate materials were explored to study and eliminate the cracking issues. Through thin film stress analysis, it was clear that alarge mechanical stress difference existed between the AlN film deposited on Au and that deposited on the thermal oxide, leading to cracks and short circuit during the top electrode deposition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระดาษนี้เน้น overcoming ไฟฟ้าลัดวงจร และก่อความแตกแยกระหว่างการผลิตของฟิล์มบาง AlN บังคับให้เซ็นเซอร์ที่เป็นโครงสร้างทับซ้อนกันของฟิล์ม วัสดุพื้นผิวแบบต่าง ๆ ได้สำรวจศึกษา และกำจัดปัญหา cracking ผ่านการวิเคราะห์ความเครียดของฟิล์มบาง เป็นชัดเจนว่า alarge ความเครียดเชิงกลแตกต่างอยู่ระหว่างฟิล์ม AlN ฝากใน Au และที่ฝากในออกไซด์ความร้อน การนำไปสู่รอยแตกร้าวและไฟฟ้าลัดวงจรในระหว่างสะสมบนอิเล็กโทรด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้มุ่งเน้นไปที่การเอาชนะไฟฟ้าลัดวงจรและการสร้างความแตกแยกในระหว่างการผลิตของฟิล์มบาง ALN เซ็นเซอร์แรงที่ต้องใช้โครงสร้างภาพยนตร์ที่ทับซ้อนกัน วัสดุพื้นผิวต่าง ๆ ที่อยู่ภายใต้การสำรวจเพื่อศึกษาและขจัดปัญหาการแตกร้าว ผ่านฟิล์มวิเคราะห์ความเครียดบางเป็นที่ชัดเจนว่าแตกต่างความเครียดเชิงกล alarge อยู่ระหว่างฟิล์ม ALN วางลงบน Au และวางลงบนออกไซด์ความร้อนที่นำไปสู่​​รอยแตกและไฟฟ้าลัดวงจรในช่วงการสะสมขั้วด้านบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระดาษนี้จะเน้นที่การลัดวงจรและสร้างความแตกแยกระหว่างการผลิตฟิล์มบาง ALN บังคับเซ็นเซอร์ที่ต้องใช้ฟิล์มกันโครงสร้าง พื้นผิววัสดุต่าง ๆ เป็นต้น โดยใช้การศึกษาและขจัดการแตกประเด็น โดยเน้นการวิเคราะห์ฟิล์มบางมันชัดเจนว่าเป็นกลความเครียดแตกต่างกันอยู่ระหว่าง ALN ฟิล์มฝากใน AU และที่ฝากไว้บนออกไซด์ความร้อน ทำให้เกิดรอยแตกและการลัดวงจรระหว่างขั้วด้านบน