remainsunmodified, while a temperat

remainsunmodified, while a temperature depression of more than 3◦C andless than 6◦C, produces a partially modified Si. A depression ingrowth temperature of more than 6◦C is required to produce a fullymodified Si structure. The present results are in good agreementwith the magnitude of eutectic growth depression for modifiedsilicon morphology as reported by other researchers [14,16]. Thedepression of Al–Si growth temperature can be pertained to actionof free Sr in the melt which obstructs twin plane re-entrant edge(TPRE) growth of silicon [22], which is called impurity inducedtwining (IIT). Therefore, the system needs a greater driving forcefor growth.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

remainsunmodified ในขณะที่ภาวะซึมเศร้าอุณหภูมิกว่า andless 3◦C มากกว่า 6◦C สร้างซีแก้ไขบางส่วน โรคซึมเศร้า ingrowth ไข้มากกว่า 6◦C จะต้องผลิต fullymodified ในโครงสร้าง มีผลลัพธ์อยู่ใน agreementwith ดีขนาดของ eutectic เติบโตสำหรับสัณฐานวิทยา modifiedsilicon รายงานของนักวิจัยอื่น ๆ [14,16] Thedepression ของอัล – ศรีเจริญเติบโตอุณหภูมิที่สามารถ pertained การ actionof ฟรี Sr ในละลายซึ่ง obstructs เติบโต re-entrant edge(TPRE) เครื่องบินคู่ของซิลิคอน [22], ซึ่งเรียกว่ามลทิน inducedtwining (มุมไบ) ได้ ดังนั้น ระบบต้องเติบโต forcefor ขับขี่มากขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

remainsunmodified ในขณะที่อุณหภูมิภาวะซึมเศร้ามากกว่า3◦C andless กว่า6◦Cผลิตบางส่วนแก้ไขศรี อุณหภูมิ ingrowth ภาวะซึมเศร้ามากกว่า6◦Cจะต้องผลิต fullymodified โครงสร้างศรี ผลลัพธ์ที่ได้อยู่ใน agreementwith ดีขนาดของการเจริญเติบโตของภาวะซึมเศร้ายูเทคติกสำหรับสัณฐาน modifiedsilicon เป็นรายงานโดยนักวิจัยอื่น ๆ [14,16] Thedepression อุณหภูมิการเจริญเติบโตของ Al-Si สามารถเรื่องการ actionof ฟรีอาร์ในการละลายที่ขัดขวางเครื่องบินคู่ขอบใหม่เข้าประกวด (TPRE) การเจริญเติบโตของซิลิกอน [22] ซึ่งเรียกว่าบริสุทธิ์ inducedtwining (IIT) ดังนั้นระบบจำเป็นต้องขับรถมากขึ้น forcefor การเจริญเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

remainsunmodified ในขณะที่อุณหภูมิของภาวะซึมเศร้ามากกว่า 3 ◦ C ใกล้เคียงกว่า 6 ◦ C ผลิตบางส่วน แก้ไขครับ พายุดีเปรสชันล้อมกรอบอุณหภูมิมากกว่า 6 ◦ C จะต้องผลิต fullymodified ศรีโครงสร้าง ผลจะดี agreementwith ขนาดของภาวะซึมเศร้าของเทคติกสำหรับ modifiedsilicon สัณฐานตามที่รายงานโดยนักวิจัยอื่น ๆ [ 14,16 ]thedepression อุณหภูมิการเจริญเติบโต Al –ศรีสามารถเจาะจง actionof SR ฟรีในละลายซึ่งเป็นอุปสรรคต่อเครื่องบินอีกแฝดผู้ขอบ ( tpre ) การเจริญเติบโตของซิลิคอน [ 22 ] ซึ่งเรียกว่าบริสุทธิ์ inducedtwining ( IIT ) ดังนั้นระบบความต้องการมากกว่าการขับรถ forcefor การเจริญเติบโต