In Figure 6.9, these values are ind

In Figure 6.9, these values are indicated when lapped. With three different kinds of abrasives, each value is shown in order of (SiC) Al2O3 emery (SiC produced by nature), which implies the dependence upon the hardness of abrasives[12]. On the other hand, a different tendency arises with fragile lapping material. Processing efficiency and surface roughness of TeO2 single crystal, which is more fragile and softer than LiTaO3 crystal, are shown in Figure 6.10. Little difference is noted in lapping efficiency among four kinds of abrasives used: SiC, Al2O3, emery, and garnet (A2B3(SiO4)3 produced by nature A: Ca, Mg, Mn, Fe, Bi, Al, Cr, Fe). Slight differences in the surface roughness seem to be caused by the distribution of abrasive size[13].

Figure 6.9.
Relationship between abrasives and specific stock removal of LiTaO3 single crystal [12]
Figure options

Figure 6.10.
Relationship between abrasive, stock removal, and surface roughness of TeO2 single crystal [13]
ปที่ 6.10
ความสัมพันธ์ระหว่างการขัดถอนหุ้นและพื้นผิวที่ขรุขระของ TeO2 ผลึกเดี่ยว [13]
Figure options
Because abrasives are crushed, it is necessary to use harder abrasives for the lapping of harder and lower-efficiency materials. Such abrasives are unnecessary for soft materials with high lapping efficiency.
Surface roughness on lapped work is usually interpreted as the result of the generation of chips. It is desirable to convert the extra energy, supplied to make chips, into heat energy to be removed with the chips. However, such energy is actually kept in the lapped surface in the form of strain, stress, and damaged layers. No divergence occurs in the relation between chip generation and surface toughness. In lapping hard and brittle materials such as glass, the presence of plastic deformation on a top surface layer, microcrack toward the inside, and plastic and elastic deformations at the extension of such cracks have been detected. These issues have been clarified by lapping single crystals such as quartz and silicon. [12] and [14]
The depth of a damaged layer on a lapped surface is estimated to be 6 to 15 times as large as surface roughness and in the same order of dimension of the abrasives used. On the basis of such estimation, a reasonable stock allowance for lapping and polishing can be determined for device fabrications.
Lapping Machines
Because a mirror-like, high-accuracy surface can be easily obtained with a simple lapping machine, an advanced precision machine is not needed.
One of the simplest lapping equipment uses a lap of ϕ200–ϕ300 mm. The workpieces are manually abraded against the lap at 300–1000 rpm while simultaneously supplying slurry and pressing the workpieces against the lap surface in a to-and-fro motion in the direction of the lap diameter. Such a lapping method is similar to the metallurgical polishing using Al2O3 or Cr2O3 abrasive powder and a felt sheet polisher; this polishing method is used to observe the microscopic structure of metal specimen.
Some improvements were made on lens lapping and polishing machines. For example, manual lapping operations were shifted to the machine, with increasing relative speeds between the work and laps while maintaining high working pressures. In a working operation of the lens and polishing machine, workpieces—with a driving pin at the center of the back—are forced against the rotation lap surface. The pin allows the workpiece to make reciprocating motions and to rotate in conformity with the revolution of the lap as shown inFigure 6.4.
In making a theoretical analysis for precision lapping, it is necessary to consider the motion between the work and lap, the deviated distribution of abrasive size, and the surface toughness of the work caused by the destruction of abrasives. The level of complications in this area has prevented exploration of it.
When lapping flat surfaces and spherical surfaces of a long focal point, a conditioning ring-type lapping machine, shown in Figure 6.11, has been employed. The conditioning ring and conditioning plate are forced down against the rotating ring lap surface thus maintaining the lap surface in good condition.

Figure 6.11.
Conditioning ring-type lapping machine
Figure options

6.4. Polishing
The stock removal unit in the polishing machine is small as is shown in Figure 6.3. Abrasives only act on the top layer of a work surface because much finer abrasives and softer tools are adopted than in the case of lapping.
In glass polishing, fine metal oxide abrasives, such as cerium oxide power (CeO2) and red rouge powder (Fe2O3) of less than 1 μm, are used along with soft polishers such as pitch, wax, plastic, and synthetic leather. The abrasives elastoplastically sustained in the pad (polisher) are presumed to produce extremely small scratches on the pad. Unsubstantial chips in glass polishing accompanied by the hydration phenomenon are shown. However, it is impossible to observe such chips under a wet polishing condition.
Some of the following explanations were given for the mechanism of making a mirror finish for glass:
•
Mechanical stock removal
•
Plastic flows
•
Chemical etching
Mirror finishing methods have various characteristics for different materials as summarized in Figure 6.12. As mechanical and chemical (electric) actions, there are (a) mechanical removal by abrasion, (b) friction to disorder the atomic arrangement, (c) etching and dissolving, and (d) formation of a thin film. The combination of these actions at different ratios constitute various polishing methods that are listed outside the circle [15]. In glass polishing and mechanochemical polishing of silicon wafers, work surfaces are covered with a soft film by chemical reactions that is then mechanically removed by abrasives. These processes are repeated in order to remove surface irregularities and to gradually yield mirror-like surfaces [16], [17] and [18].

Figure 6.12.
Classification of polishing methods based on stock removal mechanisms [15]
รูปที่ 6.12
การจำแนกประเภทของวิธีการขัดขึ้นอยู่กับกลไกการกำจัดหุ้น [15]
Figure options
Polishing Process and Factors
Polishing is an important processing method in the fabrication of the following devices:
•
Passive optical devices: lens and prisms of various sizes, polarizer, and wave-length constant
•
Active optical devices: solid-state laser rod, optical deflector, and electro-optic modulator
•
Piezoelectric devices: quartz oscillator and filter
•
Semiconductor devices: LSI, the magnetic devices as magnetic memory head and magnetic bubble memory
•
Mechanical devices: ceramic plate and ball, etc.
Work materials range from fragile glass and crystal to the hardest materials such as diamond. High-quality and high-precision polishing is performed to meet requirements for a higher grade of device function and performance.
The basis of the device manufacturing process, on lapping using the process of a glass lens, was briefly described in Section 2.0. Polishing factors are shown next to the lapping factors in Table 6.2. A high-quality mirror-like surface is required for polishing. Note that is important to keep the polishing area free of sand particles, dust, and completely separate it from the lapping area. Clean surroundings, a pure water/ultra pure water/DIW supply system, and washing machines for the polishing equipment, jigs, pad (polisher), and other parts are necessary.
With regard to the polishing slurry, careful attention should be paid to the adoption of fine abrasives so as to avoid contamination by large particles and dust.
Abrasives for Polishing
Abrasives contained in the polishing slurry are metal oxide fine powders such as CeO2, Fe2O3, Al2O3, and SiO2; these substances are generally used by being suspended in water. Whether it is suitable is judged by the stock removal and polishing quality accumulated through polishing experiments. Abrasive hardness is one of the criteria for abrasive selection; however, because the values are obtained from single crystals or sintered materials, they do not represent the value of the abrasives themselves. It seems that quite complicated chemical reactions occur with the slurry.
In glass polishing, for instance, CeO2 powder is superior to others in terms of stock removal. Figure 6.13shows a mimetic diagram of the processing mechanism of glass polishing. On the other hand, Fe2O3 is considerably better on surface quality, and pure SiO2 powder is excellent in avoiding contamination from the transition elements.

Figure 6.13.
Processing mechanism of glass polishing

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในรูป 6.9 ค่าเหล่านี้จะแสดงเมื่อสวย มีสามชนิดของ abrasives แต่ละค่าจะแสดงลำดับของกากกะรุน (SiC) Al2O3 (SiC ผลิต โดยธรรมชาติ), ซึ่งหมายถึงการอาศัยตามความแข็งของ abrasives [12] บนมืออื่น ๆ แนวโน้มต่าง ๆ เกิดขึ้นกับวัสดุเปราะบางซัด ประสิทธิภาพในการประมวลผลและความเรียบผิวของ TeO2 เดียวคริสตัล ที่เปราะบางขึ้น และเบากว่า LiTaO3 คริสตัล แสดงในรูปที่ 6.10 ความแตกต่างน้อยจะสังเกตในซัดสาดประสิทธิภาพระหว่างสี่ชนิดกัดกร่อนที่ใช้: ซิลิก้อน Al2O3 กากกะรุน และโกเมน (A2B3 (SiO4) 3 ผลิตโดย a: Ca, Mg, Mn, Fe, Bi อัล Cr, Fe) ความแตกต่างเล็กน้อยในความหยาบผิวดูเหมือนจะเกิดจากการกระจายของขนาด abrasive [13] รูปที่ 6.9 การ ความสัมพันธ์ระหว่างการกัดกร่อนและเอาเฉพาะหุ้นของ LiTaO3 เดียวคริสตัล [12]ตัวเลือกรูป รูปที่ 6.10 การ ความสัมพันธ์ระหว่างทราย หุ้นลบ และความเรียบผิวของผลึกเดี่ยว TeO2 [13]ปที่ 6.10ความสัมพันธ์ระหว่างการขัดถอนหุ้นและพื้นผิวที่ขรุขระของ TeO2 ผลึกเดี่ยว [13]ตัวเลือกรูปเนื่องจากการกัดกร่อนจะบด มันจะต้องใช้กัดกร่อนยากซัดสาดของหนักและการผลิตมีประสิทธิภาพต่ำกว่า ไม่จำเป็นสำหรับวัสดุนุ่มด้วยประสิทธิภาพสูงซัดกัดกร่อนเช่นกันความหยาบผิวงานสวยมักจะได้รับการตีความเป็นผลของการสร้างชิ เป็นแปลงพลังงานเสริม ให้ทำชิ เป็นพลังงานความร้อนออก ด้วยชิปสมควร อย่างไรก็ตาม พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้จริงในผิว lapped ในแบบฟอร์มต้องใช้ ความเครียด และชั้นเสียหาย ไม่ divergence เกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างการสร้างชิพและนึ่งผิว ในวัสดุที่แข็ง และเปราะเช่นแก้วซัดสาด สถานะของแมพพลาสติกบนผิวชั้นบนสุด microcrack ต่อภายใน และ deformations พลาสติก และยืดหยุ่นที่ขยายรอยแตกดังกล่าวพบ ปัญหาเหล่านี้มีการขึ้ โดยซัดสาดเดี่ยวผลึกควอตซ์และซิลิคอน [12] และ [14]ความลึกของชั้นเสียหายบนพื้นผิว lapped คือประมาณ 6 ถึง 15 เท่ามีขนาดใหญ่ เป็นความเรียบผิว และ ในลำดับเดียวกันของมิติของการกัดกร่อนที่ใช้ เกณฑ์การประเมินดังกล่าว สามารถกำหนดส่วนลดสินค้าคงคลังการเหมาะสมซัดสาด และขัดสำหรับอุปกรณ์ fabricationsเครื่องซัดเนื่องจากพื้นผิว เช่นกระจก ความ แม่นยำสูงง่ายได้กับเครื่องซัดเรียบง่าย เป็นเครื่องจักรความแม่นยำขั้นสูงเป็นสิ่งจำเป็นไม่หนึ่งในอุปกรณ์ที่ง่ายที่สุดซัดใช้ตัก ϕ200 – ϕ300 มม. ด้วยตนเองเที่ยงมี abraded กับตักที่ 300-1000 รอบต่อนาทีพร้อมจัดหาน้ำ และกดเที่ยงกับผิวตักในภาพเคลื่อนไหวในทิศทางของเส้นผ่าศูนย์กลางตัก to-and-fro วิธีซัดจะคล้ายกับแบบโลหะขัดใช้ Al2O3 หรือ Cr2O3 abrasive ผงและเป็นแผ่นสักหลาดขัดเงา วิธีนี้ขัดใช้สังเกตโครงสร้างด้วยกล้องจุลทรรศน์ของโลหะปรับปรุงแปลงบนเลนส์ที่ซัดสาด และเครื่องขัด ตัวอย่าง คู่มือการดำเนินงานที่ซัดถูกเปลี่ยนเครื่อง มีการเพิ่มความเร็วสัมพัทธ์ระหว่างงานและรอบในขณะที่รักษาความดันทำงานสูง ในการดำเนินการทำงานของเลนส์และขัดเครื่อง เที่ยง — ด้วย pin ขับกลางหลัง – บังคับกับผิวตักหมุน เทคโนโลยี เพื่อทำให้คอมเพรสเซอร์แอร์ลูกสูบเคลื่อนไหว และ การหมุน โดยการปฏิวัติของตักเป็น inFigure แสดง 6.4 pin ได้ในการวิเคราะห์ทฤษฎีสำหรับความแม่นยำซัดสาด จำเป็นต้องพิจารณาการเคลื่อนไหวระหว่างงานตัก กระจาย deviated ขนาด abrasive และนึ่งผิวของงานที่เกิดจากการกัดกร่อนทำลาย ระดับของภาวะแทรกซ้อนในพื้นที่นี้ได้ทำการสำรวจของเมื่อซัดสาดพื้นผิวเรียบและพื้นผิวทรงกลมของจุดโฟกัสยาว แหวนชนิดนี่ซัดสาด เครื่องแสดงในรูปที่ 6.11 มีการจ้างงาน วงแหวนปรับการปรับจานถูกบังคับลงกับหมุนแหวนตักผิวหน้ารักษาผิวตักในสภาพที่ดีดังนั้น รูปที่ 6.11 การ ปรับวงแหวนชนิดเครื่องซัดตัวเลือกรูป6.4 การขัดหน่วยหุ้นเอาเครื่องขัดมีขนาดเล็กดังแสดงในรูป 6.3 กัดกร่อนเท่านั้นทำบนชั้นบนสุดของผิวทำงานเนื่องจากกัดกร่อนปลีกย่อยและเครื่องมือนุ่มมากมีถึงกว่ากรณีซัดสาดในการขัดกระจก กัดกร่อนโลหะออกไซด์ดี ไฟออกไซด์ซีเรียมออกไซด์ (CeO2) และผงสีแดงรูจ (Fe2O3) ของ μm น้อยกว่า 1 จะใช้กับ polishers นุ่มเช่นระยะห่าง ขี้ผึ้ง พลาสติก และหนังสังเคราะห์ Elastoplastically การกัดกร่อนที่ยั่งยืนในแผ่น (ขัดเงา) จะ presumed การรอยขีดข่วนขนาดเล็กบนแผ่น ชิ unsubstantial ในแก้วขัดหลัง ๆ โดยปรากฏการณ์ไล่น้ำจะแสดงขึ้น อย่างไรก็ตาม มันเป็นไปไม่ได้สังเกตเช่นชิภายใต้การเปียกขัดเงื่อนไขคำอธิบายต่อไปนี้อย่างใดอย่างหนึ่งที่ได้รับสำหรับกลไกในการทำมิเรอร์เสร็จสมบูรณ์สำหรับแก้ว:•เอาหุ้นกล•ขั้นตอนพลาสติก•เคมีกัดวิธีการสิ้นสุดของกระจกมีลักษณะต่าง ๆ สำหรับวัสดุต่าง ๆ ตามที่สรุปไว้ในรูปที่ 6.12 เป็นเครื่องจักรกล และเคมี (ไฟฟ้า) การดำเนินการ มีการเอาออก (ก) เครื่องจักรกล โดยขัดถู, (b) แรงเสียดทานการ disorder อะตอมจัดเรียง กัด (c) และยุบ และ (d) การก่อตัวของฟิล์มบาง ชุดของการกระทำเหล่านี้ในอัตราส่วนที่แตกต่างกันเป็นวิธีการขัดต่าง ๆ ที่อยู่นอกวงกลม [15] ในแก้วขัดและขัดรับซิลิคอน mechanochemical งานพื้นผิวถูกปกคลุม ด้วยฟิล์มนุ่ม โดยปฏิกิริยาเคมีที่แล้วกลไกเอาออก โดยการกัดกร่อน กระบวนการเหล่านี้มีการทำซ้ำ เพื่อเอาความผิดปกติที่พื้นผิว และให้ทีละน้อยเช่นกระจกพื้นผิว [16], [17] [18] และ รูปที่ 6.12 การ การจัดประเภทขัดตามกลไกเอาหุ้น [15]รูปที่ 6.12การจำแนกประเภทของวิธีการขัดขึ้นอยู่กับกลไกการกำจัดหุ้น [15]ตัวเลือกรูปกระบวนการขัดและปัจจัยขัดเป็นวิธีการประมวลผลที่สำคัญในการผลิตของอุปกรณ์ต่อไปนี้:•อุปกรณ์แฝงแสง: เลนส์และ prisms กรองมิเรอร์ขนาดต่าง ๆ ส่วน และค่าคงความยาวคลื่น•อุปกรณ์แสงที่ใช้งานอยู่: ร็อดเลเซอร์โซลิดสเตต deflector แสง และ electro ใย modulator•อุปกรณ์ piezoelectric: oscillator ควอตซ์และกรอง•อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ: LSI อุปกรณ์แม่เหล็กเป็นหน่วยความจำแม่เหล็กใหญ่และหน่วยความจำฟองแม่เหล็ก•อุปกรณ์เครื่องจักรกล: จานเซรามิค และลูก ฯลฯงานวัสดุตั้งแต่แก้วที่เปราะบางและคริสตัลวัสดุที่ยากที่สุดเช่นเพชร คุณภาพ และความ แม่นยำสูงขัดจะดำเนินการเพื่อตอบสนองความต้องการสำหรับเกรดสูงของอุปกรณ์ฟังก์ชันและประสิทธิภาพพื้นฐานของอุปกรณ์การผลิตกระบวนการ ซัดใช้เลนส์แก้ว กระบวนการถูกอธิบายไว้โดยสังเขปในส่วน 2.0 ปัจจัยที่ขัดจะแสดงถัดจากตัวซัดในตาราง 6.2 คุณภาพสูงเช่นกระจกพื้นผิวจะต้องขัด หมายเหตุที่สำคัญให้ตั้งขัดฟรีของอนุภาคทราย ฝุ่น และแยกอย่างสมบูรณ์จากการซัด สภาพแวดล้อมสะอาด เป็นน้ำบริสุทธิ์พิเศษบริสุทธิ์น้ำ /--เพิ่มประสิทธิภาพจัดหาระบบ และเครื่องซักผ้าอุปกรณ์ขัด jigs แผ่น (ขัดเงา), และส่วนอื่น ๆ จำเป็นเกี่ยวกับสารละลายขัด ฟเกควรชำระเงินการกัดกร่อนที่ดีที่ยอมรับเพื่อหลีกเลี่ยงการปนเปื้อน ด้วยฝุ่นและอนุภาคขนาดใหญ่การกัดกร่อนสำหรับขัดกัดกร่อนที่มีอยู่ในสารละลายขัดเป็นผงดีโลหะออกไซด์ เช่น CeO2, Fe2O3, Al2O3, SiO2 โดยทั่วไปใช้สารเหล่านี้ โดยการหยุดชั่วคราวในน้ำ ไม่ว่าจะเป็นเหมาะจะตัดสิน โดยเอาหุ้น และขัดคุณภาพสะสมผ่านขัดทดลอง Abrasive แข็งเป็นหนึ่งในเกณฑ์สำหรับเลือก abrasive อย่างไรก็ตาม เนื่องจากค่าที่ได้จากผลึกเดี่ยว หรือเผาวัสดุ ไม่ได้แสดงค่าของการกัดกร่อนตัวเอง ดูเหมือนว่า ปฏิกิริยาเคมีที่ค่อนข้างซับซ้อนที่เกิดขึ้นกับสารละลายในแก้วขัด เช่น CeO2 ผงได้เหนือกว่าผู้อื่นในแง่ของการออกหุ้น ตัวเลข 6.13shows mimetic ไดอะแกรมของระบบประมวลผลของแก้วขัด บนมืออื่น ๆ Fe2O3 ดีมากคุณภาพผิว และผง SiO2 แท้ยอดเยี่ยมในการหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนจากองค์ประกอบเปลี่ยนแปลง รูปที่ 6.13 การ การประมวลผลกลไกการขัดแก้ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในรูปที่ 6.9 ค่าเหล่านี้จะแสดงให้เห็นเมื่อซัด มีสามชนิดที่แตกต่างกันของการขัด, แต่ละค่าที่ปรากฏอยู่ในคำสั่งของ (SIC) Al2O3 ทราย (SiC ผลิตโดยธรรมชาติ) ซึ่งหมายถึงการพึ่งพาความแข็งของกัดกร่อน [12] บนมืออื่น ๆ ที่มีแนวโน้มที่แตกต่างกันเกิดขึ้นด้วยวัสดุขัดเปราะบาง ประสิทธิภาพการประมวลผลและความขรุขระพื้นผิวของผลึกเดี่ยว TeO2 ซึ่งเป็นที่เปราะบางและนุ่มกว่าคริสตัล LiTaO3 จะแสดงในรูปที่ 6.10 ความแตกต่างเล็ก ๆ น้อย ๆ เป็นข้อสังเกตประสิทธิภาพในการขัดในหมู่สี่ชนิดของการกัดกร่อนใช้ SiC, Al2O3, ทรายและโกเมน (A2B3 (SiO4) 3 ผลิตโดยธรรมชาติ: Ca, Mg, Mn, Fe, Bi อัล Cr, Fe) ความแตกต่างเล็กน้อยในพื้นผิวที่ขรุขระดูเหมือนจะมีสาเหตุมาจากการกระจายตัวของขนาดขัด [13]. รูปที่ 6.9. ความสัมพันธ์ระหว่างการกัดกร่อนและการกำจัดหุ้นที่เฉพาะเจาะจงของ LiTaO3 ผลึกเดี่ยว [12] ตัวเลือกรูปที่รูปที่ 6.10. ความสัมพันธ์ระหว่างขัดถอนหุ้นและ พื้นผิวที่ขรุขระของ TeO2 ผลึกเดี่ยว [13] ปที่ TeO2 ผลึกเดี่ยว [13] รูปที่ตัวเลือกเพราะขัดบดมันเป็นสิ่งจำเป็นที่จะใช้ขัดยากสำหรับขัดของหนักและวัสดุที่มีประสิทธิภาพต่ำ ขัดดังกล่าวไม่จำเป็นสำหรับวัสดุที่อ่อนนุ่มมีประสิทธิภาพสูงขัด. พื้นผิวขรุขระในการทำงานเลียถูกตีความมักจะเป็นผลมาจากรุ่นของชิป เป็นที่พึงประสงค์ในการแปลงพลังงานพิเศษที่จัดมาเพื่อให้ชิปเป็นพลังงานความร้อนจะถูกลบออกที่มีชิป อย่างไรก็ตามการใช้พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้จริงในพื้นผิวเลียในรูปแบบของความเครียดความเครียดและชั้นที่เสียหาย ไม่มีความแตกต่างที่เกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างรุ่นชิปและความทนทานพื้นผิว ในการขัดอย่างหนักและวัสดุเปราะเช่นแก้ว, การปรากฏตัวของการเสียรูปพลาสติกในชั้นผิวด้านบน microcrack ไปยังภายในและพลาสติกและรูปร่างยืดหยุ่นในการขยายตัวของรอยแตกดังกล่าวได้รับการตรวจพบ ปัญหาเหล่านี้ได้รับการชี้แจงโดยขัดผลึกเดียวเช่นควอทซ์และซิลิกอน [12] และ [14] ความลึกของชั้นที่เสียหายบนพื้นผิวที่ซัดประมาณ 6-15 ครั้งมีขนาดใหญ่เป็นพื้นผิวที่ขรุขระและในลำดับเดียวกันของมิติของการกัดกร่อนที่ใช้ บนพื้นฐานของการประมาณค่าดังกล่าวค่าเผื่อหุ้นอย่างเหมาะสมในการขัดและขัดสามารถกำหนดสำหรับพยานอุปกรณ์. เครื่องขัดเพราะเหมือนกระจกพื้นผิวความแม่นยำสูงสามารถรับได้อย่างง่ายดายด้วยเครื่องขัดง่ายเครื่องที่มีความแม่นยำที่สูงไม่ได้ จำเป็น. หนึ่งในอุปกรณ์ขัดง่ายใช้ตักของมมφ200-φ300 ชิ้นงานที่มีการขัดถูด้วยตนเองจากที่ตัก 300-1000 รอบต่อนาทีในขณะเดียวกันการจัดหาสารละลายและกดชิ้นงานกับผิวรอบในการเคลื่อนไหวและเทียวไปในทิศทางของเส้นผ่าศูนย์กลางตัก วิธีการดังกล่าวขัดจะคล้ายกับการขัดโลหะโดยใช้ Al2O3 หรือ Cr2O3 ผงขัดและแผ่นสักหลาดขัด; วิธีการขัดนี้จะใช้ในการสังเกตโครงสร้างโมเลกุลของชิ้นงานโลหะ. การปรับปรุงบางอย่างที่ถูกสร้างขึ้นบนขัดเลนส์และเครื่องขัด ยกตัวอย่างเช่นการดำเนินงานขัดคู่มือถูกขยับไปยังเครื่องที่มีความเร็วเพิ่มขึ้นความสัมพันธ์ระหว่างการทำงานและรอบในขณะที่รักษาแรงกดดันการทำงานสูง ในการดำเนินการในการทำงานของเลนส์และเครื่องขัดชิ้นงานที่มีขาการขับรถที่เป็นศูนย์กลางของกลับถูกบังคับกับผิวรอบการหมุน ขาช่วยให้ชิ้นงานที่จะทำให้การเคลื่อนไหวของลูกสูบและการหมุนตามการปฏิวัติของรอบดังแสดง inFigure 6.4. ในการวิเคราะห์ทางทฤษฎีสำหรับขัดแม่นยำก็เป็นสิ่งจำเป็นที่จะต้องพิจารณาการเคลื่อนไหวระหว่างการทำงานและตักกระจายเบี่ยงเบน ขนาดที่มีฤทธิ์กัดกร่อนและความทนทานพื้นผิวของงานที่เกิดจากการทำลายของสารกัดกร่อน ระดับของภาวะแทรกซ้อนในพื้นที่นี้มีการป้องกันไม่ให้เกิดการสำรวจของมัน. เมื่อขัดพื้นผิวเรียบและพื้นผิวทรงกลมของจุดโฟกัสยาวแหวนชนิดเครื่องขัดเครื่องแสดงในรูปที่ 6.11 ได้รับการว่าจ้าง แหวนจานและเครื่องปรับอากาศที่ถูกบังคับลงกับพื้นผิวตักแหวนหมุนดังนั้นการรักษาผิวรอบในสภาพที่ดี. รูปที่ 6.11. แหวนปรับอากาศประเภทเครื่องขัดตัวเลือกรูปที่6.4 ขัดหน่วยกำจัดหุ้นในเครื่องขัดที่มีขนาดเล็กตามที่แสดงในรูปที่ 6.3 กัดกร่อนเพียงดำเนินการในชั้นบนสุดของพื้นผิวการทำงานเพราะขัดปลีกย่อยมากและเครื่องมือที่จะนำไปใช้นุ่มกว่าในกรณีของการทับ. ในการขัดกระจกขัดโลหะออกไซด์ดีเช่นพลังงานซีเรียมออกไซด์ (CEO2) และผงสีแดงสีแดง (Fe2O3 ) น้อยกว่า 1 ไมโครเมตรถูกนำมาใช้พร้อมกับขัดอ่อนเช่นสนามขี้ผึ้งพลาสติกและหนังสังเคราะห์ ขัดยั่งยืน elastoplastically ในแผ่น (ขัด) สันนิษฐานว่าการผลิตขนาดเล็กมากรอยขีดข่วนบนแผ่น ชิปเป็นเนื้อเป็นหนังในการขัดกระจกพร้อมกับปรากฏการณ์ความชุ่มชื้นจะแสดง แต่ก็เป็นไปไม่ได้ที่จะสังเกตชิปดังกล่าวภายใต้เงื่อนไขที่ขัดเปียก. บางส่วนของคำอธิบายดังต่อไปนี้ได้รับกลไกของการทำให้ผิวกระจกแก้ว: • กำจัดหุ้นวิศวกรรม• ไหลพลาสติก• เคมีแกะสลักกระจกวิธีการตกแต่งมีลักษณะต่างๆสำหรับ วัสดุที่แตกต่างกันสรุปในรูปที่ 6.12 ในฐานะที่เป็นทางกลและทางเคมี (ไฟฟ้า) การกระทำที่มี (ก) การกำจัดกลโดยการขัดถู (ข) แรงเสียดทานที่จะความผิดปกติของการจัดเรียงอะตอม (ค) การแกะสลักและการละลายและ (ง) การก่อตัวของฟิล์มบาง การรวมกันของการกระทำเหล่านี้ในอัตราส่วนที่แตกต่างกันเป็นวิธีการขัดต่างๆที่มีการระบุไว้นอกวงกลม [15] ในการขัดกระจกขัด mechanochemical ซิลิคอนเวเฟอร์, พื้นผิวทำงานที่ถูกปกคลุมไปด้วยภาพยนตร์ที่อ่อนนุ่มจากปฏิกิริยาทางเคมีที่ถูกลบออกไปแล้วโดยอัตโนมัติโดยการกัดกร่อน กระบวนการเหล่านี้มีการทำซ้ำเพื่อที่จะเอาความผิดปกติและพื้นผิวจะค่อยๆผลผลิตพื้นผิวกระจกเหมือน [16] [17] และ [18]. รูปที่ 6.12. การจำแนกประเภทของวิธีการขัดขึ้นอยู่กับกลไกการกำจัดหุ้น [15] รูปที่ [15] ตัวเลือกรูปที่ขัดกระบวนการและปัจจัยที่ขัดเป็นวิธีการประมวลผลที่สำคัญในการผลิตของอุปกรณ์ดังต่อไปนี้• อุปกรณ์แสงแบบ Passive: เลนส์และปริซึมขนาดต่างๆ, โพลาไรและคลื่นที่มีความยาวอย่างต่อเนื่อง• อุปกรณ์แสงใช้งานล่าสุด: รัฐที่มั่นคง แท่งเลเซอร์ดันออปติคอลและโมดูเลเตอร์ไฟฟ้าแก้วนำแสง• อุปกรณ์ Piezoelectric: oscillator ควอทซ์และกรอง• อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์: LSI, อุปกรณ์แม่เหล็กในฐานะหัวหน้าหน่วยความจำและหน่วยความจำแม่เหล็กฟองแม่เหล็ก• อุปกรณ์วิศวกรรม: จานเซรามิกและลูก ฯลฯวัสดุงานช่วง จากแก้วที่เปราะบางและคริสตัลวัสดุที่ยากที่สุดเช่นเพชร ที่มีคุณภาพสูงและขัดความแม่นยำสูงจะดำเนินการเพื่อตอบสนองความต้องการสำหรับชั้นประถมศึกษาปีที่สูงขึ้นของฟังก์ชั่นอุปกรณ์และประสิทธิภาพการทำงาน. พื้นฐานของกระบวนการผลิตอุปกรณ์เกี่ยวกับการขัดโดยใช้กระบวนการของเลนส์แก้วได้รับการอธิบายสั้น ๆ ในมาตรา 2.0 ปัจจัยที่ขัดจะแสดงถัดจากปัจจัยขัดในตารางที่ 6.2 พื้นผิวเหมือนกระจกที่มีคุณภาพสูงเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับการขัด โปรดทราบว่าเป็นสิ่งสำคัญที่จะทำให้พื้นที่ขัดฟรีของอนุภาคทรายฝุ่นและแยกสมบูรณ์จากพื้นที่ทับ สภาพแวดล้อมที่สะอาดน้ำบริสุทธิ์ / น้ำบริสุทธิ์พิเศษ / DIW ระบบการจัดหาและเครื่องซักผ้าสำหรับงานขัด, อุปกรณ์จับยึดแผ่น (ขัด) และส่วนอื่น ๆ ที่มีความจำเป็น. เกี่ยวกับสารละลายขัดความเอาใจใส่และระมัดระวังควรจะจ่ายให้ การยอมรับของการกัดกร่อนที่ดีเพื่อหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนจากอนุภาคขนาดใหญ่และฝุ่นละออง. กัดกร่อนสำหรับขัดกัดกร่อนที่มีอยู่ในสารละลายขัดโลหะออกไซด์ผงดีเช่น CEO2, Fe2O3, Al2O3 และ SiO2; สารเหล่านี้ถูกนำมาใช้โดยทั่วไปถูกระงับในน้ำ ไม่ว่าจะเป็นที่เหมาะสมจะตัดสินโดยการกำจัดหุ้นและคุณภาพการขัดสะสมผ่านการทดลองขัด ความแข็งหยาบกร้านเป็นหนึ่งในเกณฑ์การคัดเลือกที่มีฤทธิ์กัดกร่อน; แต่เนื่องจากค่าจะได้รับจากผลึกเดี่ยวหรือวัสดุที่เผาพวกเขาไม่ได้เป็นตัวแทนของค่ากัดกร่อนตัวเอง มันดูเหมือนว่าจะเกิดปฏิกิริยาทางเคมีซับซ้อนมากเกิดขึ้นกับสารละลาย. ในการขัดกระจกเช่นผง CEO2 จะดีกว่าคนอื่น ๆ ในแง่ของการกำจัดหุ้น รูป 6.13shows แผนภาพการลอกเลียนแบบของกลไกการประมวลผลของการขัดกระจก ในทางตรงกันข้าม, Fe2O3 เป็นอย่างมากที่มีคุณภาพที่ดีขึ้นในพื้นผิวและผง SiO2 บริสุทธิ์เป็นเลิศในการหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนจากองค์ประกอบการเปลี่ยนแปลง. รูปที่ 6.13. กลไกการประมวลผลของการขัดกระจก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในรูป 6.9 ค่าเหล่านี้จะแสดงเมื่อซัด . กับสามชนิดที่แตกต่างกันของเชี่ยว แต่ละค่าจะแสดงในลำดับ ( sic ) Al2O3 กากกะรุน ( ผลิต SiC โดยธรรมชาติ ) ซึ่งแสดงถึงการพึ่งพาความแข็งขัด [ 12 ] ในทางกลับกัน แนวโน้มต่าง ๆเกิดขึ้นกับกรอบห่อหุ้มวัสดุ ประสิทธิภาพการประมวลผลและความเรียบผิวของ teo2 เดียวคริสตัลซึ่งมีความเปราะบางและเบาลงกว่า litao3 คริสตัล , แสดงในรูปที่ 6.10 . ความแตกต่างเล็ก ๆน้อย ๆไว้ในประสิทธิภาพของงาน 4 ประเภท ขัดที่ใช้ : ใช่ , Al2O3 , เอเมอรี และโกเมน ( a2b3 ( sio4 ) 3 ผลิตโดย ธรรมชาติ : Ca , Mg , Fe , Mn , บี , อัล , CR , Fe ) ความแตกต่างเล็กน้อยในความขรุขระพื้นผิวที่ดูเหมือนจะเกิดจากการขัดขนาด [ 13 ] .

รูปที่ 6 .
ความสัมพันธ์ระหว่างการกัดกร่อนและเฉพาะหุ้นการกำจัด litao3 ผลึกเดี่ยว [ 12 ]


รูปที่เลือกรูปที่ 6.10 .
ความสัมพันธ์ระหว่าง ขัด , ถอนหุ้น , และความหยาบผิวของ teo2 ผลึกเดี่ยว [ 13 ]

ปที่ 6.10 ความสัมพันธ์ระหว่างการขัดถอนหุ้นและพื้นผิวที่ขรุขระของ teo2 ผลึกเดี่ยว [ 13 ]

รูปที่เลือกเพราะการกัดกร่อนพังทลาย จะต้องใช้แรงขัดที่ซัดของหนักและวัสดุประสิทธิภาพต่ำกว่า เช่น ไม่จําเป็นสําหรับขัดวัสดุนุ่มที่มีประสิทธิภาพสูงเสียง .
ผิวหยาบกร้าน บนซัดทำงานมักจะตีความเป็นผลของรุ่นของชิป มันเป็นที่พึงปรารถนาที่จะแปลงพลังงานพิเศษ จัด ให้ ชิเป็นพลังงานความร้อนจะถูกลบออกด้วยชิป อย่างไรก็ตาม พลังงานดังกล่าวจะถูกเก็บไว้ในซัดพื้นผิวในรูปแบบของความเครียด ความเครียด และความเสียหายที่ชั้น ไม่มีความแตกต่างเกิดขึ้นในความสัมพันธ์ระหว่างรุ่นชิปและความทนทานพื้นผิว ในการห่อหุ้มแข็งและเปราะ วัสดุเช่นแก้ว , การแสดงตนของการเสียรูปพลาสติกบนชั้นผิวด้านบน microcrack ต่อข้างในที่มีพลาสติกและยืดหยุ่นขยายรอยแตกดังกล่าวถูกตรวจพบ ปัญหาเหล่านี้ได้มีการห่อหุ้มผลึกเดี่ยว เช่น ควอตซ์ และซิลิคอน [ 12 ] และ [ 14 ]
ความลึกของความเสียหายบนพื้นผิวชั้นซัดประมาณ 6 ถึง 15 ครั้งใหญ่เท่า ผิวหยาบกร้าน และในลำดับเดียวกันของมิติของวัสดุที่ใช้ บนพื้นฐานของการประมาณค่าเบี้ยเลี้ยงหุ้นที่เหมาะสมสําหรับขัดและขัดได้ขัดอุปกรณ์สำหรับ fabrications .

เพราะเครื่องกระจกเหมือนพื้นผิวสูงสามารถหาได้ง่ายด้วยง่าย ขัดเครื่องจักรความแม่นยำสูงไม่จําเป็น .
หนึ่งง่ายที่สุดห่อหุ้มอุปกรณ์ใช้ตักของϕ 200 –ϕ 300 มิลลิเมตรชิ้นงานมีถลอกด้วยตนเองกับตักที่ 300 - 1000 รอบ / นาที ในขณะเดียวกัน การจัดหาน้ำและกดชิ้นงานกับพื้นผิวรอบในไปๆมาๆเคลื่อนไหวในทิศทางของรอบเส้นผ่าศูนย์กลาง เช่น ขัด เป็นวิธีที่คล้ายกับโลหะขัดด้วยผงขัดและ Cr2O3 Al2O3 หรือผ้าสักหลาดขัด ;นี้ขัดจะใช้วิธีสังเกตโครงสร้างจุลภาคของชิ้นงานโลหะ
การปรับปรุงบางอย่างถูกสร้างขึ้นมาบนเลนส์ ขัดและขัดเครื่อง ตัวอย่างคู่มือปฏิบัติการขัดที่ถูกย้ายไปที่เครื่อง เพิ่มความเร็วสัมพัทธ์ระหว่างทำงานรอบในขณะที่รักษาความดันทำงานสูงสุด ในการปฏิบัติงานของเลนส์และเครื่องขัดชิ้นงานด้วยขับรถ PIN ที่ศูนย์ของกลับถูกบังคับกับการหมุนรอบพื้นผิว ขาช่วยให้ชิ้นงาน เพื่อให้ลูกสูบเคลื่อนที่และหมุนสอดคล้องกับการปฏิวัติของตัก เป็น infigure 6.4 .
ในการการวิเคราะห์เชิงทฤษฎีสำหรับงานที่ต้องการ จะต้องพิจารณาถึงการเคลื่อนไหวระหว่างการทำงานและตักการเบี่ยงเบนการกระจายขนาด หยาบกร้าน และผิวความเหนียวของงานที่เกิดจากการทำลายของเชี่ยว . ระดับของภาวะแทรกซ้อนในพื้นที่นี้จะขัดขวางการสำรวจ .
เมื่อกระทบพื้นผิวเรียบและพื้นผิวทรงกลมยาวโฟกัส , ปรับแหวนชนิดขัดเครื่อง แสดงในรูปที่ 6.11 , ได้รับการว่าจ้างเครื่องปรับอากาศแหวนและปรับจานให้ลงกับแหวนหมุนตักผิวจึงยังคงรักษาผิวรอบสภาพดี

รูปที่ 6.11 .

รูปเครื่องปรับอากาศชนิดขัดแหวนตัวเลือก

4 . ขัด
หน่วยถอนหุ้นในเครื่องขัดขนาดเล็กตามที่แสดงในรูปที่ 6 .กัดกร่อนเพียงแสดงบนชั้นบนสุดของผิว เพราะขัดปลีกย่อยมากและใช้เครื่องมือเบากว่าในกรณีของการห่อหุ้ม .
ในขัดกระจกขัดดีโลหะออกไซด์ เช่น ซีเรียมออกไซด์พลังงาน ( CeO2 ) และสีแดงผงสีแดง ( Fe2O3 ) น้อยกว่า 1 μ M จะใช้พร้อมกับขัดนุ่ม เช่น สนาม แว็กซ์ พลาสติก และหนังสังเคราะห์ขัด elastoplastically ยั่งยืนในแผ่น ( ขัด ) สันนิษฐานว่าสร้างรอยขีดข่วนขนาดเล็กมากบนแผ่น บอบบางชิปในกระจก ขัดพร้อมด้วยความชุ่มชื้นปรากฏการณ์ที่แสดง แต่มันเป็นไปไม่ได้ที่จะสังเกตชิปดังกล่าว ภายใต้เงื่อนไขการขัดเปียก
บางส่วนของคำอธิบายต่อไปนี้ได้รับสำหรับกลไกของการเสร็จสิ้นกระจกแก้ว :
-

-
พลาสติกเครื่องจักรกลกำจัดหุ้นไหล
-

จบเคมีกัดกระจก วิธีการ ลักษณะต่างๆ สำหรับวัสดุที่แตกต่างกันตามที่สรุปไว้ในรูปที่ 6.12 . ขณะที่ทางกลและทางเคมี ( ไฟฟ้า ) การกระทำ มี ( ) เครื่องจักรกลกำจัดโดยการขัดถู , ( ข ) การเสียดสีกับโรคการจัดเรียงอะตอม ( C ) กัดและละลาย และ ( ง ) การเกิดเป็นฟิล์มบางการรวมกันของเหล่านี้ การกระทำที่อัตราส่วนต่าง ๆถือเป็นการขัดต่าง ๆวิธีการที่อยู่นอกวงกลม [ 15 ] ในการขัดกระจกขัด mechanochemical ซิลิคอนเวเฟอร์ , พื้นผิวงานจะปกคลุมด้วยหนังนุ่ม โดยปฏิกิริยาทางเคมีที่เป็นกลไกถูกกัดกร่อน .กระบวนการเหล่านี้ซ้ำเพื่อลบความผิดปกติของพื้นผิวและค่อย ๆผลผลิตกระจกเหมือนพื้นผิว [ 16 ] [ 17 ] และ [ 18 ] .

รูปที่ 6.12 .
การขัดโดยวิธีหุ้นกำจัดกลไก [ 15 ]

รูปที่ 6.12 การจำแนกประเภทของวิธีการขัดขึ้นอยู่กับกลไกการกำจัดหุ้น [ 15 ]

รูปที่เลือกกระบวนการขัด และปัจจัย
ขัดเป็นวิธีการที่สำคัญในการประมวลผลในการประดิษฐ์อุปกรณ์ดังต่อไปนี้ :
-
เรื่อยๆแสงอุปกรณ์ : เลนส์และปริซึมขนาดต่างๆ polarizer และความยาวของคลื่นที่คงที่
-
ปราดเปรียวอุปกรณ์แสงแกนแสงเลเซอร์สถานะของแข็งและ deflector , เครื่องตรวจจับ Modulator
-
piezoelectric อุปกรณ์ : Oscillator ควอทซ์ และกรอง
-
: LSI อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำอุปกรณ์แม่เหล็กแม่เหล็กและสนามแม่เหล็กเป็นหัวหน่วยความจำ
-
ฟองกลอุปกรณ์ : จานเซรามิค และลูก ฯลฯ
งานวัสดุช่วงจากแก้วคริสตัลที่เปราะบางและแข็ง วัสดุ เช่น เพชร คุณภาพสูงและความแม่นยำสูงขัดจะดําเนินการเพื่อตอบสนองความต้องการสำหรับเกรดที่สูงขึ้นของการทำงานของอุปกรณ์และประสิทธิภาพ .
พื้นฐานของอุปกรณ์การผลิต กระบวนการในการห่อหุ้มด้วยกระบวนการของเลนส์กระจกคือสั้น ๆที่อธิบายไว้ในส่วน 2.0 ขัดปัจจัยที่แสดงถัดจากกระทบปัจจัยในตารางที่ 6.2 . กระจกคุณภาพสูงเช่นพื้นผิวจําเป็นสําหรับขัด หมายเหตุที่สำคัญเพื่อให้ขัดพื้นที่ฟรีของอนุภาคทราย , ฝุ่น , และสมบูรณ์แยกจากเสียงพื้นที่ สภาพแวดล้อมที่สะอาดน้ำบริสุทธิ์น้ำบริสุทธิ์สูง / จัดหาระบบ กรอ. และเครื่องซักผ้าสำหรับอุปกรณ์ขัด , อุปกรณ์จับยึด , แผ่น ( ขัดเงา ) , และส่วนอื่น ๆเป็นสิ่งจำเป็น .
เกี่ยวกับการขัดน้ำ ระวังควรให้ความสนใจกับการยอมรับได้เชี่ยวเพื่อหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนจากอนุภาคขนาดใหญ่และฝุ่น
ขัดขัด
ขัดขัดเป็นที่มีอยู่ในสารละลายโลหะออกไซด์ ผงละเอียดเช่น CeO2 โดย SiO2 Al2O3 , , , และสารเหล่านี้ถูกใช้โดยทั่วไปโดยถูกแขวนลอยในน้ำ ว่ามันเหมาะจะตัดสินโดยหุ้นกำจัดและขัดขัดคุณภาพสะสมผ่านการทดลอง ความแข็งขัดเป็นหนึ่งในเกณฑ์การเลือกขัด อย่างไรก็ตามเพราะค่านิยมที่ได้รับจากผลึกเดี่ยวหรือผงวัสดุ พวกเขาไม่ได้เป็นตัวแทนของมูลค่าของการกัดกร่อนตัวเอง ดูเหมือนว่าค่อนข้างซับซ้อน ปฏิกิริยาทางเคมีเกิดขึ้นกับ ? .
ในขัดแก้ว ตัวอย่างเช่น CeO2 ผงจะเหนือกว่าคนอื่นในแง่ของการสต็อก รูป 6.13shows แผนภาพซึ่งล้อเลียนของการประมวลผลกลไกขัดแก้วบนมืออื่น ๆที่โดยมากดีกว่าในคุณภาพผิวและผงซิลิกาบริสุทธิ์เป็นเลิศในการหลีกเลี่ยงการปนเปื้อนจากการเปลี่ยนแปลงองค์ประกอบ .

รูปที่ 6.13 .


แก้วขัดกลไกการประมวลผลของ