3.6. Electrochemical studyElectroch

3.6. Electrochemical study
Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) is an effective method
for characterization of electrode processes. Complex plane (Nyquist)
plots of the EIS are often utilized for an easy estimate of the circuit elements.
These plots include a semicircle portion and a linear portion. The
Nyquist diameter is equal to the charge transfer resistance, Rct. Fig. 5A
and B displays the Nyquist diagram of the carbon paste electrode in
the absence and presence of SDS in solution, respectively. As we could
notice, the visible decrease in the diameter of semicircle would happen.
Rct decrease from 8.64 × 105 Ω cm2 for CPE in the absence of SDS to
1.65 × 105 Ω cm2 in the presence of SDS. The impedance data demonstrated
the facility electron transfer between BPR and electrode in the
presence of SDS. The impedance data attained, which has been analyzed
by the Randles circuit and was shown in Fig. 5 insert, offers a great fit to
the experimental data.
The influence of scan rate on the voltammetric peak was studied for
solution containing 0.08 μM of BPR in the range of 0.02 to 0.1 V s−1. It
was observed that the oxidation peak current of the BPR increased linearly
with the square root of the scan rate, which points toward a diffusion
transfer-controlled process (Fig. 6).
A Tafel plot is a useful device for estimating the kinetic parameters.
The number of electrons involved in the rate determining step can be
evaluated from the slope of the Tafel plot. The average Tafel slopes
were obtained at 0.1290 V decade−1, demonstrating a one electron process
for rate determining step. The transfer coefficient (α) is a measure
of the symmetry of the energy barrier. The value for αwas calculated to
be 0.55 using the relationship of b=2.30 RT / n(1−α)F. This value indicates
that the energy barrier is symmetrical [32].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.6 การศึกษาไฟฟ้ากความต้านทานไฟฟ้า (EIS) เป็นวิธีมีประสิทธิภาพสำหรับคุณสมบัติของกระบวนการอิเล็กโทรด เครื่องบินคอมเพล็กซ์ (Nyquist)ผืนของ EIS จะถูกนำมาใช้สำหรับการประเมินองค์ประกอบของวงจรง่ายมักผืนนี้รวมส่วน semicircle และส่วนเชิงเส้น ที่เส้นผ่าศูนย์กลางของ Nyquist จะเท่ากับต่อต้านค่าธรรมเนียมโอน ของ 5A Rct. Fig.และ B แสดงไดอะแกรม Nyquist ของอิเล็กโทรดวางคาร์บอนในการขาดงานและสถานะของ SDS ในโซลูชัน ตามลำดับ เราสามารถสังเกต มองเห็นลดลงเส้นผ่าศูนย์กลางของ semicircle จะเกิดขึ้นRct ลดจาก cm2 Ω× 105 8.64 CPE ของ SDS ไปCm2 Ω 1.65 × 105 ในต่อหน้าของ SDS แสดงข้อมูลความต้านทานการถ่ายโอนอิเล็กตรอนสิ่งอำนวยความสะดวกระหว่าง BPR และอิเล็กโทรดในการสถานะของ SDS ความต้านทานข้อมูลได้ ซึ่งได้รับการวิเคราะห์โดย Randles ในวงจร และมีแสดงใน Fig. 5 แทรก ข้อเสนอที่ดีเหมาะสมสำหรับการข้อมูลการทดลองเป็นศึกษาอิทธิพลของอัตราการสแกนในช่วง voltammetricโซลูชันที่ประกอบด้วย μM 0.08 ตามลำดับของ BPR ในช่วง 0.02-0.1 V s−1 มันได้สังเกตว่า ออกซิเดชันสูงสุดปัจจุบันของ BPR การเพิ่มเชิงเส้นมีค่ารากที่สองของการสแกน ซึ่งชี้ไปทางที่แพร่โอนย้ายควบคุมกระบวนการ (Fig. 6)แผน Tafel เป็นอุปกรณ์ที่มีประโยชน์การประมาณพารามิเตอร์เดิม ๆจำนวนอิเล็กตรอนที่เกี่ยวข้องในอัตรากำหนดขั้นตอนได้ประเมินจากความชันของแผน Tafel ลาด Tafel เฉลี่ยได้รับที่ decade−1 V 0.1290 เห็นกระบวนหนึ่งอิเล็กตรอนในอัตราที่กำหนดขั้นตอน สัมประสิทธิ์การถ่ายโอน (α) เป็นการวัดของสมมาตรของอุปสรรคพลังงาน ค่าสำหรับคำนวณ αwasสามารถใช้ความสัมพันธ์ของ b 0.55 = 2.30 RT / เอ็นเอฟ (1−α) ค่านี้บ่งชี้ว่าว่า อุปสรรคพลังงานเป็นสมมาตร [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.6 การศึกษาไฟฟ้า
สเปกโทรสโกความต้านทานไฟฟ้า (EIS) เป็นวิธีที่มีประสิทธิภาพ
สำหรับลักษณะของกระบวนการอิเล็กโทรด เครื่องบินคอมเพล็กซ์ (Nyquist)
แปลง EIS ถูกนำมาใช้มักจะประมาณการได้ง่ายขององค์ประกอบวงจร.
แปลงเหล่านี้รวมถึงส่วนครึ่งวงกลมและส่วนเชิงเส้น
เส้นผ่าศูนย์กลาง Nyquist เท่ากับต้านทานค่าใช้จ่ายการโอน Rct มะเดื่อ 5A
และ B แสดงแผนภาพ Nyquist ของอิเล็กโทรดวางคาร์บอนใน
กรณีที่ไม่มีและการปรากฏตัวของ SDS ในการแก้ปัญหาตามลำดับ ขณะที่เราสามารถ
สังเกตเห็นการลดลงมองเห็นได้ในขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางของวงกลมที่จะเกิดขึ้น.
Rct ลดลงจาก 8.64 × 105 Ω cm2 สำหรับ CPE ในกรณีที่ไม่มี SDS เพื่อ
1.65 × 105 Ω cm2 ในการปรากฏตัวของ SDS ข้อมูลที่แสดงให้เห็นถึงความต้านทาน
การถ่ายโอนอิเล็กตรอนสิ่งอำนวยความสะดวกระหว่าง BPR และอิเล็กโทรดใน
การแสดงตนของ SDS ข้อมูลต้านทานบรรลุซึ่งได้รับการวิเคราะห์
โดยวงจร Randles และได้รับการแสดงในรูป 5 แทรกมีแบบที่ดีให้กับ
ข้อมูลการทดลอง.
อิทธิพลของอัตราการสแกนบนยอด voltammetric การศึกษาสำหรับ
การแก้ปัญหาที่มี 0.08 ไมครอนของ BPR ในช่วง 0.02-0.1 V s-1 มัน
ถูกตั้งข้อสังเกตว่าการเกิดออกซิเดชันสูงสุดปัจจุบันของ BPR เพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรง
กับรากที่สองของอัตราการสแกนซึ่งชี้ไปแพร่
ขั้นตอนการโอนการควบคุม (รูปที่. 6).
พล็อต Tafel เป็นอุปกรณ์ที่มีประโยชน์สำหรับการประเมินค่าพารามิเตอร์การเคลื่อนไหว
จำนวนอิเล็กตรอนที่เกี่ยวข้องในการกำหนดอัตราขั้นตอนที่สามารถ
ประเมินจากความลาดเอียงของพล็อต Tafel ลาด Tafel เฉลี่ย
ที่ได้รับที่ 0.1290 V-1 ทศวรรษที่ผ่านมาแสดงให้เห็นถึงกระบวนการอิเล็กตรอนหนึ่ง
สำหรับการกำหนดอัตราขั้นตอน ค่าสัมประสิทธิ์การถ่ายเท (α) เป็นตัวชี้วัด
ของสมมาตรของอุปสรรคพลังงาน ค่าสำหรับαwasคำนวณ
เป็น 0.55 โดยใช้ความสัมพันธ์ของข = 2.30 RT / n (1-α) F ค่านี้บ่งชี้
ว่าอุปสรรคพลังงานเป็นสมมาตร [32]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.6 ไฟฟ้าเคมีศึกษา
ไฟฟ้าเคมีอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปี ( EIS ) เป็นวิธีที่มีประสิทธิภาพสำหรับการ
กระบวนการอิเล็กโทรด เครื่องบินที่ซับซ้อน ( Nyquist )
แปลงของ EIS มักจะใช้สำหรับการประเมินที่ง่ายของวงจร .
แปลงเหล่านี้รวมถึงส่วนครึ่งวงกลม และส่วนที่เป็นเส้น เส้นผ่าศูนย์กลาง
Nyquist เท่ากับค่าธรรมเนียมโอนความต้านทาน Razorflame . รูปที่ 43
และ B แสดงแผนภาพไนควิสต์ของคาร์บอนวางขั้วไฟฟ้าใน
ขาดและการแสดงตนของ SDS ในสารละลายตามลำดับ ในฐานะที่เราสามารถมองเห็น
สังเกตเห็นลดลงในขนาดของครึ่งวงกลมจะเกิดขึ้น ลด
Razorflame จาก 8.64 × 105 Ω cm2 สำหรับ CPE ในกรณีที่ไม่มี t

1.65 × 105 Ω cm2 ในการแสดงตนของ SDS . ข้อมูลแสดงให้เห็นว่า
อิมพีแดนซ์โรงงานอิเล็กตรอนโอนระหว่างขั้วไฟฟ้าใน
และ BPR มี SDS . ค่าข้อมูลที่ได้รับ ซึ่งได้วิเคราะห์
โดย แรนเดิลล์วงจรและได้แสดงในรูปที่ 5 ใส่ให้พอดีกับข้อมูลการทดลอง
.
อิทธิพลของอัตราการสแกนบนยอดมากคือศึกษา
สารละลายที่มี 0.08 μ M ของ BPR ในช่วง 0.02 0.1 V s − 1 . มัน
พบว่าปฏิกิริยาออกซิเดชันสูงสุดในปัจจุบันของ BPR เพิ่มน้ำหนัก
กับรากที่สองของอัตราการสแกน ซึ่งจุดที่มีการแพร่กระจาย
โอนกระบวนการควบคุม ( ภาพที่ 6 ) : ทาเฟลแปลงเป็นอุปกรณ์ที่มีประโยชน์สำหรับการประมาณค่าพารามิเตอร์จลน์ .
จำนวนอิเล็กตรอนที่เกี่ยวข้องในขั้นกำหนดอัตราสามารถ
ประเมินจากความชันของทาเฟลแปลง ความลาดชันเฉลี่ย
ทาเฟลกลุ่มตัวอย่างที่ 0.1290 V − 1 ทศวรรษแห่งหนึ่งอิเล็กตรอนกระบวนการ
สำหรับขั้นกำหนดอัตรา โอนค่าα ) เป็นการวัด
ของสมมาตรของเกราะพลังงาน ค่าαมีค่า
0.55 โดยใช้ความสัมพันธ์ของ B = 2.30 RT / N ( 1 −α ) F ค่าบ่งชี้
ที่กั้นพลังงานที่มีความสมมาตร [ 32 ]