Moreover, the formation of Cu3Ge is

Moreover, the formation of Cu3Ge is the result of Cu diffusion; the presence of stable Cu3Ge layer at the interface between Ge and Cu layers retards the further diffusion of copper atoms into the GaAs substrate

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกจากนี้ การก่อตัวของ Cu3Ge เป็นผลของ Cu แพร่ ก็มั่นคงชั้น Cu3Ge ที่อินเทอร์เฟซระหว่าง Ge และชั้น Cu retards แพร่ต่อของอะตอมทองแดงเข้ากับพื้นผิวของ GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ยังมีการก่อตัวของ Cu3Ge เป็นผลมาจากการแพร่กระจาย Cu นั้น การปรากฏตัวของชั้น Cu3Ge มั่นคงที่เชื่อมต่อระหว่างจีอีและชั้น Cu retards แพร่ต่อไปของอะตอมทองแดงเข้าไปในพื้นผิว GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ยิ่งไปกว่านั้น การก่อตัวของ cu3ge เป็นผลลบกระจาย ; การปรากฏตัวของชั้น cu3ge มั่นคงที่เชื่อมต่อระหว่าง GE และลบชั้นทำให้การแพร่กระจายต่อไปของอะตอมทองแดงในพื้นผิวแกลเลียมอาร์เซไนด์