This behaviour is related to modific

This behaviour is related to modification of e/h recombination rate which is directly influenced by dopant content. It is known that in a semiconductor efficient charges
separation occurs when the magnitude of potential drop, across the space-charge layer, is higher than 0.2 eV [18].

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พฤติกรรมนี้จะเกี่ยวข้องกับ modi ไอออนบวก Fi ของ e? / h อัตราการรวมตัวกันอีกซึ่งเป็นโดยตรงในชั้น uenced โดยเนื้อหาเจือปน เป็นที่ทราบกันว่าใน EF Fi เซมิคอนดักเตอร์ค่าใช้จ่ายเพียงพอ
แยกเกิดขึ้นเมื่อขนาดของการลดลงที่มีศักยภาพทั่วชั้นพื้นที่เสียค่าใช้จ่ายที่สูงกว่า 0.2 eV [18]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พฤติกรรมนี้จะเกี่ยวข้องกับการอนุรักษ์สิ่งแวดล้อมจึง  e / h อัตรา recombination ซึ่งตรงfl uenced โดพันท์โดยเนื้อหา มันเป็นที่รู้จักกันว่าในสารกึ่งตัวนำ EF จึง cient ค่าธรรมเนียม
แยกเกิดขึ้นเมื่อขนาดของพื้นที่ที่มีศักยภาพลดลงในค่าใช้จ่ายชั้นสูงกว่า 0.2 EV [ 18 ]