positive voltage placed on p-type m

positive voltage placed on p-type material
holes in p-type move away from positive terminal, electrons in n-type move further from negative terminal
depletion region becomes smaller - resistance of device decreases
voltage increased until critical voltage is reached, depletion region disappears, current can flow freely

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แรงดันไฟฟ้าบวกที่วางอยู่บนวัสดุชนิด pหลุมใน p-ย้ายจากเทอร์มินัลบวก อิเล็กตรอนชนิด n ย้ายหวลบสถานีการลดลงของพื้นที่จะเล็กลง - ความต้านทานของอุปกรณ์ลดลงแรงดันเพิ่มขึ้นจนถึงแรงดันที่สำคัญ การลดลงของพื้นที่หายไป กระแสสามารถไหลได้อย่างอิสระ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แรงดันบวกที่วางอยู่บนวัสดุชนิดพี
หลุมในการย้ายชนิดพีห่างจากขั้วบวกอิเล็กตรอน n-ชนิดย้ายออกไปจากขั้วลบ
ภูมิภาคพร่องจะมีขนาดเล็ก - ความต้านทานของอุปกรณ์ลด
แรงดันที่เพิ่มขึ้นจนแรงดันไฟฟ้าที่สำคัญถึงภูมิภาคพร่องหายไป ปัจจุบันสามารถไหลได้อย่างอิสระ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บวกแรงดันอยู่ในหลุมในวัสดุ
พีพีย้ายออกจากขั้วบวก อิเล็กตรอนในทั่วไปย้ายเพิ่มเติมจากลบขั้ว
การพร่องเขตเล็กลง - ความต้านทานของอุปกรณ์ลดแรงดันไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าวิกฤต
เพิ่มขึ้น จนมาถึงเขตพร่องหายไป ปัจจุบันสามารถไหลได้อย่างอิสระ