because n-type silicon photovoltaic

because n-type silicon photovoltaic modules have attracted attention owing to their high efficiency, detail mechanism of potential-induced degradation in several n-type silicon photovoltaic modules should be investigated furthermore

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เนื่องจากอาทิตย์ n-type ซิลิคอนได้รับความสนใจเนื่องจากประสิทธิภาพสูง รายละเอียดกลไกการย่อยสลายให้เกิดศักยภาพในหลายอาทิตย์ n-type ซิลิคอนควรตรวจสอบนอกจากนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพราะโมดูลชนิดเอ็นซิลิกอนโซลาร์เซลล์ได้ดึงดูดความสนใจเนื่องจากการที่มีประสิทธิภาพสูงของพวกเขากลไกรายละเอียดของการย่อยสลายที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน N-ประเภทโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนหลายควรจะสอบสวนนอกจากนี้