At pH> 4.00, the electrodeposition

At pH> 4.00, the electrodeposition of cobalt occurs via Co(OH)2 forming in the interface electrode solution (chemicalstage). In the cobalt electrodeposition process the interface electrode solution becomes alkaline due to the water reduction (Eq(5)). The local alkalization that occurs in the interface electrode solution can provoke the precipitation of the Co(OH)2 as showed in Pourbaix diagram (Fig. 1). The presence of cobalt hydroxide was confirmed with an electrochemistry quartz crystalmicrobalance (EQCM) technique, as done by Matsushima et al. [11].H3BO3 was added to the cobalt electrodeposition solution to avoid pH variations in the interface electrode solution. In this case,the electrodeposition of cobalt occurs directly, owing to Eq. (1) [12]. Eqs. (5)–(8) describe the electrodeposition process through formation of a cobalt hydroxide intermediate:
The EQCM technique supplies detailed information about variations in electrodeposition and electrodissolution mass for fine
films, as caused by oxidation and reduction processes [13–20].According to Sauerbrey’s equation, frequency variation (f)ofthe quartz crystal can be correlated with the mass variation (m) and can be written according to Eq. (9):


ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ค่า pH > 4.00 เคลือบของโคบอลต์เกิดผ่าน Co (OH) 2 เป็นในโซลูชันอินเทอร์เฟซสำหรับอิเล็กโทรด (chemicalstage) ในกระบวนการเคลือบโคบอลต์ โซลูชันอินเทอร์เฟซสำหรับอิเล็กโทรดเป็นด่างเนื่องจากน้ำลด (Eq(5)) Alkalization ท้องถิ่นที่เกิดขึ้นในอินเทอร์เฟซสำหรับอิเล็กโทรดโซลูชันสามารถกระตุ้นฝนของบริษัท (OH) 2 เป็นแสดงในไดอะแกรม Pourbaix (Fig. 1) ของไฮดรอกไซด์โคบอลต์ถูก confirmed กับการไฟฟ้าเคมีควอตซ์ crystalmicrobalance (EQCM) เทคนิค ที่ทำโดยมัตสึชิมะ et al. [11]มีเพิ่ม H3BO3 โซลูชันเคลือบโคบอลต์เพื่อหลีกเลี่ยงการเปลี่ยนแปลงค่า pH ในโซลูชันอินเทอร์เฟซสำหรับอิเล็กโทรด ในกรณีนี้ เคลือบของโคบอลต์เกิดขึ้นโดยตรง เพราะ Eq. (1) [12] Eqs (5)–(8) อธิบายกระบวนการเคลือบ โดยการก่อตัวของไฮดรอกไซด์โคบอลต์กลาง:
EQCM เทคนิคการส่งข้อมูลรายละเอียดเกี่ยวกับรูปแบบในการเคลือบและมวล electrodissolution สำหรับ fine
films เป็นที่เกิดจากกระบวนการออกซิเดชันและลด [13 – 20]ตามสมการของ Sauerbrey เปลี่ยนแปลงความถี่ (f) ของผลึกควอตซ์สามารถ correlated กับการเปลี่ยนแปลงมวล (m) และสามารถเขียนตาม Eq. (9):

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ pH > 4.00 , การเกาะของโคบอลต์เกิดขึ้นผ่าน CO ( OH ) 2 รูปในเฟสไฟฟ้าโซลูชั่น ( chemicalstage ) ในโคบอลต์กระบวนการอิเล็กโทรอินเตอร์เฟซขั้วไฟฟ้าโซลูชั่นกลายเป็นด่างเนื่องจากการลดน้ำ ( EQ ( 5 ) )alkalization ท้องถิ่นที่เกิดขึ้นในการเชื่อมต่อไฟฟ้าโซลูชั่นสามารถกระตุ้นการตกตะกอนของ CO ( OH ) 2 เป็นแสดงในแผนภาพ pourbaix ( รูปที่ 1 ) การปรากฏตัวของโคบอลต์ มีคอน จึง rmed ด้วยเคมีไฟฟ้าควอตซ์ crystalmicrobalance ( eqcm ) เทคนิคที่ทำโดย Matsushima et al . [ 11 ]h3bo3 เติมโคบอลต์ ในขณะที่โซลูชั่นเพื่อหลีกเลี่ยง pH ในอินเตอร์เฟซขั้วไฟฟ้าโซลูชั่น ในกรณีนี้ ในขณะที่ของโคบอลต์เกิดขึ้นโดยตรง เพราะอีคิว ( 1 ) [ 12 ] EQS . ( 5 ) - ( 8 ) อธิบายกระบวนการอิเล็กโทรผ่านการก่อตัวของโคบอลต์โซดาไฟกลาง :
เทคนิค eqcm วัสดุ ข้อมูลเกี่ยวกับการเปลี่ยนแปลงในการเกาะและมวล electrodissolution สำหรับจึง ne
จึงจัดเป็นเกิดจากการออกซิเดชันและกระบวนการลด 13 ) [ 20 ] sauerbrey ตามสมการของการเปลี่ยนแปลงความถี่ (  F ) ของผลึกควอตซ์สามารถมีความสัมพันธ์กับมวลการเปลี่ยนแปลง  M ) และสามารถเขียนได้ตาม เพื่ออีคิว 

( 9 ) :