The hole-transporting material (HTM

The hole-transporting material (HTM) consisted of 0.315 M ofSpiro OMeTAD, 0.15 M of tert-butylpyridine and 32 mM of lithium
bis(trifluoromethylsyfonyl)imide salt. The HTM solution was
deposited over the PbeSbeS-coated TiO2 electrode and spun at a
rate of 2000 rpm for 30 s. A gold film of thickness ~100 nm was
evaporated on top of the HTM layer via sputtering to complete the
solar cell fabrication. Fig. 1(b) displays an SEM image of a completed
solar cell, which had the following structure: FTO/blocking layer
(30 nm)/mp-TiO2þPbeSbeS þ Spiro OMeTAD (1.34 mm)/Spiro
OMeTAD overlayer (210 nm)/Au electrode (100 nm), where the
thickness of each layer is indicated in brackets.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัสดุที่หลุมขนส่ง (HTM) ประกอบด้วย 0.315 M ofSpiro OMeTAD 0.15 M ของ tert-butylpyridine และ 32 มมลิเธียม
ทวิ (trifluoromethylsyfonyl) เกลือ imide วิธีการแก้ปัญหา HTM ถูก
ฝากมากกว่า PbeSbeS เคลือบขั้วไฟฟ้า TiO2 และหมุนตัวใน
อัตราที่ 2000 รอบต่อนาทีเป็นเวลา 30 วินาที ฟิล์มทองของความหนา ~ 100 นาโนเมตรได้รับการ
ระเหยที่ด้านบนของชั้น HTM ผ่านสปัตเตอร์ที่จะเสร็จสมบูรณ์
การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ มะเดื่อ. 1 (ข) แสดงภาพ SEM ของเสร็จ
เซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งมีโครงสร้างต่อไปนี้: FTO / ชั้นปิดกั้น
(30 นาโนเมตร) / MP-TiO2þPbeSbeSÞ Spiro OMeTAD (1.34 มม) / สปิโร
OMeTAD overlayer (210 นาโนเมตร) / โออิเล็กโทรด (100 นาโนเมตร) ที่
ความหนาของแต่ละชั้นจะแสดงในวงเล็บ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลุมการขนส่งวัสดุ ( htm ) ประกอบด้วย 0.315 M ofspiro ometad 0.15 เมตร butylpyridine tert 32 มม. ของลิเธียมทวิ ( trifluoromethylsyfonyl imide ) เกลือ สารละลายที่ htmฝากผ่าน pbesbes เคลือบ TiO2 electrode และปั่นใน2 , 000 รอบต่อนาที อัตรา 30 S . ทองหนา ~ 100 nm เป็นฟิล์มระเหยที่ด้านบนของชั้นให้เสร็จสมบูรณ์ผ่าน htm สการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ รูปที่ 1 ( b ) แสดงภาพ SEM ของสมบูรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ที่มีโครงสร้างต่อไปนี้ : FTO / บล็อกชั้น( 30 nm ) / mp-tio2 þ pbesbes þ Spiro ometad ( 1.34 มิลลิเมตร ) / โรometad สิ่งปกคลุม ( 210 nm ) / Au ขั้วไฟฟ้า ( 100 nm ) ที่ความหนาแต่ละชั้นไว้ในเครื่องหมายวงเล็บ